Electronic_technician[1] (Шпоры по Созинову), страница 2

Дырки и свободные электроны, образующиеся в результате генерации носителейзаряда, называются собственными носителями заряда, а проводимость полупроводника за счётсобственных носителей заряда называется собственной проводимостью проводника.2) Примесная проводимость проводников.Так как у полупроводников i-типа проводимость существенно зависит от внешних условий, вполупроводниковых приборах применяются примесные полупроводники.SiSi+-РSiSiРис. 10Если в полупроводник ввести пятивалентную примесь, то 4 валентных электрона восстанавливают ковалентные связи с атомами полупроводника, а пятый электрон остаётся свободным.За счёт этого концентрация свободных электронов будет превышать концентрацию дырок.Примесь, за счёт которой ni>pi, называется донорной примесью.Полупроводник, у которого ni>pi, называется полупроводником с электронным типомпроводимости, или полупроводником n-типа.В полупроводнике n-типа электроны называются основными носителями заряда, а дырки – неосновными носителями заряда.SiSi+В+SiSiРис.

11При введении трёхвалентной примеси три её валентных электрона восстанавливают ковалентную связь с атомами полупроводника, а четвёртая ковалентная связь оказывается не восстановленной, т. е. имеет место дырка. В результате этого концентрация дырок будет больше концентрации электронов.Е. А. Москатов. Стр.

8Примесь, при которой pi>ni, называется акцепторной примесью.Полупроводник, у которого pi>ni, называется полупроводником с дырочным типомпроводимости, или полупроводником p-типа.В полупроводнике p-типа дырки называются основными носителями заряда, а электроны – неосновными носителями заряда.Реальное количество примесей в полупроводнике составляет примерно 1015 1/см3.3) Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках.Дрейфовый ток в полупроводнике – это ток, возникающий за счёт приложенного электрического поля.

При этом электроны движутся навстречу линиям напряжённости поля, а дырки –по направлению линий напряжённости поля. Диффузионный ток – это ток, возникающий из-занеравномерной концентрации носителей заряда.n2>n1. n2-n1=Δn.En2n1xРис. 12Отношениеnx– это градиент неравномерности концентрации примесей. Величина диф-фузионного тока будет определяться градиентом неравномерностиnIn.диф=e⋅Dn⋅,xpIp.диф=−e⋅Dp⋅,xnxи будет составлятьгде Dp и Dn – коэффициенты диффузии.Электронно-дырочный (p-n) переход1) Образование электронно-дырочного перехода2) Прямое и обратное включение p-n перехода3) Свойства p-n перехода1) Образование электронно-дырочного перехода. Ввиду неравномерной концентрации на границе раздела p и n полупроводника возникает диффузионный ток, за счёт которого электроны из n-области переходят в p-область, а на их месте остаются некомпенсированные заряды положительных ионов донорной примеси. Электроны, приходящие в pобласть, рекомбинируют с дырками, и возникают некомпенсированные заряды отрицательных ионов акцепторной примеси.

Ширина p-n перехода – десятые доли микрона. На границе раздела возникает внутреннее электрическое поле p-n перехода, которое будет тормозящим для основных носителей заряда и будет их отбрасывать от границы раздела.Е. А. Москатов. Стр. 9nРSiSiВSi-+SiSi-SiSi+РSiРис. 13Для неосновных носителей заряда поле будет ускоряющим и будет переносить их в область,где они будут основными. Максимум напряжённости электрического поля – на границе раздела.+-p-++++++nExкxРис.

14Распределение потенциала по ширине полупроводника называется потенциальной диаграммой. Разность потенциалов на p-n переходе называется контактной разностью потенциаловили потенциальным барьером. Для того, чтобы основной носитель заряда смог преодолеть p-nпереход, его энергия должна быть достаточной для преодоления потенциального барьера.2) Прямое и обратное включение p-n перехода.Приложим внешнее напряжение плюсом к p-области. Внешнее электрическое поле направлено навстречу внутреннему полю p-n перехода, что приводит к уменьшению потенциальногобарьера. Основные носители зарядов легко смогут преодолеть потенциальный барьер, и поэтому через p-n переход будет протекать сравнительно большой ток, вызванный основными носителями заряда.Е. А.

Москатов. Стр. 10E в н.p+++++-E p -n.npxnx xР ис . 1 5E p -n.ккк+++++к-E в н. x'Р ис . 1 6Такое включение p-n перехода называется прямым, и ток через p-n переход, вызванныйосновными носителями заряда, также называется прямым током. Считается, что при прямомвключении p-n переход открыт.

