4 (Технология изготовления прецизионных коммутационных плат на кремниевом основании)
Описание файла
Файл "4" внутри архива находится в папке "Технология изготовления прецизионных коммутационных плат на кремниевом основании". PDF-файл из архива "Технология изготовления прецизионных коммутационных плат на кремниевом основании", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электронные технологии (мт-11)" из 7 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "курсовые/домашние работы", в предмете "элионные технологии или тио" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
Составление математических моделей.Схема:Планирование эксперимента:Номер12345678X011111111Математическое описание распределения толщины пленки на подложкеот магнетронного распыления, в оборудовании карусельного типа.X1 X2 X3 X1X2 X1X3 X2X3 X1X2X3-1-1-1111-1-1-111-1-11-11-1-11-11-111-1-11-11-1-1-1-1111-11-11-1-111-11-1-1-11111111Полный факторный эксперимент.Формула:Экспериментальные данные:Номер12345678Температура Соотношение Ток смещения(с)(O/O+Ar)на подложке252525253003003003000,150,150,30,30,150,150,30,30150015001500150Скоростьосаждения(нм/мин)6,365,621,651,056,055,071,540,84,гдеПоле пробояCоотношение(МВ/см)кислорода в SiO21,611,153,1435,135,615,435,561,661,771,751,861,93222Разнотолщинность пленки:Поверхность модели:Изометрия- ф-ция распределения коррозии;n - коэффициентнт полученныйэкспериментально (n = 0.7);θ - угол между нормалью и прямойот источника до подложки;R - расстояние от центра до точкина источнике;С - расстояние от источника доподложки в иследуеммой точке;Ф - угол поворота карусели.xOyПолученные математические модели:%yOzxOzПри параметрах установки:Расстояние от оси вращения до подложки = 64 мм.Растояние от оси вращения до магнетрона = 210 мм.Размеры подложки = 60х48 мм.Результат:Не равномерность покрытия* < 4,6%.