ГОТОВАЯ ШПОРА 1 (Шпоры по Созинову), страница 3

Статические характеристики ПVT с управляющим p-n-переходом. U_{ОТСЕЧКИ}, начальный I_С, R_ВХ. Влияние t^o на передаточную хар-ку.

Вых. хар-ка, передаточная хар-ка – осн-ые хар-ки.

Вых.(стоковая) хар-ка – зависимость I_C от U_СИ при U_ЗИ = const.

Перед-ная(С-З) хар-ка – зависимость IС от U_ЗИ при U_СИ = const.

[1] Выходная характеристика

I_С = f(U_СИ) ; U_ЗИ = const

РН – режим насыщения

ОР – омический режим

 U_СИ  изменяется вид канала:

Эффектом модуляции длины канала -  длины перекрытой части канала с  U_СИ.

РН – этот область вых. хар-к, где  тока практически прекращается.

[ 2] Передаточная характеристика

I_С = f(U_ЗИ) ; U_СИ = const

U_{ЗИ мс} - термостабильная точка

I_С.нач - начальный I_С (при U_ЗИ = 0)

U_ЗИ  0 ВАХ линейна

U_ЗИ  U_ЗИ.мс ВАХ квадратична.

 температуры   высота потенц. барьера   подвижность носителей в канале.

В нормальном режиме работы в цепи затвора протекает ток обратно смещённого p-n-перехода (ток чрезвычайно мал) 

 Основное достоинство ПVT - большое R_ВХ.

ПVT – нелинейный VT.

d 10 12 14 a 5 6 7 b 7 8 9		n-канальный
		p-канальный

ПVT с переходом Шотки – нет p-области, грани сразу металлизируются.

ПVT с p-n-переходом – на основе Si

ПVT с переходом Шотки – на основе GaAs

ПVT с переходом Шотки - СВЧ ПП-ый прибор, работает на f-ах ~ 10 ГГЦ.

Низкочастотные малосигнальные параметры ПVT с управляющим p-n-переходом. Определение низкочастотных малосигнальных параметров ПVT с управляющим p-n-переходом по его статическим хар-кам.

Основное достоинство ПVT - большое R_ВХ.

Основные малосигнальные параметры ПVT:

1. Крутизна

2. Дифференциальное R_СИ

3. Коэффициент усиления

17. Конструкция, технология изготовления и принцип действия МДП-VT-ов с индуцированным и встроенным n-каналом.

-ет 2 разновидности ПVT МДП-структуры:

1. С индуцированным каналом – канал в равновесном состоянии отсутствует, и появляются под воздействием U_ВНЕШН.

2. Со встроенным каналом – канал формируется на этапе изготовления VT и -ет в равновесном состоянии.

Конструкция ПVT МДП с индуцированным каналом.

Основа – пластина слаболегированного p-ПП-ка. Поверхность окисляется. Методом локальной диффузии формируется n-область с  степенью легирования.

Приложим U_СИ.

П одадим отрицательное U_З. U_ЗИ   концентрация ē-ов под затвором концентрация ē превышает концентрацию дырок  инверсия типа проводимости.

Пороговое U - U_ЗИ, при котором происходит инверсия типа проводимости (появляется канал) в приповерхностном слое ПП-ка.

Толщина образуемого канала ~ 1 2 нм.

Конструктивное отличие МДП-VT со встроенным каналом от VT с индуцированным каналом: канал формируется на этапе изготовления VT путём легирования VT.

D 12 14 c 4 5		n-канальный
		p-канальный

М ДП - транзисторы с индуцированным каналом: статические

характеристики.

-ет 2 разновидности ПVT МДП-структуры:

1. С индуцированным каналом – канал в равновесном состоянии отсутствует, и появляются под воздействием U_ВНЕШН.

2. Со встроенным каналом.

С татические характеристики МДП - VT с индуцированным каналом

U_ЗИ

U_{ЗИ пороговое}

U_{ЗИ i} > U_{ПОРОГОВОЕ}

D 12 14 c 4 5		n-канальный
		p-канальный

1 6. Конструкция, технология изготовления и принцип действия МДП-VT-ов с индуцированным и встроенным p-каналом.

-ет 2 разновидности ПVT МДП-структуры:

1. С индуцированным каналом – канал в равновесном состоянии отсутствует, и появляются под воздействием U_ВНЕШН.

2. Со встроенным каналом – канал формируется на этапе изготовления VT и -ет в равновесном состоянии.

Конструкция ПVT МДП с индуцированным каналом.

