Автореферат (Оптоэлектронные свойства бирефрактивных кристаллов A2B5 и приборов на их основе), страница 8
Описание файла
Файл "Автореферат" внутри архива находится в папке "Оптоэлектронные свойства бирефрактивных кристаллов A2B5 и приборов на их основе". PDF-файл из архива "Оптоэлектронные свойства бирефрактивных кристаллов A2B5 и приборов на их основе", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве МГУ им. Ломоносова. Не смотря на прямую связь этого архива с МГУ им. Ломоносова, его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой докторскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени доктора физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 8 страницы из PDF
— 1999. — Vol. 11. — P. 8.университета[20]И.Г.Стамов, Д.В.Ткаченко. Влияние электрического поля на фотоэффект в барьерахШоттки на электронном дифосфиде кадмия. //ФТП. — 2008. — Vol. 42, no. 9. —Pp. 1079 – 1085. http://journals.ioffe.ru/ftp/2008/09/page-1079.html.ru.[21]И.Г.Стамов,.Д.В.ТкаченкоФотоэлектронныеявленияипереносзарядавповерхностно-барьерных структурах на основе - типа дифосфидов цинка и кадмия.II // Вестник Приднестровского университета Серия: Физ-тех и матнауки.
— 2008.— Vol. 3(32). — Pp. 14 – 21.[22]И.Г.Стамов,.Д.В.ТкаченкоФотоэлектронныеявленияипереносзарядавповерхностно-барьерных структурах на основе - типа дифосфидов цинка и кадмия.III //Вестник Приднестровского университета. Серия: Физ.-тех. и мат.науки.—2008. — Vol. 3(32). — Pp. 22 – 29.[23]И.Г.Стамов,.Д.В.ТкаченкоФотоэлектронныеявленияипереносзарядавповерхностно-барьерных структурах на основе - типа дифосфидов цинка и кадмия.IV //Вестник Приднестровского университета Серия: Физ-тех и матнауки. —2008. — Vol. 3(35). — P. 66.[24]И.Г.Стамов,. Электрические и фотоэлектрическиеС.И.Берил,В.В.Панасенкосвойства контактов Шоттки на тетрагональном дифсфиде цинка // В сб.«Социогуманитарныеиестественнонаучныепроблемыустойчивогоразвития:Приднестровье». — изд.ПГУ, 2010. — Pp.
84 – 92.[25]. Влияние уровней собственных дефектов в запрещеннойИ.Г.Стамов, Д.В.Ткаченкозоне 2 на электрические свойства структур с барьером Шоттки на его основе //35ФТП. — 2006. — Vol. 40, no. 10. — Pp. 1196 – 1203. http://journals.ioffe.ru/ftp/2008/06/page-679.html.ru.[26]И.Г.Стамов,.Д.В.ТкаченкоФотоэлектронныеявленияипереносзарядавповерхностно-барьерных структурах на основе - типа дифосфидов цинка и кадмия.I // ВестникПриднестровского университета Серия: Физ-тех и матнауки.
— 2007.— Vol. 3(29). — Pp. 18 – 24.[27]И.Г.Стамов,Д.В.Ткаченко. Особенности долговременной релаксации емкости ввыпрямляющих структурах на основе моноклинного 2 - типа проводимости //ФТП. — 2008. — Vol. 42, no. 6. — Pp. 679 – 685. http://journals.ioffe.ru/ftp/2006/10/page-1196.html.ru.[28]И.Г.Стамов, В.В.Панасенко. Исследование токов ограниченных объемным зарядом(ТОПЗ) в тонких слоях дифосфида цинка моноклинной модификации //Тезисы докладов международной научной конференции «Актуальные проблемытеоретической физики, физики конденсированных сред и астрофизики», 23-24сентября.
— Брест, Беларусь: 2010. — P. 18.[29]Н.Н.Сырбу, И.Г.СтамовФТП. Фотоприемники линейно поляризованного излучения //. — 1991. — Vol. 25, no. 12. — Pp. 2115 – 2125. http://journals.ioffe.ru/ftp/1991/12/page-2115.html.ru.[30]И.Г.Стамов. Особенности свойств гетеропереходов на структурных модификацияхдифосфида цинка. // The 4th International conference «Telecommunications, Electronicsand Informatics», May 17 - 20, v.1.
