2 (Технология изготовления микрокоммутационных плат с тонкопленочными резистивными элементами)

«Одинарная» литографияПроцесс литографииТравлениеВакуумное осаждение тонкой пленкиВ вакуумной камере электроннолучевым испарениемСелективная или «двойная» литографияФотолитография по схеме «тендем-процесса»Ионное травлениеArδ≈0Вакуумное осаждение тонких пленокНанесение фоторезистаВ вакуумной камере электроннолучевым и магнетронным испарениемОчистка поверхностиНанесение центрифугированиемСушкаLmin=0,1 мкмdL=0,05 мкмv=0,1-1 нм/минВакуумное осаждение тонких пленокВ вакуумной камере электроннолучевым и магнетронным испарениемНанесение фоторезистаНанесение двухслойного фоторезистаОчистка поверхностиНанесение центрифугированиемСушкаЭкспонирование фоторезистаУльтрафиолетовое облучениев чистой комнате или в вакуумнойкамереОчистка поверхностиНанесение центрифугированиемСушкаХимическое травлениеCl, F, CF4δ=hЭкспонирование фоторезистаТравление металлаУльтрафиолетовое облучениев чистой комнате или в вакуумнойкамереИонно-химическое травление ввакуумной камереLmin=2,0 мкмdL=1,0 мкмv=10-10000 нм/минЭкспонирование фоторезистаТравление контактной площадкиУльтрафиолетовое облучениев чистой комнате или в вакуумнойкамереУдаление фоторезистаИонно-плазменное травление ввакуумной камереИонно-химическое травление ввакуумной камереОсаждение тонкой пленкиВ вакуумной камеремагнетронным методомУдаление фоторезистаИонно-плазменное травление ввакуумной камереНанесение фоторезистаИонно-химическое травление ввакуумной камереОчистка поверхностиНанесение центрифугированиемСушкаОчистка поверхностиНанесение центрифугированиемСушкаУдаление фоторезистаЭкспанирование фоторезистаЭкспонирование фоторезистаИонно-плазменное травление ввакуумной камереТравление контактной площадкиТравление резисторовТравление контактной площадкиУдаление фоторезистаУдаление фоторезистаЗначение параметра±0,010,10,1Перекрытие для совмещенияэлементов, выполняемых вразличных слоях, мм0,2Минимальное расстояние отпленочных элементов до краяплаты, мм0,50,30,1101000,10,050,10,22.

Экспонирование+проявлениефоторезиста(установка литографии)Проявка 4 минРаздубливание фоторезиста 6 минЕТ=10 минУдаление фоторезистаИонно-плазменное травление ввакуумной камереИонно-плазменное травление ввакуумной камереМетодфотолитографии±0,01Ионно-химическое травление ввакуумной камереИонно-химическое травление ввакуумной камереИонно-химическое травление ввакуумной камереТочность изготовлениялинейных размеров, ммМинимально допустимаяширина резистивногоэлемента, мм допустимаяМинимальнодлина резистивногоэлемента, мм допустимыйМаксимальнокоэффициент формыМинимальная ширинапленочных проводников, ммСтадии Si-CARL процесса1.

Нанесение фоторезистаОчистка поверхности(ванна) 5 минЦентрифугирование(центрифуга)5минСушка(Печь) 10 минЕТ=20 минУльтрафиолетовое облучениев чистой комнате или в вакуумнойкамереУльтрафиолетовое облучениев чистой комнате или в вакуумнойкамереМетодсвободноймаскиLmin=1,0 мкмdL=0,5 мкмv=1,0-1000 нм/минТравление резиста итонкопленочных элементовНанесение фоторезистаГеометрический параметрИонно-химическоетравлениеCl, Fδ=h/24.Жидкостное силилированиеХимическая реакция силоксанов(ванна)5 минТаблица сравнения методов литографииМетодЭкономиявремени-ТочностьНеобходимостьсовмещения дополнительногооборудования-ВозможностьИспользуемоетравления пооборудованиесхеме Si-CARL+5ОдинарнаялитографияДвойнаялитография«Тендем»процесс++-+5++++-65.Ионно-химическое травление(Вакуумная установкаионно-химического травления)10 мин6.Удаление фоторезиста(Вакуумная установка ионно-плазменного травления )10 минЕТ процесса = 55 мин.