шпоры по электронике (Шпоры к экзамену), страница 2
Описание файла
Файл "шпоры по электронике" внутри архива находится в папке "Шпоры к экзамену". Документ из архива "Шпоры к экзамену", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электроника" из 4 семестр, которые можно найти в файловом архиве МАИ. Не смотря на прямую связь этого архива с МАИ, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "электроника" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "шпоры по электронике"
Текст 2 страницы из документа "шпоры по электронике"
н осителей не уравновесит встречное диффузионное движение, обусловленное градиентами концентрации электронов и дырок. Электрическое поле обуславливает внутреннюю (контактную) разность потенциалов φ0 между n- и p-областями, т.е. потенциальный барьер. На рисунке показана энергетическая диаграмма p-n-перехода в состоянии равновесия. Уровень Ферми одинаков для всех областей. Наклон границ зон определяет электрическое поле в обедненном слое толщиной Lоб на этой диаграмме (ε=(dEп/dx)/q). Разность энергий электрона у дна зоны проводимости в левой и правой частях диаграммы Eпp-Eпn равна высоте энергетического барьера qφ0, соответствующего потенциальному барьеру φ0. Потенциальный барьер существует для основных носителей, движущихся к переходу. Для рабочего диапазона температур, где все примеси ионизованы, получим qφ0 = kTln[NаNд/ni2] = = ΔEЗ-kTln[(NпNв)/ (NаNд)] = Eфn - Ефp. В случае резко несимметричного перехода при Nа >> Nд формула для нахождения толщины обедненного слоя может быть записана как | |
Δnp=np0[exp(U/φТ)-1] и Δpn=pn0[exp(U/φТ)-1], если их разрешить относительно напряжения. При обратном напряжении толщина перехода возрастает непропорционально напряжению, в результате напряженность электрического поля перехода увеличивается и в нем преобладает дрейфовое движение носителей по сравнению с диффузионным: дырки из n-области и электроны в p-области вследствие хаотического теплового движения могут пересечь границы перехода, где они попадают в ускоряющее поле, переносящее их в соседнюю область. В результате уменьшаются концентрации неосновных носителей у границ перехода. Это явление называют экстракцией неосновных носителей. |
Н апример, диффузия носителей от границ перехода увеличивает полные заряды дырок Qp в n-области и электронов Qn в p-области. Для малого синусоидального сигнала на низких частотах [f << 2/эф] диффузионная емкость Cдф = k(dQp/dU)=kI0эфexp[U=/φТ]/φТ, где k = 0,5 … 1 – коэффициент, зависящий от толщины базы, U= - постоянная составляющая напряжения, эф – эффективное время жизни неосновных носителей в базе. Для быстро меняющихся импульсных сигналов данная формула непригодна. | переходы имеют участки, выходящие на поверхность полупроводникового кристалла. На поверхности вследствие загрязнений и влияния поверхностного заряда между p- и n-областями могут образовываться проводящие пленки и каналы, по которым идет ток утечки. Он увеличивается пропорционально напряжению и при достаточно большом обратном напряжении может превысить тепловой ток и ток генерации. Для тока утечки характерна слабая зависимость от температуры. |
При обратном напряжении (минус — к металлу) потенциальный барьер повышается пропорционально |U| (б). Обратный ток I0 образуется электронами, переходящими из металла в полупроводник, энергия которых достаточна для преодоления барьера qφ`мп I0 = = SAT2exp[-φ`мп/φТ], где S – площадь контакта, A – постоянная, для кремния равная 110. Обратный ток экспоненциально увеличивается при повышении температуры. Рассмотрим также омический контакт. Он используется практически во всех полупроводниковых приборах для формирования внешних выводов от полупроводниковых областей; для него характерны близкая к линейной ВАХ и малое сопротивление. В омических контактах металл — полупроводник за счет использования соответствующего металла в приконтактной области полупроводника образуется слой, обогащенный основными носителями и имеющий малое сопротивление. Кроме того, при больших концентрациях примесей для рассмотренных выше контактов толщина обедненного слоя уменьшается настолько, что наблюдается туннельный ток. При этом контакт хорошо проводит ток в обоих направлениях, т. е. является омическим. Таким образом, выпрямляющий контакт можно получить только для полупроводника с низкой концентрацией примесей. | д остаточную для образования новых электронно-дырочных пар путем ударной ионизации атомов полупроводника. При повышении температуры напряжение лавинного пробоя увеличивается, что объясняется уменьшением длины свободного пробега