— Moldova, Chisinau: 2012. — Pp. 303 – 308.[31] The filters with the optical isotropic wavelength / N.N.Syrbu, A.Dorogan, I.G.Stamov,V.Dorogan // The 3rd International conference «Telecommunications, Electronics andInformatics», May 20-23. — Vol. 1. — Chisinau: 2010. — P. 284.Список цитированной литературы:1. Л.А.Головань, В.Ю.Тимошенко, П.К.Кашкаров. Оптические свойства нанокомпозитов на основе сложных систем// Успехи физических наук, 2007, т.177, с. 619-638.2.
W.Freyland, O.Madelung. Physics of Non - tetrahedrally Bonded and Binary CompoundsI. Berlin: Springer-Verlag, 1983.363. В.Б.Лазарев, В.Я.Шевченко, Я.Х.Гринберг, В.В.Соболев. Полупроводниковые соединения группы 2 5 . Москва: Наука, 1978.4. Н.Н.Сырбу. Оптоэлектронные свойства соединений 2 5 .
Кишинев: Штиинца, 1983.155.5. С.Ф.Маренкин, В.М.Трухин. Фосфиды, арсениды цинка и кадмия. Минск: изд.А.Н.Вараксин, 2010.6. Е.Ф.Гросс. Магнито-оптические свойства биэлектрона в кристалле 3 // Письма вЖЭТФ, 1971, т.13, с. 503-506.7. W.Kuehn, P.Gaal, K.Reimann, M.Woerner, T.Elsaesser, R.Hey. Coherent Ballistic Motionof Electrons in a Periodic Potential// Phys.Rev.Lett., 2010, v.104, 146602(1-4).8. В.В.Соболев, А.И.Козлов, И.И.Тычина, П.А.Романик, Э.М.Смоляренко. Свободныйэкситон и экситонно-примесные комплексы моноклинного дифосфида цинка// Письма в ЖЭТФ, 1981, т.34, с. 115-118; А.Б.Певцов, С.А.Пермогоров, А.В.Селькин,Н.Н.Сырбу, А.Г.Уманец. Свободные экситоны в 2 черной модификации// ФТП,1982, т.16, с. 1399-1405; O.Arimoto, S.Okamoto, K.Nakamura.
Polariton Luminescence inMonoclinic 2 Crystal// Journal of the Physical Society of Japan, 1990, v.59, p. 34903493; K.Nakamura, M.Shigoku, K.Kondo, O.Arimoto. Triplet-to-Singlet Conversion in theExciton System in 2 -Anti-Stokes Exciton Luminescence// Journal of the PhysicalSociety of Japan, 1998, v.67, p.
1890-1893; И.С.Горбань, А.П.Крохмаль, З.З.Янчук.Экситоны в моноклинном дифосфиде цинка. Продольный экситон и смешанная мода// ФТТ, 1999, 41, 193-202; А.П.Крохмаль, В.А.Губанов, З.З.Янчук. Экситоны вмоноклинном дифосфиде цинка. A-экситонная серия и эффект Фано// ФТТ, 2003,т.45, c. 1177-1184.9. V.A.Kovarsky, E.P.Sinyavskii and L.V.Chernysh. Optical Properties of bielectronimpurity complexes// Phys.
Stat. Sol.(b), 1984, v.123, p.671-677.10. В.И.Стриха Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник. Киев:Высшая школа, 1974.11. O. Madelung, U. Rössler, M. Schulz. Non - Tetrahedrally Bonded Elements and BinaryCompounds I. Berlin - Heidelberg, Springer-Verlag, 80S3, 1998.12. Р.Л.Белл. Эмиттеры с отрицательным электронным сродством.: Пер. с англ. — М.:Энергия, 1978. — 192 с.37Отпечатано на физ.-мат. фак-те ПГУ им.Т.Г.ШевченкоХХ.ХХ.2017. Тираж 100 экз.istamov51@mail.ru38.
