ГОТОВАЯ ШПОРА 1 (Шпоры по Созинову), страница 6
Описание файла
Файл "ГОТОВАЯ ШПОРА 1" внутри архива находится в папке "Шпоры по Созинову". Документ из архива "Шпоры по Созинову", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электроника" из , которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "электроника и микропроцессорная техника" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "ГОТОВАЯ ШПОРА 1"
Текст 6 страницы из документа "ГОТОВАЯ ШПОРА 1"
Это нарушает симметрию Ус.
Еще одним недостаток: работа операц. Ус. при больших синфазных U-ях.
-ют схемы дифф. Ус., свободные от указанных недостатков схемы рис. 8, но они содержат 2 или 3 операц. Ус.
52. Линейные схемы на операционных усилителях: интегрирующий усилитель, дифференцирующий усилитель.
Рассмотрим идеальный интегрирующий усилитель.
По первому закону Кирхгофа:
Инвертирующий вход будет точкой виртуального нуля (неинвертирующий вход операц. усилителя имеет нулевой потенциал)
После интегрирования уравнения получим:
схема осуществляет математическую операцию интегрирования.
Т.к. амплитудно-частотная хар-ка интегрирующего усилителя имеет завал в области высоких частот, то он устойчив к самовозбуждению.
Рассмотрим идеальный дифференцирующий усилитель.
По первому закону Кирхгофа: iВХ + iОС = 0.
Т.к. инвертирующий вход будет точкой виртуального нуля:
схема математической операцию дифференцирования.
Недостатки дифференцирующего усилителя на практике:
склонность к самовозбуждению подъема амплитудно-частотной хар-ки в области высоких частот.
В обеих схемах в цепи неинвертирующего входа м.б. включен компенсирующий резистор, сопротивление которого RK = R.
1 1. Эквивалентные схемы биполярного транзистора.
СЗТ могут соответство-вать их физ-им пар-рам, а также пар-рам, харак-щих их как линей-ный 4-х полюсник. Достоинство физ-их пар-ров в том, что они наглядны и непоср-но хар-ют физ-ие св-ва 3-х слойной п/п структуры. Их можно рассчитать по геометрии слоев и пар-рам материала, но их прямое изменение невозможно. Дост-вом пар-ров 4-х полюсника явл-ся то, что их можно измерить. СЗ позволяют упростить расчеты электронных схем. СЗТ в физ-их пар-рах предс-ся в виде Т-образной схемы, отражающей его структуру. Для включ тр-ра с ОБ и ОЭ они имеют вид:
Э ти схемы справедливы для лин-ых уч-ков статич-ких ВАХ тр-ра, когда его пар-ры можно считать неизменными, т.е. для малых изменений тока и напряж-ия. Пар-ры СЗ с ОБ: 1) rэ=dUэб/diэ=φт/Iэ (Uкб=const) дифференц-ое сопр-ие эммит-го перехода позволяет учесть связь м/у напряж-ми на Э переходе и протекающим ч/з него Iэ. Его вел-на, в зависимости от Iэ, м/б от единиц до десятков Ом; 2) объемное сопр Б rб. Оно опр-ся в направ-ии прохождения Б тока в слое Б от границы Э перехода. rб>rэ и составляет сотни Ом; 3) эквивал-ый источник тока αIэ. Он учитывает транзитную составляющую приращения Iэ, проходящую ч/з Б в К; 4) rк=dUкб/diк (Iэ=const). Дифферен-ое сопр-ие К перехода (включ-ся в обратном направлении). Оно учитывает изменение Iк с изменением Uкб вследствие модуляции ширины Б. Его вел-на от 0,5 до 2 мОм; 5) источник напряж-ия μUкб.
Он опр-ет напряж-ие внутри полож-ой обратной связи и отражает влияние эффекта модуляции Б на вх-ую цепь тр-ра. Т.к. μ мало (10-4…10-3), то этот источник часто в схему не входит; 6) емкости Э и К переходов Сэ, Ск.
Дифф-ая и барьерная емк-ти Э перехода больше таковых К перехода, но т.к. Сэ зашунтировано значительно меньшим сопр-ем (rэ), чем Ск зашунтир-но (rк), то начиная с десятков кГц емкость Ск приходится учитывать, а Сэ на этих частотах пренебрегают; 7)α=di/d…?… кб=const) диффер-ый коэф-т передачи тока. Зависит от частоты усиливаемого сигнала. В обл-ти повышенных частот, где начинает сказываться время прохождения дырок ч/з Б, Iк и Iб отличаются по фазе от Iэ, а коэф-т α умен-ся. Одним из основных пар-ров тр-ра явл-ся граничная частота fα, при к-ой модуль комплексного коэф тока α ум-ся в √2 раз. В Т-образной СЗТ с ОЭ пар-ры rэ и rб имеют тот же физ-ий смысл, что и в схеме с ОБ. Источник тока здесь показан, как βIб, т.к. вх-ым током в этой схеме явл-ся Iб. Сопр-ие К перехода r*к=rк/(β+1), аналогично С*к=Ск(β+1) и влияние ее в обл-ти повышенных частот значительно больше, чем Сэ, поэтому Сэ обычно не учитывают. Дифф-ый коэф-т передачи тока с ОЭ также частотнозависимый. Граничная частота fβ=fα/(β+1), т.е. частотные св-ва тр-ра в схеме с ОЭ хуже, чем в схеме с ОБ.
1 8. Эквивалентная схема полевого транзистора.
Схема замещения отражает взаимосвязь малых приращений входных и выходных сигналов. Наличие межэлектродных емкостей ограничивает рабочий диапазон частот полевого транзистора, на биполярных транзисторах можно достичь большей ширины полосы рабочих частот