носителей. При меньшей длине пробега требуется большая напряженность электрического поля для того, чтобы носители приобрели энергию, достаточную для ударной ионизации. Таким образом, температурный коэффициент напряжения лавинного пробоя положителен. Тепловой пробой обусловлен нагреванием p-n-перехода вследствие выделения теплоты при прохождении обратного тока Iобр. Выделяющаяся на p-n-переходе мощность вызывает повышение температуры p-n перехода и прилегающих к нему областей полупроводника. Увеличиваются концентрация неосновных носителей и тепловой ток, что приводит к дальнейшему росту мощности и температуры. Напряжение теплового пробоя зависит от условий теплоотвода и снижается при повышении температуры окружающей среды. |
Под влиянием различных внешних воздействий концентрация свободных носителей может превысить равновесное значение. Неравновесные носители могут возникать под действием внешнего электромагнитного излучения, вызывающего переброс электронов из валентной зоны в зону проводимости. Этот переброс может быть как одноступенчатым (непосредственно из зоны в зону), так и многоступенчатым — через уровни в запрещенной зоне, соответствующие ловушкам или центрам генерации. Внешнее излучение может быть световым (световая генерация электронно-дырочных пар), рентгеновским или γ-излучением. Аналогичный эффект дает воздействие ионизирующих частиц (например, α-частиц). Другим механизмом возникновения неравновесных носителей является ударная ионизация. Электрон или дырка, ускоряясь в сильном электрическом поле и соударяясь с атомом, вызывает его ионизацию и рождение электронно-дырочной пары. Такой тип генерации неравновесных носителей возникает при пробое p-n-переходов в большинстве полупроводниковых приборов. Одним из наиболее распространенных механизмов создания неравновесных носителей является введение (инжекция) их в данную область полупроводника извне, из другой, соседней области (например, инжекция электронов из области n-типа в область p-типа в p-n-переходе). Концентрации в неравновесном состоянии будем обозначать nn, pn для полупроводника n-типа и np, pp — для полупроводника p-типа, а в равновесном nn0, pn0, np0 и pp0 соответственно. Разности между неравновесной и равновесной концентрациями будем называть избыточными концентрациями электронов и дырок Δn, Δp. Одним из главных принципов, лежащих в основе многих физических процессов, является принцип электрической нейтральности полупроводника, заключающийся в том, что в состоянии равновесия суммарный заряд в полупроводнике равен нулю. В частности, для однородного полупроводника он выражается уравнением нейтральности p+NД+=n+NА-, где NД+, NА- - концентрации ионов доноров и акцепторов. В неравновесном состоянии уравнение нейтральности может нарушиться. В этом случае возникают объемный заряд и сильное электрическое поле, способствующее восстановлению нейтральности. Время, в течение которого восстанавливается нейтральность τрел, называется временем диэлектрической релаксации. Оно очень мало и определяется по формуле τрел = ρε0εП. Если избыточные концентрации носителей малы по сравнению с равновесными концентрациями основных носителей, то изменение избыточных концентраций в n-полупроводнике описывается дифференциальным уравнением генерации — рекомбинации d(Δpn)/dt = -(Δpn/τp) + G, где τp — параметр, называемый временем жизни неравновесных неосновных носителей; G — скорость генерации, задаваемая внешним воздействием, т. е. число неравновесных носителей, возникающих в единицу времени. Время жизни неравновесных неосновных носителей представляет собой |
Принцип работы выпрямительных диодов основан на использовании односторонней проводимости (вентильных свойств) электрического перехода для преобразования переменного тока в однополярный пульсирующий. Выпрямительные диоды широко применяют в цепях управления и коммутации РЭА, источниках питания, ограничителях выбросов напряжений. Наибольшее использование в РЭА нашли кремниевые, германиевые диоды, диоды с барьером Шотки, а в аппаратуре специального назначения и измерительной аппаратуре, работающей в условиях высокой температуры окружающей среды, — селеновые и титановые выпрямители. В высоковольтных источниках питания часто применяют выпрямительные столбы и блоки. Выпрямительные столбы представляют собой последовательное соединение выпрямительных диодов, объединенных в одном корпусе или расположенных на одной конструкционной несущей. Выпрямительные блоки являются конструктивно завершенными устройствами, содержащими соединенные определенным образом (например, по мостовой схеме) выпрямительные диоды. К основным статическим параметрам относятся прямое падение напряжения Uпр при заданном прямом токе Iпр, постоянный обратный ток Iобр при заданном обратном напряжении Uобр. К основным динам и ческим параметрам относятся Iвп.