Диссертация (Оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 и влияние на них легирующих примесей), страница 21
Описание файла
Файл "Диссертация" внутри архива находится в папке "Оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 и влияние на них легирующих примесей". PDF-файл из архива "Оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 и влияние на них легирующих примесей", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 21 страницы из PDF
Owen. // Proceedings oftheTenthInternationalConferenceonAmorphousandLiquidSemiconductors. Tokyo. 1983. P. 1031—1043.74. Edmond, J. Т. Measurements of electrical conductivity and optical absorptionin chalcogenide glasses / J. Т. Edmond // J. Non-Cryst. Solids. 1968. Vol. 1,N. I. P. 39—48.75. Коломиец, Б.Т. Примеси и свойства халькогенидных стеклообразныхполупроводников.Электронныеявлениянекристаллическихполупроводников / Б.Т. Коломиец. // Тр. шестой Межд. конф. поаморфным и жидким полупроводникам.
—Л.: Наука, 1976. С. 23-34.76. Борисова, З.У. Стеклообразование в халькогенидных системах ипериодическаясистемаэлементов.Структураисвойстванекристаллических полупроводников / З.У. Борисова. // Тр. шестойМежд. конф. по аморфным и жидким полупроводникам.— Л.: Наука,1976. С. 6—12.77.
Андреев, А. А. Электрические свойства селенида мышьяка легированногоAg / А. А. Андреев, Э. А. Лебедев, Н. А. Рогачев, В. X. Шпунт. // ПисьмаЖТФ. 1981. Т. 7, вып. 2. С. 87—90.78. Flasck, R. Proc. 7th. Int. Conf. on Amorphous and Liguid Semiconductors / R.Flasck, M. Izu, Ovshinsky S.R., et al. / Ed. by Spear W.E. — Edinburgh,1977, p. 524-528.79. Мазец, Т. Ф.
Микронеоднородная модель легирования пленок ХСП / Т. Ф.Мазец, К. Д. Цэндин. // ФТП. 1990. Т. 24, вып. П. С. 1953—1958.15680. Anderson, P. W. Model for the Electronic Structure of AmorphousSemiconductors / P. W. Anderson. // Phys. Rev. Lett. - 1975. - Vol. 34, N. 15.- P. 953.81. C.H. Sie, M.P. Dugan, S.C. Moss // J.Non–Cryst. Solids.
1972. Vol. 22. P. 8–10, 877–884.82.Цэндин,К.Д.халькогенидныхНелинейностьвольт–амперныххарактеристикстеклообразныхполупроводников,обусловленнаямногофононной туннельной ионизацией U–минус центров / К.Д. Цэндин// Физика и техника полупроводников. – 2009. – том 43. – вып. 1083. Богословский, А. Динамика оптической записи информации на тонкихслояххалькогенидныхстеклообразныхполупроводников/А.Богословский, К. Д. Цэндин. // Письма ЖЭТФ, 55 (11), 635 (1992).84.
Kojima, R. Nitrogen Doping Effect on Phase Change Optical Disks / R.Kojima, S. Okabayashi, T. Kashihara, et al. // Jpn. J. Appl. Phys. – 1998. – V.37(4B). –P. 2098.85. Horii, H. A Novel Cell Technology Using N-doped GeSbTe Films for PhaseChange RAM / H. Horii. // 2003 Symposium on VLSI Technology Digest ofTechnical Papers, pp. 177-178, Jun. 2003.86. Privitera, S. Amorphous-to-crystal transition of nitrogen- and oxygen-dopedGe2Sb2Te5 films studied by in situ resistance measurements / S. Privitera, E.Rimini, R. Zonca. // Appl. Phys. Lett. – 2004. - V.
85(15). – P.3044.87. Lee, T.-Y. Low thermal conductivity in Ge2Sb2Te5–SiOx for phase changememory devices / T.-Y. Lee, K.H.P. Kim, D.-S. Suh, et al. // Appl. Phys. Lett.– 2009. – V. 94. – P. 243.88. Rivera-Rodriguez, C. Study of laser crystallization and recording properties ofoxygen doped Ge:Sb:Te / C. Rivera-Rodriguez, E. Prokhorov, Yu.Kovalenko, et al. // Appl. Surf. Sci.
