Electronic_technician[1] (Шпоры по Созинову), страница 14

к. сопротивление эмиттерного перехода rэ очень сильно зависит от температуры. Несколько лучше работает схема с фиксированным напряжением базы.2) Питание цепи базы транзистора по схеме с фиксированным напряжениембазы.Rб'+Eк-RкCр2+Eк-Rб'Cр1VT1Uv1Rб''Рис. 223UвыхRб''rэРис. 224В данной схеме делитель напряжения состоит из резистора Rб` и Rб``, включённого параллельно сопротивлению эмиттерного перехода rэ.Eк = URб` + URб``;URб` = Rб` ∙ (Iб0 ∙ Iд);Iд – ток, проходящий через делитель напряжения.URб`` = Uбэ;Eк = Rб` ∙ (Iб0 ∙ Iд) + Uбэ;Eк−Uбэ ;Rб ' =Iб0 IдEк >> Uбэ;Iд = (3 - 5) ∙ Iб0;Uбэ = Iд ∙ Rб``;UбэRб ' ' =IдНапряжение Uбэ находится из входной характеристики транзистора по заданному току базы.Данная схема в диапазоне температур работает лучше, чем схема с фиксированным токомбазы, однако для нормальной её работы необходима температурная стабилизация.3) Температурная стабилизация (термостабилизация) рабочей точки припомощи терморезистора и полупроводникового диода.При нагревании рабочая точка смещается по нагрузочной прямой, что приводит к увеличениюколлекторного тока Iк и уменьшению напряжения Uкэ (смотрите рисунок 225).

Это равносильно приоткрыванию транзистора. Поэтому основной задачей температурной стабилизации яв-Е. А. Москатов. Стр. 85ляется синхронная с увеличением температуры при закрывании эмиттерного перехода транзистора температурная стабилизация при помощи терморезистора (смотрите рисунок 226).Iк+Eк-+Rб'RкRб'EкRкIк'IкCр2Cр2Cр1Uv1 Rб''Cр1Uv1 Rб''VT1UвыхRtVT1VD1UвыхTE к UкэР ис. 2 25Рис.

226Рис. 227При нагревании сопротивление терморезистора уменьшается, что приводит к общему уменьшению сопротивления включённых в параллель резисторов Rб`` и Rt. За счёт этого напряжение Uбэ будет уменьшаться, эмиттерный переход подзапираться, и рабочая точка сохраняетсвоё положение на нагрузочной прямой.Аналогичным образом происходит термостабилизация рабочей точки полупроводниковымдиодом (смотрите рисунок 227).При увеличении температуры сопротивление диодов в обратном включении будет уменьшаться за счёт термогенерации носителей заряда в полупроводнике. Общее сопротивлениевключённых параллельно резистора Rб`` и диода VD1 будет уменьшаться, что приведёт куменьшению напряжения Uбэ, транзистор подзапирается и рабочая точка сохраняет своё положение.Недостатком схем с терморезистором и полупроводниковым диодом является то, что и терморезистор, и полупроводниковый диод должны подбираться по своим температурным свойствам для каждого конкретного транзистора.

Поэтому наиболее часто применяют схемы температурной стабилизации отрицательной обратной связью (ООС) по постоянному току инапряжению.4) Термостабилизация рабочей точки при помощи отрицательной обратнойсвязи (ООС) по постоянному напряжению.Применяется этот вид термостабилизации при питании цепи базы с фиксированным током базы. В этом случае резистор Rб подключается не к плюсу ИП, а к коллектору транзистора.Пользуясь уравнениями Кирхгофа, получим:Uкэ = URб + Uбэ;Uбэ ↓ = Uкэ ↓ - URб так как URб = Const;+Eк-RкRбCр1Uv1Cр2URбVT1URбUкэ UвыхРис. 228При увеличении температуры напряжение Uкэ уменьшается. Это уменьшение напряжения через цепь обратной связи (ОС), состоящую из Rб, передаётся на базу транзистора.

НапряжениеUбэ уменьшается. Эмиттерный переход подзапирается, и рабочая точка сохраняет своё положение.Е. А. Москатов. Стр. 865) Термостабилизация рабочей точки при помощи ООС по постоянному току.+Rб'RкEкCр2Cр1Uv1VT1URб''UбэRб''UвыхRэURэ+ Cэ-Рис. 229Термостабилизация рабочей точки при помощи ООС по постоянному току применяется припитании цепи базы по схеме с «фиксированным напряжением базы». При возрастании температуры увеличивается ток коллектора транзистора Iк, следовательно, и ток эмиттера Iэ.

За счётэтого URбэ будет уменьшаться.Uбэ ↑ = URб`` - URэ ↑ так как URб`` = Const;Эмиттерный переход подзапирается, и рабочая точка (РТ) сохраняет своё положение. Так какизменение напряжения на Rэ должно зависеть только от изменения температуры и не изменяться по закону переменной составляющей усиливаемого сигнала, резистор Rэ шунтируетсяконденсатором большой ёмкости, через который будет протекать переменная составляющая, ачерез Rэ будет протекать постоянная составляющая тока.1 Rэ .Величину ёмкости выбирают из условиян  cэОбратная связь в усилителе1) Виды обратной связи.2) Влияние ООС на основные показатели усилителя.1) Виды обратной связи.

