3 (Технология изготовления микрокоммутационных плат с тонкопленочными резистивными элементами)

Методы формирования тонкопленочных покрытийСкорость осаждения,нм/сЭнергия осаждаемыхчастицРабочее давление, ПаУдельная мощность,рассеиваемая наподложке, Вт/см^2Нагрев подложки впроцессе осаждения, КЭлектронно-лучевое осаждениеМагнетронное осаждениеПодложкаЭлектроннолучевое осаждение10-6010-600,2-100,1-0,210^-40,05-0,50,11До 770До 370Построение математической моделинанесения адгезионного слоя хрома на полиимидПолный факторный экспериментX2X1 X2+ArЗона плазмы+ArEТонкая пленкаee-e e- e e- ee-+--+9121011ee- ee- e-2++-–182122203+-+-19202021eee- e-4++++29313132e- ee- ee-МишеньТигельSNS1+Ar+ArТонкая пленкаH 2ONH 2ONNNSSH 2OH 2OeКорпусeМагнитная системаМагнитная системаВодяное охлаждениеe-ee-e ee-e- eИспаряемоевеществоe-ee-e-КатодПлан экспериментаЭнергия,[кВт], Х1УровеньПоток газа,[сксм],Х2eВодяное охлаждениеДостоинства:+Универсальность+Регулируемая скорость осаждения.+Относительно простая конструкция+Низкие температуры процессов+Сохранение стехиометрии+Длительный ресурс мишеней;+Хорошая адгезия пленок;+Однородность пленок по толщинемишень в различных положениях.Недостатки:-Невысокий коэф.

использования мишени-Поток высокоэнергетических электронов-Поток отраженных ионов аргона-Высокое давление рабочего газаДостоинства:+Испарение тугоплавких материалов;+Капельная фаза практически отсутствует;+Возможно сканирование потока электронов+Получение химически чистых покрытийНедостатки:-Дороговизна испарителя;-Высокое ускоряющее напряжение;-Относительно низкий КПД установок;-Вторичные электроны.y2y3y4ВерхнийНижнийВбезразмернойсистемекоординатуровнифакторов1,3215/60+10,6410/40-1yi10,50,6920,32,19200,5030,81,191-11G=max si2N2i.Точечный источникX1-1Расположение экспериментальных точек.| bj |tj =еsДисковый источникy1si2 ( y)e- e-SКорпусyX1ПодложкаX0Наиболее применимые методы для формированиятонкопленочных элементов и металлизацииМагнетронноеосаждение№ опытаХарактеристика2,19== 0,484,57s 2 (b j ) ,s2 ( y )s (bj ) == 7,14 Ч10-2 ,n ЧN2N2ii =1GКР(β = 0,05, N =4, n = 4) = 0,68,G < GКР, следовательно, эксперимент являетсявоспроизводимым.s 2 ( y) =еsi =1= 1,1425Nt0t1t2t1276,3019,2618,700,8976Nbj =еi=1 xij yiДисперсии адекватности:NNb0b1b2b1220,405,155,000,25Математическая модель:Профиль осаждаемой пленки в зависимостиот радиуса магнетрона a(ширина подложки)=60 мм, l=60 ммr=25мм, где r- радиус магнетронаr=50мм, где r- радиус магнетронаПрофиль осаждаемой пленки в зависимости отрасстояния между источником и подложкой (l)l=0.5a, где a- ширина подложкиl=a, где a- ширина подложкиl=2a, где a- ширина подложкиВывод: увеличение расстояния между подложкойи источником приводит к улучшению равномерности покрытия,Вывод: увеличение радиуса мишени приводит к улучшениюравномерности покрытия, но в то же время увеличивает стоимость.

но уменьшает скорость нанесения.2sад=ŷ1ŷ2е (yi- yˆi )2i =1N - a знŷ3ŷ410,25 20,55 20,25 30,55Полученнаямодельадекватнопредставляетрезультаты эксперимента.y = 20, 4 + 5,15 ЧX 1 +5 ЧX 2· Вывод:·Гипотеза об адекватности математической модели подтверждена·Факторы практически равнозначны·Их взаимодействие незначительно..