Шишкин Г.Г., Шишкин А.Г. - Электроника (1006496), страница 105
Текст из файла (страница 105)
31---+ 3насыщен.населенности уровнеймогут несколько измениться, так как изменение населенностей уровней1и3влияет на релаксационные процессы, в которых участвуют уровни2и4.Однако можно считать, что этиизменения населенностей уровней2и4незначительны и имиможно пренебречь. После насыщения перехода1---+3устанавливается распределение населенностей между четырьмя уровнями, показанное на рис.18.3,б, из которого видно, что при п 1населенность второго уровня больше первого, т. е. п 2вательно, переход2---+1> п1 •= п3Следохарактеризуется: «отрицательной темпера~урой», или инверсией населенностей (наклонная: штриховаяпрямая между уровнями1и2).Если теперь на парамагнитныйРаздел 5.
ПРИБОРЫ КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ550кристалл (кристалл рубина) поступает слабый сигнал с частотойf 12такой, чтоhf12 =перехода с уровня2Е 2 - Ер то вследствие индуцированногона уровень1произойдет усиление этогосигнала. В реальном кристалле число возбужденных ионов хрома в спиновой системе достаточно велико, поэтому среднее числопереходоввединицувремени,вызываемоеприходящимсигналом, практически постоянно, а процесс усиления происходитнепрерывно, несмотря на то что переход любого отдельного спина, индуцированный приходящим сигналом, представляет собой случайный процесс.
Можно говорить о том, что отдельныйспин совершит переход с некоторой вероятностью под воздействием приходящего сигнала. Поскольку вероятность индуцированного излучения прямо пропорциональна спектральной плотности энергии излучения (см.
п.17.1),то число излучательныхпереходов в единицу времени прямо пропорционально начальному уровню мощности усиливаемого сигнала. В определенномдиапазонемощностейвходногосигнала процессквантовогоусиления можно считать линейным.Существует несколько методов, позволяющих повысить инверсию населенности по сравнению с рассмотренным случаем использования трехуровневой системы. Прежде всего при высокихчастотах сигнала инверсию желательно получать путем накачкина более низкой частоте, поскольку генераторы накачки на болеевысоких частотах менее выгодны с различных точек зрения.В парамагнитной спиновой системе квантового усилителя счетырьмя или большим числом рабочих уровней инверсию населенностей можно повысить за счет одновременной накачки надвух или более переходах, причем иногда для этих целей можноиспользовать один и тот же источник накачки.
Наибольшеераспространение получили методы с многократной накачкой,поясняемые рис.18.4,особенно первый из них на рис.(метод пушпульной накачки) и разновидность его на рис.18.4, а18.4, г.Под воздействием накачки происходит одновременный переходспиновых систем (ионов хрома) с уровняный (рабочий) уровеньуровень4,31на верхний сигнальи с нижнего сигнального уровня2нат. е. в этом случае на рабочем переходе происходитзаселение верхнего рабочего уровня с одновременным освобождением нижнего, что и приводит к увеличению инверсии.Расчеты показывают, что коэффициент инверсии при такойнакачке пропорционален (fнlfc)- 1,а в трехуровневой системеэтот коэффициент :uропорционален <fн/2fc)- 1,Где fн,fc -частоты накачки и сигнала соответственно.
Для рубина симмет-ГлаваКвантовые приборы СВЧ-диапазона (мазеры)18.5511141fc13fc~2i.·!·r1'fн11/;'"/11fн//1/111111 11fнfнfc 11fc1fн~1/ /1~в)6)Рис.г)18.4ричная схема энергетических уровней (см. рис.[,1,'11а)11/1} 1111111li11fнfн'118.4), необходи:мая для пушпульной накачки одним источником, автоматически реализуется при угле 0 между вектором В и осью кристалла,равным е = 54°44'./На рис. 18.4, б и 18.4, в показаны две схемы пушпушной накач-i:!1·!t~кн. В отдельных частных случаях коэффициент инверсии дляэтого случая совпадает с соответствующим выражением для мазера с пушпульной накачкой, но в любом случае он больше, чемдля<b>Текст обрезан, так как является слишком большим</b>.