ср — среднее за период значение выпрямленного тока; Uпр.ср — среднее значение прямого падения напряжения при заданном среднем значении прямого тока; Iобр.ср— среднее значение обратного тока или среднее за период значение тока в обратном направлении при заданном значении обратного напряжения; Uобр.ср — среднее за период значение обратного напряжения; fгр — граничная частота, на которой выпрямленный ток диода уменьшается до установленного уровня. Частота fгр зависит от площади перехода и времени жизни носителей. К параметрам электрического режима относятся дифференциальное сопротивление диода rдиф, емкость диода Сд, включающая емкости электрического перехода и корпуса, если последний существует. В рабочем положении через диод протекает ток, и в его электрическом переходе выделяется мощность, температура перехода Tпер повышается. Выделяемая в переходе теплота рассеивается в окружающую среду за счет теплопроводности полупроводникового материала перехода, корпуса прибора и переходных теплопроводящих слоев между корпусом прибора и кристаллом. Отводимая от электрического перехода мощность прямо пропорциональна разности температур перехода и окружающей среды. В установившемся режиме подводимая к переходу Рподв и отводимая от него Ротв мощности должны быть равны и не превышать максимально допустимой мощности Рмакс, рассеиваемой диодом. В противном случае, когда рассеиваемая диодом мощность превышает Рмакс, тепловой режим прибора неустойчив и в его электрическом переходе возникает тепловой пробой. Выпрямительные диоды делят на низкочастотные, или силовые, используемые в основном |
И мпульсные диоды в основном предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах. Они имеют ряд конструктивно-технологических особенностей, обеспечивающих импульсный режим работы. Барьерная емкость и накопленный заряд носителей вблизи перехода — два фактора, определяющих инерционность диодов. Основными отличительными признаками импульсных диодов являются малые площадь электрического перехода и время жизни неравновесных носителей заряда в базе. Различают импульсные диоды с p-n-переходом (точечные, сплавные, микросплавные, диффузионные, мезадиффузионные, эпитаксиально-планарные и др.) и с барьером Шотки. В качестве исходного материала при изготовлении диодов используют германий, кремний, арсенид галлия. Отечественной промышленностью выпускаются также диодные сборки и матрицы. К импульсным диодам относят также диоды с накоплением заряда (ДНЗ). Различают параметры импульсных диодов, сборок и матриц: статические, параметры предельно допустимых эксплуатационных режимов и импульсные параметры. К статическим параметрам диодов относят постоянный обратный ток Ioбр при заданном Uобр, постоянное прямое напряжение Uпр при заданном Iпр. Для диодных сборок и матриц Uпр указываются для двух значений тока I'пр и I''пр, соответствующих областям малых и больших прямых токов на ВАХ. Из параметров предельно допустимого режима отметим Uобр.макс, Iпр.макс и максимально допустимый прямой импульсный ток Iпр.и.макс. Эквивалентная схема импульсного диода приведена на рисунке. В отличие от эквивалентных малосигнальных схем других диодов здесь параметры схемы— интегральные величины, зависящие от перепада тока или напряжения и записываемые через общепринятые параметры импульсного диода. На схеме конденсатор Скорп характеризует емкость корпуса диода; конденсаторы Сбар и Сдф моделируют соответственно усредненную барьерную и диффузионную емкости р-n-перехода; резистор Rp-n — сопротивление, зависящее от значения и полярности напряжения на переходе; Lэкв и Rэкв — эквивалент индуктивности и резистор, характеризующие процесс модуляции комплексного сопротивления базы в зависимости от уровня инжекции носителей в базу; резистор RБ0 моделирует сопротивление базы при малом уровне инжекции. На обороте изображена ВАХ импульсного диода. |
