2 (Технология изготовления прецизионных коммутационных плат на кремниевом основании)

Технологический маршрут изготовления прецизионных коммутационных плат1) Кремниевая подложка (Si)6) Осаждение стоп-слоя Si3N416) Напыление слоя затравки Cu11) Травление слоя Si3N4Оборудование:МВУ ТМ МагнаОборудование: Плазма ТМ-200Плазма ФОборудование:МВУ ТМ МагнаПараметры:Параметры:Параметры:Параметры:Диаметр = 100 ммТолщина = 0.5 ммШероховатость Rz = 0.05 мкмТолщина = 0.2 мкмДавление = 0.2 ПаМощность источника = 1 кВтВремя напыления = 6 мин8 подложек в одном вак. циклеСкорость травления = 1 мкм/минНеравномерность травления +2%Время травления = 15 секТолщина = 0.3 мкмДавление = 0.2 ПаМощность источника = 1 кВтВремя напыления = 6 мин8 подложек в одном вак. цикле7) Осаждение слоя диэлектрика SiO2 дляпроводников 2-го слоя2) Резка пластины12) Нанесение фоторезиста17) Электроосаждение меди до заполненияокон межсоединений и проводниковОборудование: RAD-2500m/8Disco DAD321Оборудование:МВУ ТМ МагнаОборудование: SUSS Gammacluster system with AltaSprayОборудование:Mini Plating Plant 3Параметры:Параметры:Параметры:Параметры:Габариты: 60x48x0.5 ммСкорость резки (X) = 0.1 - 300 мм/сШаг (Y) = 0.2 мкмТочность позиционирования (Y) = 5 мкмТолщина = 6 мкмДавление = 0.2 ПаМощность источника = 1 кВтВремя напыления = 2 час8 подложек в одном вак.

циклеТолщина слоя = 30 мкмЧисло проходов сопла = 6Время нанесени = 6 мин/подложкаМощность = 1000 ВтТолщина = 40 мкмСкорость осаждения = 40 мкм/часВремя осаждения = 1 час3) Формирование слоя диэлектрика (SiO2)8) Нанесение фоторезистаТемпература сушки = 70 град.Время сушки = 30 мин.13) Формирование окон для проводников18) Планарезация слоя металла до уровня SiO2Оборудование:МВУ ТМ МагнаОборудование: SUSS Gammacluster system with AltaSprayОборудование: SUSS MA6/BA6PCB 500SОборудование:Disco DFS8910Параметры:Параметры:Параметры:Параметры:Толщина = 1.5 мкмДавление = 0.2 ПаМощность источника = 1 кВтВремя напыления = 30 мин8 подложек в одном вак.

циклеТолщина слоя = 10 мкмЧисло проходов сопла = 2Время нанесени = 2 мин/подложкаСовмещение с точностью 0.5 мкмВремя задубливания = 30 сек.Шероховатостьсть Ra = 0.02 мкмТочность менее 2 мкм4) Создание пассивной элементной базы потонкопленочной тех. и проводников 1-го слояВремя проявки = 5 минТемпература сушки = 70 град.Время сушки = 10 мин.9) Формирование окон для межсоединений14) Травление SiO2 до стоп-слоя Si3N4 - окондля проводников и межсоединений19) Формирование паяльной маскиОборудование:Оборудование: SUSS MA6/BA6PCB 500S- Напыление тонкой пленки материала- Формирование защитного слоя- Ионно-плазменное травлениеОборудование:Плазма ТМ-200Оборудование:Mega Electronics AY315Параметры:Параметры:Параметры:Совмещение с точностью 0.5 мкмВремя задубливания = 10 сек.Скорость травления = 1 мкм/минНеравномерность травления +2%Время травления = 20 минТолщина паяльной маски = 25 мкмМатериал DuPont 75-15Длина волны экспонирования = 365 нмВремя проявки = 7 минутВремя проявки = 20 сек.Температура = 20 - 25 С5) Осаждние толстого слоя диэлектрикаSiO2 для межсоединений10) Травление SiO2 до стоп-слоя Si3N415) Напыление адгезионного слоя Ta20) Формирование финишного покрытияиз золотаОборудование:МВУ ТМ МагнаОборудование:Плазма ТМ-200Оборудование:МВУ ТМ МагнаОборудование:Mini Plating Plant 3Параметры:Параметры:Параметры:Параметры:Толщина = 50 мкмДавление = 0.2 ПаМощность источника = 1 кВтВремя напыления = 12 часов8 подложек в одном вак.

циклеСкорость травления = 60 нм/минНеравномерность травления +2%Время травления = 100 минТолщина = 0.1 мкмДавление = 0.2 ПаМощность источника = 1 кВтВремя напыления = 2 мин8 подложек в одном вак. циклеМощность = 1000 ВтТолщина = 25 мкмСкорость осаждения = 25 мкм/часВремя осаждения = 1 час.