Диссертация (Оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 и влияние на них легирующих примесей), страница 20
Описание файла
Файл "Диссертация" внутри архива находится в папке "Оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 и влияние на них легирующих примесей". PDF-файл из архива "Оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 и влияние на них легирующих примесей", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 20 страницы из PDF
The role of vacancies and local distortions in the design of newphase-change materials / M. Wuttig, D. Lusebrink, D. Wamwangi, et al. //Nature Materials. – 2007. - Vol. 6. - P. 122.15027. Kolobov, A.V. Vacancy-mediated three-center four-electron bonds in GeTeSb2Te3 phase-change memory alloys / A.V. Kolobov, P. Fons, J.
Tominaga,S. R. Ovshinsky. // Phys. Rev. B. – 2013. – Vol. 87. - P. 165206.28. Kolobov, A.V. Local structure of crystallized GeTe films / A.V. Kolobov, J.Tominaga, P. Fons, T. Uruga. // Appl. Phys. Lett. – 2003. – Vol. 82. P. 382.29. Yamada, N. Structure of laser-crystallized Ge2Sb2+xTe5 sputtered thin films foruse in optical memory / N. Yamada, T. Matsunaga // J. Appl. Phys.
– 2000. –Vol. 88. - P. 7020.30. Privitera, S. Crystallization and phase separation in Ge2+xSb2Te5 thin films / S.Privitera, E. Rimini, C. Bongiorno, et al. // J. Appl. Phys. – 2003. – Vol. 94. P. 4409.31. Paesler, M.A. Bond constraint theory and EXAFS studies of local bondingstructures of Ge2Sb2Te4, Ge2Sb2Te5 and Ge2Sb2Te7 / M.A. Paesler, D.A.Baker, G. Lucovsky, et al. // J. Optoelectronics and Advanced Materials. 2007. - V.9.
- No. 10. - P. 2996-3001.32. Shportko, K. Resonant bonding in crystalline phase-change materials / K.Shportko, S. Kremers, M. Woda, et al. // Nature Materials. – 2008. – Vol. 7. P. 653.33. Petrov, I.I. Electronographic determination of the structures of Ge2Sb2Te5 andGeSb4Te7 / I.I. Petrov, R.M. Imamov, Z.G. Pinsker. // Soviet physics crystallography. - 1968. - Vol. 13. - P. 339 – 344.34. Němec, P.
Ge–Sb–Te thin films deposited by pulsed laser: An ellipsometry andRaman scattering spectroscopy study / P. Němec, A. Moreac, V. Nazabal, etal. // J. Appl. Phys. – 2009. - №106. – P. 103509.35. De Bastiani, R. Ion irradiation-induced local structural changes in amorphousGe2Sb2Te5 thin film / R. De Bastiani, A. M. Piro, M. G. Grimaldi, et al. //Appl. Phys. Lett.
– 2008. - №92. – P. 241925.15136. Andrikopoulos, K. S. Raman scattering study of GeTe and Ge2Sb2Te5 phasechange materials / K. S. Andrikopoulos, S. N. Yannopoulos, et al. // J. Phys.Chem. Solids. - 2007, - № 68. - P. 1074-1078.37. Kozyukhin, S.A. Influence of doping on the structure and opticalcharacteristics of Ge2Sb2Te5 amorphous films / S.A. Kozyukhin, V.H.Kudoyarova, H.P. Nguyen, et al. // Phys. Status Solidi. – 2011. - №9. – P.2688–2691.38. De Bastiani, R. Crystallization of ion amorphized Ge2Sb2Te5 thin films inpresence of cubic or hexagonal phase / R. De Bastiani, E.
Carria, S. Gibilisco,et al. // J. Appl. Phys. – 2010. - V. 107. – P. 113521.39. Gabriele, C. Raman spectra of cubic and amorphous Ge2Sb2Te5 from firstprinciples / Gabriele C. Sosso, Sebastiano Caravati, Riccardo Mazzarello, andMarco Bernasconi. // Phys. Re. B.