– 2005. – V. 247. –P. 545.15789. Kojima, R. Acceleration of Crystallization Speed by Sn Addition to Ge–Sb–TePhase-Change Recording Material / R. Kojima and N. Yamada. // Jpn. J.Appl. Phys. – 2001. - Vol. 40. – P. 5930–5937.90. Paesler, M.A. Bond constraint theory and EXAFS studies of local bondingstructures of Ge2Sb2Te4, Ge2Sb2Te5 and Ge2Sb2Te7 / M.A. Paesler, D.A.Baker, G.
Lucovsky, et al. // J. Optoelectronics and Advanced Materials. 2007. - V.9. - No. 10. - P.2996-3001.91. Kolobov, A.V. Nanometer-scale mechanism of phase – change in Ge-Sb-Tealloys probed by XAFS / A.V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, et al. //European Phase Change and Ovonics Symposium. 2005. Cambridge(England). - Режим доступа: www.epcos.org.92. Kim, S.-K. Holographic Video System using Fourier Transform and DataReduction / Sung-Kyu Kim, Jung-Young Son1, Joo-Hwan Chun, et al. // Jpn.J. Appl. Phys. – 1999. - Part 1, 38.
–P. 6379.93. Wang, K. Influence of Bi doping upon the phase change characteristics ofGe2Sb2Te5 / K. Wang, D.Wamwangi, S.Ziegler, M. Wuttig // Journal ofApplied Physics. -2004. – V. 96(10). –P. 5557-5562.94. Park, Tae-Jin Phase transition characteristics of Bi/Sn doped Ge2Sb2Te5thinfilm for PRAM application / Tae-Jin Park, Se-Young Choi and Myung-JinKang // Thin Solid Films.
– 2007. – V. 515(12). – P. 5049-5053.95. Kelly, A. Crystallography and Crystal Defects / A. Kelly and G. W. Groves//Addison-Wesley, Reading, Mass., 1970.96. Raoux, S. Phase Change Materials - Science and Applications / S. Raoux,M.Wuttig. // Springer. 2009.97. Урусов, В. С. Теория изоморфной смесимости / В.
С. Урусов. // М.,«Наука», 1977. – 215 c.15898. Nakamoto, K. Infrared and Raman Spectra of Inorganic and CoordinationCompounds / K. Nakamoto. // John Wiley and Sons, Inc., New York, 2006.99. Birgin, E. G. Estimation of optical constants of thin films using unconstrainedoptimization / E. G. Birgin, I. Chambouleyron, and J. M.
Martínez. // J.Comput. Phys. – 1999. –V.151. – P. 862.100. Swanepoel, R. Determination of the thickness and optical constants ofamorphous silicon / R. Swanepoel. // J. Phys. E: Sci. Instrum. – 1983. –V.16.–P. 1214.101. Tauc, J. The optical properties of solids / J. Tauc. // Ed. F. Abeles, NorthHolland, Amsterdam, 1970.102. Аззам, Р. Эллипсометрия и поляризованный свет / Р. Аззам, Н. Башара. //М.: "Мир", 1981.103.
Forouhi, A. R. Optical properties of crystalline semiconductors and dielectrics/ A. R. Forouhi and I. Bloomer. // Phys. Rev. B. -1988. –V. 38. –P. 1865.104. Andrikopoulos, K. S. Raman scattering study of the a-GeTe structure andpossible mechanism for the amorphous to crystal transition / K. S.Andrikopoulos, S. N. Yannopoulos, A. V. Kolobov, et al. // J. Phys.:Condens. Matter. -2006. V.
18. –P. 965.105. Lucovsky, G. Spectroscopic and electrical detection of intermediate phasesand chemical bonding self-organizations in (i) dielectric films forsemiconductor devices, and (ii) chalcogenide alloys for optical memorydevices / G. Lucovsky, D. A. Baker, M. A.
