сведения об оппоненте Якимов (Электронная спектроскопия материалов и микроструктур в сканирующем электронном микроскопе)
Описание файла
Файл "сведения об оппоненте Якимов" внутри архива находится в следующих папках: Электронная спектроскопия материалов и микроструктур в сканирующем электронном микроскопе, Документы. PDF-файл из архива "Электронная спектроскопия материалов и микроструктур в сканирующем электронном микроскопе", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве МГУ им. Ломоносова. Не смотря на прямую связь этого архива с МГУ им. Ломоносова, его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
Фамилия Имя ОтчествоЯкимов Евгений БорисовичДоктор физико-математических наук (специальность 01.04.10– физикаполупроводников и диэлектриков)должность и полное название организации – главный научный сотрудникФедерального государственного бюджетного учреждения науки Институтапроблем технологии микроэлектроники и особочистых материаловРоссийской академии наукСписок основных публикаций по теме диссертации за последние 5 лет:1) A.
Y. Polyakov, Dae-Woo Jeon, In-Hwan Lee, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov,E. A. Kozhukhova, E. B. Yakimov. Electrical properties of undoped GaN filmsgrown by maskless epitaxial lateral overgrowth. J. Appl. Phys. 113, 083712, 2013.2) P. S. Vergeles, N. M. Shmidt, and E. B. Yakimov. Role of extended defects inthe transformation of InGaN/GaN multiple quantum well structure opticalproperties under low energy electron beam irradiation. Phys. Status Solidi C 10,No.
3, 464–467 (2013)3) E.B. Yakimov. Low energy electron irradiation effect on optical and electricalproperties of InGaN/GaN multiple quantum well structures. Int. J. Nanoparticles,Vol. 6, Nos. 2/3, 191-200, 2013.4) П.С. Вергелес, Е.Б. Якимов. Влияние облучения электронами низкихэнергий на оптические свойства структур с множественными квантовымиямами InGaN/GaN. ФТП, 49(2), 149-154, 2015.5) В.И. Орлов, О.В.
Феклисова, Е.Б. Якимов. Исследование свойствпротяженных дефектов в пластически деформированном кремнии методамиEBIC и LBIC. ФТП, том 49, вып. 6, 737-740, 2015.6) С.М. Пещерова, Е.Б. Якимов, А.И. Непомнящих, Л.А. Павлова, О.В.Феклисова. Рекомбинационная активность границ раздела вмультикристаллическом кремнии. ФТП, том 49, вып.
6, 741-745, 20157) М.А. Поликарпов, Е.Б. Якимов. Исследование свойств полупроводниковыхпреобразователей на основе кремния для бета-вольтаических элементов.ФТП, том 49, вып. 6, 763-766, 20158) E. B. Yakimov, P. S. Vergeles, A. Y. Polyakov, In-Hwan Lee, and S. J. Pearton.Movement of basal plane dislocations in GaN during electron beam Irradiation.Appl. Phys.
Lett. 106, 132101 (2015). 10.1063/1.4916632]9) С.К. Брантов, А.Н. Терещенко, Э.А. Штейнман, Е.Б. Якимов. Физическиесвойства пленок углерода, полученных при пиролизе метана в электрическомполе. Журнал технической физики, 2016, том 86, вып. 3, 110-113.10) Eugene B. Yakimov.
Prediction of betavoltaic battery output parameters basedon SEM measurements and Monte Carlo simulation. Applied Radiation andIsotopes112(2016)98–10211) In-Hwan Lee, A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, E. B. Yakimov, S. A. Tarelkin,A. V. Turutin, I. V. Shemerov, and S. J.
Pearton. Studies of deep level centersdetermining the diffusion length in epitaxial layers and crystals of undoped n-GaN.J. Appl. Phys. 119, 205109, 2016.12) G. Regula, E.B. Yakimov. Effect of low energy electron beam irradiation onShockley partial dislocations bounding stacking faults introduced by plasticdeformation in 4H-SiC in its brittle temperature range. Superlattices andMicrostructures 99 (2016) 226-230.13) A.A.
Krasnov, V.V. Starkov, S.A. Legotin, O.I. Rabinovich, S.I. Didenko,V.N. Murashev, V.V. Cheverikin, E.B. Yakimov, N.A. Fedulova, B.I. Rogozev,A.S. Laryushkin. Development of betavoltaic cell technology production based onmicrochannel silicon and its electrical parameters evaluation. Applied Radiationand Isotopes 121 (2017) 71–75.14) In-Hwan Lee, A. Y. Polyakov, E.
B. Yakimov, N. B. Smirnov, I. V.Shchemerov, S. A. Tarelkin, S. I. Didenko, K. I. Tapero, R. A. Zinovyev, and S. J.Pearton. Defects responsible for lifetime degradation in electron irradiated n-GaNgrown by hydride vapor phase epitaxy. Appl. Phys. Lett. 110, 112102 (2017)..