– 2011. – V. 83. – P. 134201.40. Forst, M. Phase change in Ge2Sb2Te5 films investigated by coherent phononspectroscopy / M. Forst, T. Dekorsy, C. Trappe, et al. // Appl. Phys. Lett. –2000. – V. 77. – P. 1964.41. Tominaga, J. Study of the Crystallization of GeSbTe Films by RamanSpectroscopy / J. Tominaga and N. Atoda. // Jpn. J.
Appl. Phys. – 1999. – V.38. – P. 322.42. Liu, B. Raman spectra and XPS studies of phase changes in Ge2Sb2Te5 films /B. Liu, Z. T. Song, T. Zhang, at. al. // Chin. Phys. – 2004. – V. 13. – P. 1947.43. H. Satoh, K. Sugawara, and K. Tanaka. Nanoscale phase changes in crystallineGe2Sb2Te5 films using scanning probe microscopes // J. Appl. Phys. – 2006. –V. 99. – P. 024306.44.
Sugai, S. Stochastic random network model in Ge and Si chalcogenide glasses /S. Sugai // Phys. Rev. B. – 1987. – V. 35. – P. 1345.15245. Liu, B. Raman spectra and XPS studies of phase changes in Ge2Sb2Te5 films /Liu Bo, Song Zhi-Tang, Zhang Ting, et al. // Chinese Phys. – 2004. – V. 13. –P. 1947.46. Kato, T. Electronic properties of amorphous and crystalline Ge2Sb2Te5 films /T. Kato, K. Tanaka // Jpn. J. Appl. Phys. – 2005. – V. 44. – P. 7340.47. Lee, B.-S.
Investigation of the optical and electronic properties of Ge2Sb2Te5phase change material in its amorphous, cubic, and hexagonal phases / B.-S.Lee, J.R. Abelson, S.G. Bishop, et al. // J. Appl. Phys. – 2005. – V. 97. P. 093509.48. Wuttig. M. Phase-change materials for rewriteable data storage / M.
Wuttigand N. Yamada // Nat. Mater. – 2007. V. 6. – P. 824.49. Němec, P. Optical characteristics of pulsed laser deposited Ge–Sb–Te thinfilms studied by spectroscopic ellipsometry / P. Němec, J. Přikryl, V.Nazabal, and M. Frumar // J. Appl.
Phys. – 2011. – V. 109. – P. 073520.50. Strand, D. Optical Routers Based on Ovonic Phase Change Materials / D.Strand // European Phase Change and Ovonics Science Symposium(Grenoble, France, 2006).51. Kolobov, A. Crystallization induced short-range order changes in amorphousGeTe / A. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, et al. // Phys.: Condens.
Matter. –2004. – V. 16. – P. 5103.52. Kolobov, A.V. Understanding the phase-change mechanism of rewritableoptical media / A.V. Kolobov, P. Fons, A.I. Frenkel, et al. // Nature Mater. –2004. V. 3. – P. 703.53. Kolobov, A.V. Distortion-triggered loss of long-range order in solids withbonding energy hierarchy / A.V. Kolobov, M. Krbal, P. Fons, et al. // NatureChermistry. – 2011. – Vol. 3.
P. 311.15354. Абрикосов, Н.Х. Исследование диаграммы состояния Sb2Te3-GeTe / Н.Х.Абрикосов, Г.Т. Данилова-Добрякова. // Неорганические материалы. 1965. - Т. 1. - № 2. С. 204 – 208.55. Bo, L. Crystallization of Ge2Sb2Te5 phase-change optical disk media / L. Bo,R. Hao, G. Fu-Xi, et al. // Chinese physics. - 2002. - Vol. 11. № 3. - P. 293 –297.56. Krbal, M. Temperature independence of pressure-induced amorphization of thephase-change memory alloy Ge2Sb2Te5 / M.
