4 (Технология изготовления микрокоммутационных плат с тонкопленочными резистивными элементами)
Описание файла
Файл "4" внутри архива находится в папке "Технология изготовления микрокоммутационных плат с тонкопленочными резистивными элементами". PDF-файл из архива "Технология изготовления микрокоммутационных плат с тонкопленочными резистивными элементами", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электронные технологии (мт-11)" из 7 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "курсовые/домашние работы", в предмете "элионные технологии или тио" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
Технологический процесс изготовления микрокоммутационной платы1.Нанесение тонкопленочного покрытия(дляформирования резистивных элементов)Вакуумная установкаэлектронно-лучевого нанесенияТолщина 20 мкмСкорость нанесения 30 нм/сВремя(с учетом откачки)-10 мин(30)+1 а. Отжиг в печиВремя 10 минЕТ=40 мин5. Нанесение изоляционного слоя SiO2Установка осаждения из газовой фазыВремя 15 мин2. Нанесение тонкопленочного покрытия(для формирования контактных площадокрезистивных элементов)Установка магнетронного напыленияТолщина 10 мкмСкорость нанесения 30 нм/сВремя (с учетом откачки) 5 мин(15)3. Формирование контактных площадокрезистивных элементовSi-CARL процессВремя 55 мин4..
Формирование резистивных элементовSi-CARL-процессВремя 55 мин6. Нанесение тонкопленочногопокрытия(адгезионного слоя)Установка с несколькими магнетронамиТолщина Cr 20 нмСкорость нанесения 30 нм/сВремя (с учетом откачки) 1 мин(20)7.
Нанесение тонкопленочного покрытия(дляформирования первого слоя металлизацииУстановка с несколькими магнетронамиТолщина Cu 10 мкмСкорость нанесения 30 нм/сВремя (с учетом откачки) 10 мин(вакуум)8. Формирование первого слоя металлизацииSi-CARL процессВремя 55 мин9. Нанесение изоляционного слоя SiO2Установка осаждения из газовой фазыВремя 15 мин10. Формирование межслойных переходовВремя 90 мин11.
Нанесение тонкопленочногопокрытия(адгезионного слоя)Установка с несколькими магнетронамиТолщина Cr 20 нмСкорость нанесения 30 нм/сВремя (с учетом откачки)1 мин(20)12. Нанесение тонкопленочного покрытия(дляформирования первого слоя металлизацииУстановка с несколькими магнетронамиТолщина Cu 10 мкмСкорость нанесения 30 нм/сВремя (с учетом откачки)10 мин(вакуум)13. Формирование второго слоя металлизации итокопленочных элементовSi-CARL процессВремя 55 мин14.
Нанесение изоляционного слоя SiO2Установка осаждения из газовой фазыВремя 15 мин15. Формирование отверстий для межслойныхпереходов, проводников, контактных площадок16. Нанесение тонкопленочного покрытия(адгезионногослоя) и слоя затравки медиУстановка с несколькими магнетронамиТолщина Cr 20 нмТолщина Cu 80 нмСкорость нанесения 30 нм/сВремя (с учетом откачки)3 мин(23)17. Электроосаждение меди до заполненияокон межсоединений и проводниковУстановка гальванического наращиванияТолщина = 10 мкмСкорость осаждения = 40 мкм/часВремя осаждения = 25 мин18.
Планарезация слоя металла до уровня SiO2 19. Формирование и проявка паяльной маскиУстановка химико-механической планаризации Установка нанесения распылением(спрей)Время = 10 минУстановка экспонированияВремя = 20 минКонтрольУстановка экспанированияУстановка ионно-химического травленияВремя 50 минВходнойПромежуточныйПервый этап - материалы УдельногоВторой этап-оборудование сопротивления17.
Финишное электроосаждение золотаУстановка гальванического наращиванияТолщина = 25 мкмСкорость осаждения = 25 мкм/часВремя осаждения = 60 минВыходнойАдгезииПромежуточныхразмеровВнешний видГабаритыЭлектрические характеристикиАдгезия контактных площадок.
