039.КМОП - Википедия (Ответы на экзаменационные билеты (МСТ))
Описание файла
Файл "039.КМОП - Википедия" внутри архива находится в следующих папках: Ответы на экзаменационные билеты (МСТ), Ответы на билеты_doc. Документ из архива "Ответы на экзаменационные билеты (МСТ)", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-химические основы нанотехнологий (фхонт)" из 6 семестр, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологии" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "039.КМОП - Википедия"
Текст из документа "039.КМОП - Википедия"
КМОП
Статический КМОП инвертор
КМОП (К-МОП; комплементарная логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник; КМДП[1]; англ. CMOS, Complementary-symmetry/metal-oxide semiconductor) — технология построения электронных схем. В технологии КМОП используются полевые транзисторы с изолированным затвором с каналами разной проводимости. Отличительной особенностью схем КМОП по сравнению с биполярными технологиями (ТТЛ, ЭСЛ и др.) является очень малое энергопотребление в статическом режиме (в большинстве случаев можно считать, что энергия потребляется только во время переключения состояний). Отличительной особенностью структуры КМОП по сравнению с другими МОП-структурами (N-МОП, P-МОП) является наличие как n-, так и p-канальных полевых транзисторов; как следствие, КМОП-схемы обладают более высоким быстродействием и меньшим энергопотреблением, однако при этом характеризуются более сложным технологическим процессом изготовления и меньшей плотностью упаковки.
Подавляющее большинство современных логических микросхем, в том числе, процессоров, используют схемотехнику КМОП.
История
Схемы КМОП в 1963 изобрёл Фрэнк Вонлас (Frank Wanlass) из компании Fairchild Semiconductor, первые микросхемы по технологии КМОП были созданы в 1968. Долгое время КМОП рассматривалась как энергосберегающая, но медленная альтернатива ТТЛ, поэтому микросхемы КМОП нашли применение в электронных часах, калькуляторах и других устройствах с батарейным питанием, где энергопотребление было критичным.
К 1990 году с повышением степени интеграции микросхем встала проблема рассеивания энергии на элементах. В результате технология КМОП оказалась в выигрышном положении. Со временем были достигнуты скорость переключения и плотность монтажа недостижимые в технологиях, основанных на биполярных транзисторах.
Ранние КМОП-схемы были очень уязвимы к электростатическим разрядам. Сейчас эта проблема в основном решена, но при монтаже КМОП-микросхем рекомендуется принимать меры по снятию электрических зарядов.
Для изготовления затворов в КМОП-ячейках на ранних этапах применялся алюминий. Позже, в связи с появлением так называемой самосовмещённой технологии, которая предусматривала использование затвора не только как конструктивного элемента, но одновременно как маски при получении сток-истоковых областей, в качестве затвора стали применять поликристаллический кремний.
Технология
Схема логического элемента выполняющего логическую функцию 2И-НЕ
Схема 2И-НЕ
Для примера рассмотрим схему вентиля 2И-НЕ, построенного по технологии КМОП.
-
Если на оба входа A и B подан высокий уровень, то оба транзистора снизу на схеме открыты, а оба верхних закрыты, то есть выход соединён с землёй.
-
Если хотя бы на один из входов подать низкий уровень, соответствующий транзистор сверху будет открыт, а снизу закрыт. Таким образом, выход будет соединён с напряжением питания и отсоединён от земли.
В схеме нет никаких нагрузочных сопротивлений, поэтому в статическом состоянии через КМОП-схему протекают только токи утечки через закрытые транзисторы, и энергопотребление очень мало. При переключениях электрическая энергия тратится в основном на заряд емкостей затворов и проводников, так что потребляемая (и рассеиваемая) мощность пропорциональна частоте этих переключений (например, тактовой частоте процессора).
На рисунке с топологией микросхемы 2И-НЕ можно заметить, что в ней используются два двухзатворных полевых транзистора разных конструкций. Верхний двухзатворный полевой транзистор выполняет логическую функцию 2ИЛИ, а нижний двухзатворный полевой транзистор выполняет логическую функцию 2И.
Серии логических КМОП-микросхем зарубежного производства
-
-
На КМОП-транзисторах (CMOS):
-
4000 — CMOS с питанием от 3 до 15В, 200 нс;
-
4000B — CMOS с питанием от 3 до 15В, 90 нс;
-
74C — аналогична серии 4000B;
-
74HC — Высокоскоростная CMOS, по скорости аналогична серии LS, 12 нс;
-
74HCT — Высокоскоростная, совместимая по выходам с биполярными сериями;
-
74AC — Улучшенная CMOS, скорость в целом между сериями S и F;
-
74ACT — Улучшенная CMOS, совместимая по выходам с биполярными сериями;
-
74AHC — Улучшенная высокоскоростная CMOS, втрое быстрее HC;
-
74AHCT — Улучшенная высокоскоростная CMOS, совместимая по выходам с биполярными сериями;
-
74ALVC — с низким напряжением питания (1,65 — 3,3В), время срабатывания 2 нс;
-
74AUC — с низким напряжением питания (0.8 — 2,7В), время срабатывания < 1,9 нс при Vпит=1,8В;
-
74FC — быстрая CMOS, скорость аналогична F;
-
74FCT — быстрая CMOS, совместимая по выходам с биполярными сериями;
-
74LCX — CMOS с питанием 3В и 5В-совместимыми входами;
-
74LVC — с пониженным напряжением (1,65 — 3.3В) и 5В-совместимыми входами, время срабатывания < 5,5 нс при Vпит=3,3V, < 9 нс при Vпит=2,5В;
-
74LVQ — с пониженным напряжением (3,3В);
-
74LVX — с питанием 3,3В и 5В-совместимыми входами;
-
74VHC — Сверхвысокоскоростная CMOS — быстродействие сравнимо с S;
-
74VHCT — Сверхвысокоскоростная CMOS, совместимая по выходам с биполярными сериями;
-
74G — Супер-сверхвысокоскоростная для частот выше 1 ГГц, питание 1,65В — 3,3В, 5В-совместимые входы;
-
BiCMOS
-
74BCT — BiCMOS, TTL-совместимые входы, используется для буферов;
-
74ABT — Улучшенная BiCMOS, TTL-совместимые входы, быстрее ACT и BCT;
-
Серии логических КМОП-микросхем отечественного производства
-
-
На КМОП-транзисторах (CMOS):
-
164, 176 соответствуют серии 4000, но у 164 и 176 cерий напряжение питания 5…12 В (номинальное значение 9 В);
-
561 и 564 — серии 4000A;
-
1554 — серии 74AC;
-
1561 — серии 4000B;
-
1564 — серии 74HC;
-
1594 — серии 74ACT;
-
5564 — серии 74HCT;
-
Примечания
-
↑ Часто в советских книгах по микроэлектронике встречается такая аббревиатура, означающая Комплементарные Металл-Диэлектрик-Полупроводник транзисторы