Лаба_Ф-5 (Лабы М1, М2, М6 и Ф5)
Описание файла
Файл "Лаба_Ф-5" внутри архива находится в следующих папках: Лабы М1, М2, М6 и Ф5, Лабы. Документ из архива "Лабы М1, М2, М6 и Ф5", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "микроэлектроника" из 9 семестр (1 семестр магистратуры), которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "лабораторные работы", в предмете "микроэлектроника" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Лаба_Ф-5"
Текст из документа "Лаба_Ф-5"
ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ
МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ, ЭЛЕКТРОНИКИ И АВТОМАТИКИ
(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)
Лабораторная работа № Ф-5
Исследование характеристик оптронов
работу выполнил
группа
проверила: Руднева Н.К.
Москва 2011
Цель работы: Изучить принципы функционирования изделий функциональной оптики – оптронов исследование их характеристик.
Исследование пороговых характеристик светоизлучающих диодов на GaAs, GaP, SiC.
материал | GaAs | GaP | SiC |
Eg (эВ) | 1,35 | 2,3 | 2,8 |
I (мА) | - | 0,4 | 9 |
Цвет излучения | - | Красный | Желтый |
Вольтамперная характеристика излучающих диодов на GaAs, GaP, SiC.
1) GaAs
U (В) | 0,7 | 0,9 | 1 | 1,1 | 1,2 | 1,3 |
I (мА) | 0 | 0,5 | 1,2 | 2,5 | 3,5 | 15 |
2) GaP
U (В) | 1,4 | 1,5 | 1,6 | 1,7 | 1,8 |
I (мА) | 0,1 | 0,5 | 1,7 | 3, | 4,5 |
3) SiC
U (В) | 0,5 | 0,75 | 0,9 | 1,1 | 1,2 | 1,4 | 1,6 | 1,8 |
I (мА) | 0,1 | 0,5 | 1 | 1,5 | 2,3 | 3,2 | 4 | 7 |
Передаточная характеристика Iф = f(Uc) при Ic ≤ 15мА оптрона на GaAs излучателе.
Iс (мА) | 0,15 | 0,4 | 0,6 | 0,8 | 1,0 | 1,5 | 2 | 3 | 4 | 5 | 10 |
Iф (мА) | 1 | 6 | 10 | 15 | 23 | 33 | 40 | 65 | 90 | 120 | 200 |
Зависимость вентильного напряжения Uв = f(Iс) при Ic ≤ 15 мА и Rн = ∞.
Iс (мА) | 0,1 | 0,2 | 0,3 | 0,4 | 0,5 | 1 | 2 |
Uв (В) | 0,1 | 0,18 | 0,24 | 0,3 | 0,32 | 0,38 | 0,42 |
Зависимость Uв = f(Rн) для оптопары GaAs-Si при при Ic = 1 мА, 5 мА, 10 мА.
Rн (кОм) Ic (мА) | Rн = 1 кОм | Rн = 10 кОм | Rн = 100 кОм |
Ic = 1 мА | 0,08 В | 0,24 В | 0,38 В |
Ic = 5 мА | 0,32 В | 0,44 В | 0,48 В |
Ic = 10 мА | 0,4 В | 0,48 В | 0,5 В |