Если подключить внешнее напряжение минусом на p-область,а плюсом на n-область, то возникает внешнее электрическое поле, линии напряжённости которого совпадают с внутренним полем p-n перехода. В результате это приведёт к увеличению потенциального барьера и ширины p-n перехода. Основные носители заряда не смогут преодолеть p-n переход, и считается, что p-n переход закрыт. Оба поля – и внутреннее и внешнее - являются ускоряющими для неосновных носителей заряда, поэтому неосновные носители зарядабудут проходить через p-n переход, образуя очень маленький ток, который называется обратным током.

Такое включение p-n перехода также называется обратным.3) Свойства p-n перехода. К основным свойствам p-n перехода относятся:свойство односторонней проводимости;температурные свойства p-n перехода;частотные свойства p-n перехода;пробой p-n перехода.Свойство односторонней проводимости p-n перехода нетрудно рассмотреть на вольтампернойхарактеристике. Вольтамперной характеристикой (ВАХ) называется графически выраженнаязависимость величины протекающего через p-n переход тока от величины приложенногонапряжения.

I=f(U).Будем считать прямое напряжение положительным, обратное – отрицательным. Ток через p-nпереход может быть определён следующим образом:e '⋅U,I = I 0 ⋅e k⋅T −1 где I0 – ток, вызванный прохождением собственных носителей заряда;e – основание натурального логарифма;e’ – заряд электрона;Т – температура;U – напряжение, приложенное к p-n переходу;k – постоянная Больцмана.При прямом включении:Е. А. Москатов.

Стр. 11e '⋅Uk⋅TIпр= I 0 ⋅e −1 e'=const=ck⋅TI = f U Iпр= I 0 ⋅e c⋅U −1 c⋅Ue ≫1Iпр= I 0 ⋅e c⋅UПри увеличении прямого напряжения прямой ток изменяется по экспоненциальному закону.При обратном включении:Iобр= I 0 ⋅e−c⋅U −1 e−c⋅U ≪1Iобр=−I 0t 2o>t1oUобрIоIпрUпрIобрРис. 17Так как величина обратного тока во много раз меньше, чем прямого, то обратным током можно пренебречь и считать, что p-n переход проводит ток только в одну сторону.Температурное свойство p-n перехода показывает, как изменяется работа p-n перехода при изменении температуры. На p-n переход в значительной степени влияет нагрев, в очень малойстепени – охлаждение.

При увеличении температуры увеличивается термогенерация носителей заряда, что приводит к увеличению как прямого, так и обратного тока.Частотные свойства p-n перехода показывают, как работает p-n переход при подаче на негопеременного напряжения высокой частоты. Частотные свойства p-n перехода определяютсядвумя видами ёмкости перехода.-+++Sp-nnPХРис. 18Первый вид ёмкости – это ёмкость, обусловленная неподвижными зарядами ионов донорнойи акцепторной примеси. Она называется зарядной, или барьерной ёмкостью.ε⋅ε ⋅SC= 0dε⋅ε 0⋅Sp−nC=xЕ. А.

Москатов. Стр. 12Второй тип ёмкости – это диффузионная ёмкость, обусловленная диффузией подвижных носителей заряда через p-n переход при прямом включении.QCдиф=UnpQ – суммарный заряд, протекающий через p-n переход.RiСiCp-n = Cбарьерн.+Сдиф.Рис. 19Ri – внутреннее сопротивление p-n перехода.Ri очень мало при прямом включении [Ri = (n∙1 ÷ n∙10) Ом] и будет велико при обратномвключении [Riобр = (n∙100 кОм ÷ n∙1 МОм)].1x c=⋅cU++tРис.

20Если на p-n переход подавать переменное напряжение, то ёмкостное сопротивление p-n перехода будет уменьшаться с увеличением частоты, и при некоторых больших частотах ёмкостное сопротивление может сравняться с внутренним сопротивлением p-n перехода при прямом включении. В этом случае при обратном включении через эту ёмкость потечёт достаточнобольшой обратный ток, и p-n переход потеряет свойство односторонней проводимости.Вывод: чем меньше величина ёмкости p-n перехода, тем на более высоких частотах он можетработать.На частотные свойства основное влияние оказывает барьерная ёмкость, т.

к. диффузионнаяёмкость имеет место при прямом включении, когда внутреннее сопротивление p-n переходамало.Пробой p-n перехода. Iобр = - IoIоIпрUпрUобрУч ас т окэ лек т р и ч е с к о гоп р обо яУч ас т окт е п ло в о гоп р о бо яIобрР ис. 21При увеличении обратного напряжения энергия электрического поля становится достаточнойдля генерации носителей заряда. Это приводит к сильному увеличению обратного тока.Явление сильного увеличения обратного тока при определённом обратном напряжении называется электрическим пробоем p-n перехода.Е. А. Москатов. Стр. 13Электрический пробой – это обратимый пробой, т.