Paesler, and J. C. Phillips // J.Non-Cryst. Solids. – 2007. – V. 353. – P. 1713.106. Koblar, J. Raman-active modes of a-GeSe[2] and a-GeS[2]: A first-principlesstudy / Koblar Jackson, Arlin Briley, and Shau Grossman // Phys. Rev. B:Condens. Matter. – 1999. –V. 60. –P.22.159107. Baker, D. A. Application of Bond Constraint Theory to the SwitchableOptical Memory Material Ge2Sb2Te5 / D.
A. Baker, M. A. Paesler, G.Lucovsky, et al. // Phys. Rev. Lett. – 2006. –V. 96. –P. 255501.108. Sosso, G C First-principles study of crystalline and amorphous Ge2Sb2Te5 andthe effects of stoichiometric defects / G C Sosso, S Caravati, and MBernasconi. // J. Phys.: Condens.
Matter. – 2009. V. 21. –P. 255501.109. Richter, W. A Raman and Far-Infrared Investigation of Phonons in theRhombohedra1 V2-VI3 Compounds Bi2Te3, Bi2Se3, Sb2Te2 and Bi2(Te1-xSex)3(0 < x < l), (Bi1-ySby)2Te3 (0 < y < 1) / W. Richter, H. Koi-Iler, and C. R.Becker. // Phys. Stat. Sol. (B).
– 1977. –V. 6-1. –P. 619.110. Shahil, K. M. F. Micro-Raman Spectroscopy of Mechanically ExfoliatedFew-Quintuple Layers of Bi(2)Te(3), Bi(2)Se(3) and Sb(2)Te(3) / K. M. F.Shahil, M. Z. Hossain, V. Goyal, and A. A. Balandin // MaterialsJ. Appl.Phys. -2012. –V. 111. –P. 054305.111. Parker, J.H. Raman Scattering by Silicon and Germanium / J.H. Parker, D.W.Felman and M.
Ashkin // Phys. Rev. – 1967. V. 155. –P. 712.112. Lee, B.-S. Investigation of the optical and electronic properties of Ge2Sb2Te5phase change material in its amorphous, cubic, and hexagonal phases / B.-S.Lee, J.R. Abelson, S.G. Bishop, et al. // J. Appl. Phys. -2005. –V. 97. –P.093509.113. Park, J. W. Optical properties of pseudobinary GeTe, Ge2Sb2Te5, GeSb2Te4,GeSb4Te7, and Sb2Te3 from ellipsometry and density functional theory / J.
W.Park, S. H. Eom, H. Lee, et al. // Phys. Rev. B. -2009. –V. 80. –P. 115209.114. Lazarenko, P. Influence of Bi doping on electrical and optical properties ofphase change material Ge2Sb2Te5 / P. Lazarenko, Huy Phuc Nguyen, S.Kozyukhin, A. Sherchenkov// Journal Of Optoelectronics And AdvancedMaterials. – 2011. – Vol. 13. – No.11-12. – Pp.
1400-1404.160115. Zakery, A. Optical Nonlinearities in Chalcogenide Glasses and theirApplications / A. Zakery, S.R. Elliott // Ed. W. T. Rhodes, Springer,Germany, 2007.116. Goh Eunice, S. M. Thickness effect on the band gap and optical properties ofgermanium thin films / S. M. Goh Eunice, T. P. Chen, C. Q. Sun and Y. C.Liu // J. Appl. Phys.
– 2010. – Vol. 107. – P. 024305.117. Лазаренко, П.И. Электрофизические свойства аморфных тонких пленокGe2Sb2Te5, легированных Bi / П.И. Лазаренко, С.А. Козюхин, А.А.Шерченков, и др. // Вестник РГРТУ. – 2013. - № 4, вып. 46, часть 3. - С.83-87.118. Yu, H. Bismuth, tellurium, and bismuth telluride nanowires / Heng Yu,Patrick C. Gibbons and William E. Buhro // J.
