Металлизация с использованием ионного распыления

Металлизация с использованием ионного распыления

Идея метода

Процесс заключается в бомбардировке ионами Ar, ускоренными в электрическом поле, поверхности мишени или катода. За счет передачи импульса мишени приповерхностные атомы испаряются и переносятся в виде пара на подложки. Поток энергии можно видоизменять посредством независимой регулировки ионного тока и энергии ионов.

Для распыления диэлектриков (двуокись алюминия или кремния) необходимо использовать источники ВЧ-энергии. Проводящие материалы (Ti, Pt, Au, Mo, W, Ni, Co) легко могут быть распылены с использованием разряда постоянного тока.

Преимущества метода

• большее, чем в других способах, количество распыляемого вещества, достигающего поверхности подложек (реализовано за счет высокого вакуума);
• малая степень внедрения ионов остаточного газа в осаждаемую пленку;
• возможность удаления окисных и других пленок во вскрытых областях подложки за счет ее ВЧ-обработки перед осаждением (ионное травление);
• возможность выравнивания поверхности перед металлизацией за счет ВЧ-обработки подложки при осаждении (распыление со смещением).

Недостатки метода

• внедрение аргона (2%) и фонового газа (1%) в пленку;
• нагрев подложек (до 350 °С);
• отсутствие возможности одновременного нанесения пленок на большое количество пластин;
• наличие проникающего излучения.