Krbal, A.V. Kolobov, J. Haines,et al. // Applied physics letters. - 2008. - Vol. 93. - P. 031918-1.57. Reifenberg, J.P. Thickness and stoichiometry dependence of the thermalconductivity of GeSbTe Films / J.P. Reifenberg, M.A. Panzer, S. Kim, et al. //Applied physics letters. - 2007. - Vol. 91.
- P. 111904.58. Lankhorst, M. H. R. Low-cost and nanoscale nonvolatile memory concept forfuture silicon chips / M. H. R. Lankhorst, B. W. S. M. M. Ketelaars, R. A. M.Wolters // Nature materials. - 2005. - Vol. 4. № 4. -P. 347 – 352.59. Авачев, А.П. Фазовые переходы в тонких пленках халькогенидовGe2Sb2Te5 по данным комбинационного рассеяния света / А.П. Авачев,С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, С.А. Козюхин, и др. // Физика и техникаполупроводников. - 2012. - Т. 46. № 5.
- С. 609 – 612.60. Sherchenkov, A.A. Transformations in phase-change memory material duringthermal cycling / A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, E.V. Gorshkova, и др.// The journal of optoelectronics and advanced materials. - 2009. - Vol. 11. №1. - P. 26 – 33.61. Friedrich, I. Structural transformations of Ge2Sb2Te5 films studied by electricalresistance measurements / I. Friedrich, V. Weidenhof, W. Njoroge, et al.
// J.Appl. Phys. – 2000. – V. 87. - P. 4130.15462. Karpov, V.G. Nucleation switching in phase change memory / V.G. Karpov,Y.A. Kryukov, S.D. Savransky, and I.V. Karpov // Appl. Phys. Lett. – 2007. –vol. 90. – 123504.63. Ielmini, D. Analytical model for subthreshold conduction and thresholdswitching in chalcogenide-based memory devices / D. Ielmini, Y. Zhang //Journal of Applied Physics.
– 2007. – vol. 102. – 054517.64. Siegrist, T. Phase Change Materials: Challenges on the Path to a UniversalStorage Device / T. Siegrist, P. Merkelbach, and M. Wuttig // Rev.Condens.Matter Phys.- 2012. –V.3. –P. 215–237.65. Adler, D. Threshold switching in chalcogenide-glass films / D. Adler, M. S.Shur, M. Silver, S. R. Ovshinsky // J. Appl. Phys. – 1980. – vol. 51 (6).
– P.3289.66. Цэндина, К.Д. Электронные явления в халькогенидных стеклообразныхполупроводниках / К.Д. Цэндина // СПб.: Наука, 1996, – 485 с.67. Ielmini, D. Threshold switching mechanism by high-field energy gain in thehopping transport of chalcogenide glasses / D.
Ielmini. // Phys. Rev. B. –2008. – vol. 78. – 035308.68. Советский энциклопедический словарь / Под ред. А.М.Прохорова. —М.:Советская энциклопедия. — 1983. — 693 с.69. Коломиец,Б.Т. К вопросу оролипримесив проводимостистеклообразных полупроводников / Б.Т. Коломиец, Т.Ф. Назарова //ФТТ. – 1959. - Т.
1. № 1. С. 2—6.70. Вихров, С.П. Инверсия типа проводимости и транспортные свойстванеупорядоченных халькогенидных полупроводников / С.П. Вихров //Дисс. докт. физ.-мат. наук: Рязань, 1987. 500 с.71. Данилов, А В. Электропроводность системы AsSe-Cu в стеклообразномсостоянии / А В. Данилов, Р. Л. Мюллер // ЖПХ. 1962. Т. 35,. вып. 9. С.2012—2016.15572.
Kolomiets, В. Т. Influence copper and silver on conductivity and photo-electricproperties glassy selenide arsenic / В. Т. Kolomiets, Yu. V. Rukhlyadev, V. P.Shilo. // J. Non-Cryst. Solids. - 1971. - Vol. 5. N.5.- P. 389—401.73. Fraser, M. I. The electronic properties of glasses in the Cux(As0.4Se0.6)100−xsystem with x between 5 and 30 / M. I. Fraser, A, E.
