Параллельный и транзисторный ад
36. Параллельный и транзисторный АД.
Если выходное R источника сигнала по постоянному току имеет большое значение, то схема последовательного АД не применима. В частности это касается ситуации когда АМ сигнал поступает с резистивного усилителя через разделительную емкость. В данной ситуации применяется схема параллельного АД. В этой схеме диод подключается параллельно сопротивлению нагрузки, а не последовательно как в ранее рассмотренном случае.
В данной схеме Ср – разделительная емкость, выполняет роль Сн – нагрузочной емкости. Также как и в схеме последовательного АД в этой схеме присутствуют процессы быстрого заряда емкости Сн через малое сопротивление открытого диода и Rк. Разряд емкости осуществляется через большое сопротивление Rн и через Rк.
Все процессы заряда и разряда описываются теми же выражениями что и в случае последовательного АД. Исключением является только выражение для вых. R. Т.к. диод включен параллельно нагрузки, то следует ожидать уменьшения вх. R, по сравнению со схемой последовательно АД. Можно показать что использование выше рассмотренные условия балансов мощности вх. R»Rн/3.
Транзисторный АД. Если на ряду с детектированием необходимо получить и усиление сигнала, то используют транзисторные АД.
Здесь в процессе детектирования участвуют две нелинейности одна определяется ЭБ переходом, вторая КБ переходом.
Регулировкой базового смещения транзистора устанавливается такой нелинейный режим транзистора, чтобы уровень нелинейных искажений продетектированного сигнала становится минимальным. Недостатки: малый диапазон, высокий уровень нелинейных искажений.
