1 (Технология изготовления прецизионных коммутационных плат на кремниевом основании)
Описание файла
Файл "1" внутри архива находится в папке "Технология изготовления прецизионных коммутационных плат на кремниевом основании". PDF-файл из архива "Технология изготовления прецизионных коммутационных плат на кремниевом основании", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электронные технологии (мт-11)" из 7 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "курсовые/домашние работы", в предмете "элионные технологии или тио" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
Технологический анализ прецизионных коммутационных платВнешний вид прецизионных коммутационных платВид сверху, без изоляции и паяльной маски.8910Анализ материалов1. Индуктивный эл-тv№Элементu12. Межсоединениеy2.1wКоммутационный слой(проводники)рис. 4Межслойное соединениерис. 2b1Керамика Al2O3Керамика AlNКремнийПоликорSiCBNМедьАлюминийНикельХромЗолотоW, Вт/м ·К40023891943183. Уровни металлизации2.26РазмерыХарактеристикиε9.5 - 11.58.8 - 10.011.6 - 11.99.84.04.0 - 4.1ПодложкаtxМатериалW, Вт/м ·К20 - 40100 - 260130 - 1503065 - 7560(минимальные)ТКР, 10-6/Kρ, Ом·м126.7 - 8.8102.65 - 4.510112.0 - 3.80.1 - 15· 1036.7 - 7.610153.0 - 3.8—0.1—ТКР, 10-6/K16.623.6 - 23.813514 - 17ρ, Ом·м0.016 - 0.0170.027 - 0.0280.06 - 0.070.14 - 0.180.022tgδ· 10-40.3 - 0.85 - 10—25004a = 60 ммb = 48 ммc = 0.5 ммТпл, Кd = 5 - 10 мкмe1 = 20 мкмe2 = 20 мкм1356933172821631336x = 75 мкмy = 50 мкмw = 30 мкмw/x = 1 ...
1/3Тонкопленочный индуктивныйэлементрис. 1f2t = 20 мкмv = 20 мкмu = 1 ... 1000 (количество витков)2.35L = 0,064∙u5/3∙(D + d)∙ln[8 (D + d)/(D - d)],где D = 2u∙(t + y), d = y4. Проводник / зазор3.12a3d4e22-ой слойметаллизации1-ый слойметаллизации4.1lk14.26. Резестивный эл-тсИзоляцияe1mf2ВыводыhПодложка7. Выводы БИС5.1igИзометрия.8. Конденсатор5.2sz1z3Внешний видВид безмежслойной изоляцииrz29.
Конт-ные площадкиДуокись кремнияSiO2SU8Изоляция подложкиДуокись кремнияSiO23.25. Резистивный эл-тk2Вид сбоку, с прозрачной изоляцией и паяльной маской.Межслойная изоляциярис. 3Тонкопленочный резистивныйХромэлементТанталрис. 6Прямоугольный резистивныйэлементрис. 5Плонарный конденсаторрис. 10SiO2SiOGeOТонкопленочный конденсатор Al2O3Ta2O5рис. 8TiO2Sb2S3Выводырис. 7610. КонденсаторpofTaNНихромМЛТ - 3МPC 4800PC 5400W, Вт/м ·К1.00.23.93.2ТКР, 10-6/K20 - 5052ρ, Ом·м1.8·10177.8·1016f2 = 50 мкмf1 =1.3 ... 1.7 мкмТКС αR, 104/град0,6 - 1,8-121+/- 10.620.5Ra, Ом/м50 - 50025 - 10050 - 50025 - 30050 - 500100 -10005 - 100Po, Вт /см2X·Rст, %1332252210.21+/- 0.511i = 150 мкмh = 50 мкмg = 50 мкмR = (ρ ∙ g) / (h ∙ j)k1 = 100 мкмk2 = 100 мкмl = 50 мкмm = 50 мкмR = Rпл ∙((2l+2k2) ∙k1)/(l+m))ε,EПР ·10–6, tgδ · 10–3, Сo ·10–3,ТКЕ·104, 1/град f = 80 мкмf = 1 КГцВ/смпФ/смпФ/см2T = –60 ÷ + 85 °C o = 20 мкм410—202p = 20 мкм6-810 - 121021 - 2730 - 10018 - 211-20.5 - 0.8950.240.3 - 0.5W, Вт/м ·КЗолотоСвинецИндийОлово317358267ТанталТитанВанадийХромW, Вт/м ·К6313 - 2130.794Адгезионный слой7ε1-25-70.3 - 1.510264 - 105 - 105 - 2030 - 8010010 - 1001.0 - 1.51-23-51.5 - 5.02-335ТКР, 10-6/K1428.516.216.0 - 31.4ТКР, 10-6/K6.69.210.65ρ, Ом·м0.001240.4424 · 10-80.14 - 0.18s = 20 мкмr = 0.5 мкмC = ε∙εo∙s2 / rρ, Ом·м0.0220.190.0820.11Толщинна = 0.5 ммТпл, К3290193321602163z1= 50 мкмz2 = 50 мкмz3 = 50 мкмТолщина слоя = 100 нм.