Обратной связью в усилителе (в целом) или же в отдельно взятом каскаде называется такая связь между входом и выходом, при которой часть энергии усиленного сигнала с выхода передаётся на вход.По способу своего возникновения обратная связь может быть внутренней, паразитной и искусственной.Внутренняя ОС возникает за счёт внутренних свойств элементов схемы. Паразитная ОС возникает за счёт паразитных ёмкостей и индуктивностей. Стараются внутреннюю паразитнуюобратную связь возможно сильнее уменьшить.Искусственная ОС вводится специально для улучшения основных характеристик усилителя.По признаку петлевого усиления различают положительную ОС (ПОС) и ООС. При ПОС сигнал на вход усилителя через цепь ОС поступает в фазе со входным сигналом.

При ООС сигнал, проходя цепь ОС, будет подаваться в противофазе с входным сигналом. В усилителях, восновном, применяется ООС; ПОС применяется в генераторах.В зависимости от того, каким образом цепь ОС подключается к выходу усилителя, различаютОС по току и по напряжению.В зависимости от того, каким образом цепь ОС подключается к выходу усилителя, различаютпараллельную и последовательную ОС усилителя.Параллельная ОС изображена на рисунке 231, а последовательная – на рисунке 232.Е. А. Москатов. Стр. 87UвхZнRосUвхРис.

231Рис. 230Рис. 232β – коэффициент передачи цепи ОС.Uвых.ocUвх.ocПоскольку в усилителях цепь ОС состоит, в основном, из пассивных элементов, то β обычноменьше 1. В зависимости от того, будет ли изменяться β от частоты, различают частотозависимую и частотонезависимую ОС.2) Влияние ООС на основные показатели усилителя.Рассмотрим влияние ООС на работу усилителя на примере последовательной ОС по напряжению.UвхUвыхRнU1UвыхОСUвхОСРис. 233Uвых - коэффициент усиления усилителя без обратной связи.UвхU вых - это коэффициент усиления усилителя с ОС.Кос U1Uвых.oс Uвых.oc(1)Uвх.ocUвых.UвыхUвыхКoc ( 2)U1Uвых.oc  UвхИз формулы (1) видно, что Uвых.ос будет равняться β, умноженному на Uвых и подставленному в формулу (2).UвыхКос Uвх   UвыхВ знаменателе последней формулы вынесем Uвых за скобку:UвыхКос UвыхU вх 1   UвхККос (1    К )Величина (1+β ∙ К) называется глубиной обратной связи.Вывод: последняя формула показывает то, что ООС уменьшает коэффициент усиления усилителя.Для положительной ОС:ККпос (1    К )K=Е.

А. Москатов. Стр. 88Кроме того, что введение ООС уменьшает коэффициент усиления усилителя, все остальныетехнические показатели улучшаются. Увеличивается полоса пропускания, уменьшаются нелинейные и частотные искажения, несколько возрастает входное сопротивление.Режимы работыусилительных элементов1) Понятие о проходной динамической характеристике.2) Режим работы класса А.3) Режим работы класса В.4) Режим работы класса АВ.5) Режим работы класса С.6) Режим работы класса D.1) Понятие о проходной динамической характеристике. Режимы работы усилительных элементов определяются положением рабочей точки на проходной динамической характеристике. Проходной динамической характеристикой называется зависимость выходноготока от входного напряжения.

Для транзистора, включённого по схеме с ОЭ, зависимость будет Iк = f (Uбэ). Проходная динамическая характеристика может быть построена по входной ивыходной характеристикам транзистора. Iк = f (Uб).IкIкнIкIкнIк4Iк3Iк2Iк14Iб4IбIб3Iб4Iб334'Iк4Uвх>03'Iк34'3'2'Iк22Iб2Iб21 Iб1Iб12'1'Eк UвхIк11'UбэРис.

234UвхРис. 2352) Режим работы класса А. В режиме работы класса А рабочая точка устанавливается налинейном участке проходной динамической характеристики. Для этого между базой и эмиттером транзистора при помощи одной из схем питания цепи базы необходимо создать постоянную составляющую напряжения, которая называется величиной напряжения смещения.При отсутствии переменной составляющей усиливаемого сигнала рабочая точка называетсярабочей точкой покоя.Рассмотрим рисунок 236. До момента времени t1 переменная составляющая входного сигналаотсутствует, и под действием величины Eсм в коллекторной цепи транзистора будет протекатьпостоянная составляющая коллекторного тока, которая называется током покоя.Режим работы класса А характеризуется минимальными нелинейными искажениями, т. к.усилительный элемент работает на линейном участке характеристики.Недостатком режима класса А является низкий КПД.

η = (25 – 30 %).Это объясняется тем, что энергия от источника питания затрачивается не только на усилениепеременной составляющей, но и на создание постоянной составляющей Iо, которая являетсябесполезной и в дальнейшем отсеивается разделительным конденсатором.Режим класса А применяется, в основном, в предварительных каскадах усиления.Е. А.