01 (Ответы в ворде)
Описание файла
Файл "01" внутри архива находится в следующих папках: 2003, Ответ. Документ из архива "Ответы в ворде", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "конструирование плат" из 7 семестр, которые можно найти в файловом архиве МАИ. Не смотря на прямую связь этого архива с МАИ, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "конструирование плат" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "01"
Текст из документа "01"
01. Степени интеграции ИС. Понятия интеграции и дезинтеграции микроэлектронных устройств. Конструкции микросборок, бескорпусных компонентов и защитных корпусов.
| МИС | СИС | БИС | СБИС | |
| K | <100 | <1000 | <10,000 | >10,000 |
| N | 1-2 | 2-3 | 3-4 | 5-8 |
K-степень интеграции (округления до целого числа); N-число элементов, содержащихся в кристаллах (логических вентилей).
Д
14-выводной корпус DIP
остигнутая плотность упаковки к кристалле является высшим показателем интеграции в ряду модульных конструктивов ЭВМ, объединение кристалла с конструктивными элементами, предназначенными для защиты от ВВФ, а так же элементами его электрической коммутации вызывают снижение степени интеграции - дезинтеграцию, характеризуется специальным коэффициентом, (по объёму/массе/площади/установочная площадь модуля): 
, 
; 
П
ри мелкосерийном производстве простота разработки и производства обеспечивают преимущество ГИС.
Таблица 14.1
| Наименование параметра | Полупроводниковые схемы | Тонкопленочные ГИС | Толстопленочные ГИС |
| Предельная мощность | 1 | 2 | 3 |
| Предельное напряжение | 1 | 3 | 3 |
| Быстродействие | 3 | 1 | 1 |
| Интеграция элементов | 3 | 1 | 1 |
| Паразитные связи | 1 | 3 | 3 |
| Точность и стабильность пассивных элементов | 1 | 3 | 2 |
| Надежность | 3 | 2 | 2 |
| Стоимость подготовки производства | 1 | 2 | 3 |
| Стоимость при крупносерийном производстве | 3 | 2 | 1 |
| Стоимость при мелкосерийном производстве | 1 | 2 | 3 |
| Длительность производственного цикла | 1 | 2 | 3 |
| Число операций технологического процесса | 1 | 2 | 3 |
| Капитальные затраты на оборудование | 1 | 2 | 3 |
| Воспроизводимость технологического процесса | 1 | 2 | 3 |
| Трудоемкость монтажный работ | 3 | 2 | 2 |
В табл. 14.1 приведена сравнительная характеристика параметров различных типов микросхем. Для оценки показателей использована четырехбалльная шкала: 3 - отлично; 2 - хорошо; 1 - удовлетворительно; 0 - неудовлетворительно.
Защитные оболочки МЭУ.
1
-компонент
2-коммутационная плата
3-защитный корпус
Корпус состоит из:
3а-основание
3б-крышки
3в-3б соединены с основанием герметизирующим швом швом (3в)
3г-выводы корпуса изолированные от основания стеклянными изоляторами 3д
Конструкции бескорпусных компонентов микросборок.