Основа – пластина слаболегированного p-ПП-ка. Поверхность окисляется. Методом локальной диффузии формируется n-область с  степенью легирования.

Приложим U_СИ.

П одадим отрицательное U_З. U_ЗИ   концентрация ē-ов под затвором концентрация ē превышает концентрацию дырок инверсия типа проводимости.

Пороговое U - U_ЗИ, при котором происходит инверсия типа проводимости (появляется канал) в приповерхностном слое ПП-ка.

Толщина образуемого канала ~ 1 2 нм.

Конструктивное отличие МДП-VT со встроенным каналом от VT с индуцированным каналом: канал формируется на этапе изготовления VT путём легирования VT.

D 12 14 c 4 5		n-канальный
		p-канальный

МДП - транзисторы со встроенным каналом: статические хар-ки.

-ет 2 разновидности ПVT МДП-структуры:

1. С индуцированным каналом.

2

I_С

. Со встроенным каналом – канал формируется на этапе изготовления VT и -ет в равновесном состоянии.

Статические характеристики МДП - VT с индуцированным каналом

U_{ЗИ i} > U_{ПОРОГОВОЕ}

D 12 14 c 4 5		n-канальный
		p-канальный

40. Параметры усилителя. Амплитудно – частотная и фазочастотная характеристики усилителя.

Усилитель - устр-во для  мощности эл. сигналов за счет Е-ии ист. питания. С позиции теории эл. цепей усилитель  управляемый источник (рис.1), где P_ВЫХ > P_ВХ.

Основные параметры усилителя:

• коэффициент усиления по напряжению K_U =

• коэффициент усиления по току K_I =

• коэффициент усиления по мощности K_P = = =

• входное сопротивление r_ВХ =

• выходное сопротивление r_ВХ =

где,

U_ВЫХ (R_Н = ∞) – в режиме холостого хода;

U_ВЫХ(R_Н ≠ ∞);

I_ВЫХ(R_Н ≠ ∞).

В реал. усилителях параметры  ком­плексные вел-ны и зависят от f.

Амплитудно  Частотной Характеристикой (АЧХ)  зависимость модуля комплексной величины от частоты.

Фазо  Частотная характеристика (ФЧХ)  зависимость аргумента комплексной величины от f.

K_U(f)  амплитудно-частотная характеристики К_УС по U.

φ(f)  фазочастотная характеристики К_УС по U.

В идеал. Ус. модуль коэффициента усиления по напряжению должен оставаться постоянным во всем диапазоне частот от нуля до бесконечности, а фазочастотная характеристика должна иметь вид прямой линии (рис. 2). В реальных усилителях диапазон рабочих частот ог­раничен сверху или снизу.

В зависимости от вида амплитудно-частотной харак­теристики (рис. 3) различают:

• усилители постоянного тока (УПТ)

• усилители переменного тока

• избирательные усили­тели

Диапазон рабочих частот (полоса пропускания) усилителя постоянного тока простирается от 0 до f_B, на которой коэффици­ент усиления уменьшается в √2 раз по сравнению с коэффициентом усиления в области средних частот:

K_U(f_B) = (1 / √2)  K_U(f_CP) = 0.707K_U(f_CP)

Частоту f_В  верхняя граничная частота Ус.

В усилителях переменного тока полоса пропускания ограничена как сверху, так и снизу.

Частота f_В, где K_U(f_Н)=0,707 K_U(f_CP)  нижней граничной частотой Ус.

Вследствие неидеальности АЧХ амплитудные соотношения спектральных составляющих сигнала на выходе и входе усилителя будут отличаться. Изменения формы негармонического сигнала, вызванные этой причиной, называют час­тотными искажениями.

Неидеальность (нелинейность) ФЧХ приводит к изменению фазовых соотношений спектральных состав­ляющих в выходном сигнале усилителя. Вызываемые этой причиной изменение формы негармонического колебания называют фазовыми искажениями.

Для оценки линейных искажений, возникающих при передачи импульсных сигналов, используется переходная характеристика усилителя.

Переходная характеристика в идеальном усилителе.

В реал. Ус. переходная хар-ка имеет апериодический или колебательный хар-р.

t_н – время нарастания;

t_з – время задержки;

 - амплитуда выброса.

1. Нелин-ые искажения в Ус. Амплитудная хар-ка. Динам-ий диапазон.

Р еал. усилители вносят нелин-ые искажения.

Причина: применение нелин-ных эл-тов в составе Ус-я.