В арикап предназначен для использования в качестве электрически управляемой емкости. Принцип работы варикапа основан на использовании зависимости емкости электрического перехода от напряжения. Электрический переход варикапов имеет сложную структуру типа р-n-n+, p-i-n, МДП и др. Варикапы применяют в устройствах управления частотой колебательного контура, в параметрических схемах усиления, деления и умножения частоты, в схемах частотной модуляции, управляемых фазовращателях и др. В этих устройствах предпочтение отдается варикапам на основе барьерной емкости p-n-перехода. Исходным материалом для варикапов является кремний, а в последнее время — арсенид галлия. В сплавных варикапах электрический переход резкий, распределение примесей вдоль перехода по координате х, отсчитываемой от его металлургической границы, приблизительно равномерное для р+- и n-области, в диффузионных — плавное. Этим распределениям соответствуют зависимости Cв = f(U) — вольт-фарадные характеристики (ВФХ) варикапа (кривые 1 и 2 на рисунке). Эти ВФХ аппроксимируются выражением Св = Св0[φ0/(φ0-Uобр)]m, где m — коэффициент нелинейности ВФХ (m = 0,5 для сплавных и m = 0,3 для диффузионных); Св0— емкость варикапа при внешнем напряжении Uобр=0. Для получения более резкой зависимости CB = f(Uобр) в эпитаксиальных варикапах используются переходы со структурой р+-n-n+ и обратным градиентом распределения примесей в базе (кривая 3 на рисунке). Параметрами варикапа являются: Сн — номинальная емкость, т. е. емкость между выводами варикапа при номинальном напряжении смещения; Смакс — максимальная емкость — емкость варикапа при заданном минимальном напряжении смещения; Смин — минимальная емкость — емкость варикапа при заданном максимальном напряжении смещения; Кс = = Смакс /Смин — коэффициент перекрытия по емкости; ТК C=dC/(CнdT) — температурный коэффициент емкости — относительное изменение емкости варикапа при изменении температуры окружающей среды на 1 К в рабочем интервале температур при заданном напряжении смещения; QB — номинальная добротность варикапа — отношение реактивного сопротивления варикапа к полному сопротивлению потерь при номинальном напряжении смещения на заданной частоте, ТК Qв = = dQв/(QвdT) — температурный коэффициент добротности. |
в выпрямителях источников питания, и маломощные высокочастотные. Силовые диоды работают на частотах до fГР = 50 кГц. По силе выпрямленного тока различают диоды малой (Iпр<300 мА), средней (Iпр<10 А) и большой (Iпр>10 А) мощности. Высокочастотные диоды предназначены для преобразования радиосигналов на частотах в несколько десятков и сотен мегагерц. Вольт-амперная характеристика кремниевого диода для различных температур окружающей среды приведена на рисунке. | среднее время от момента появления неравновесного носителя до его рекомбинации. После прекращения внешнего воздействия скорость генерации G обращается в нуль, и дальнейший процесс описывается уравнением рекомбинации d(Δpn)/dt = -(Δpn/τp). Пусть в момент окончания внешнего воздействия (при t=0) избыточная концентрация дырок равна Δpn(0). При этом начальном условии получим следующее решение уравнения рекомбинации: Δpn(t) = Δpn(0)exp[-t/τp]. Пусть, например, Δpn(0) = -pn0, т.е. начальная концентрация дырок равна нулю pn(0)=0. Тогда неравновесная концентрация изменяется как pn(t) = = pn0[1-exp(-t/τp)]. Концентрация дырок нарастает от нуля до установившегося значения pn0; τp определяет скорость нарастания. Предположим, что в начальный момент Δpn(0) = 0, и начал действовать внешний источник, задающий скорость генерации G. Тогда, решая уравнение генерации-рекомбинации получаем Δpn(t) = Gτp[1-exp(-t/τp)]. Величина τp в данном случае характеризует скорость нарастания избыточной концентрации, а также определяет ее конечную установившуюся величину, равную Gτp. |
М алосигнальная эквивалентная схема варикапа приведена на рисунке. В схеме LB — элементы индуктивности выводов прибора (порядка нескольких микрогенри); конденсатор Скорп ≤ 1,5 пФ учитывает емкость корпуса; резистор rs=rЭ+rБ моделирует омическое сопротивление базы rБ с сопротивлением омического контакта и сопротивление эмиттерной области rЭ с аналогичным контактом; резисторы rдиф, Ry учитывают дифференциальное сопротивление и сопротивление утечки перехода; конденсатор Спер (Cбар) — эквивалент емкости перехода (барьерной емкости). На частотах до нескольких десятков мегагерц параметрами схемы LB и Скорп можно пренебречь ввиду их малости и ограничиться упрощенной схемой (на рисунке обведена штриховой линией). Сопротивление перехода при обратном напряжении на варикапе определяется сопротивлением утечки Ry. Типовое значение Rу > 1 МОм. Добротность варикапа уменьшается с повышением температуры, так как при этом возрастает сопротивление rs. С увеличением обратного смещения емкость Сбар и сопротивление rs уменьшаются, а добротность соответственно растет. Уменьшение rs в последнем случае объясняется расширением перехода и уменьшением толщины базы в n-области структуры варикапа. | В АХ импульсного диода. |
В Ч и СВЧ-диоды бывают выпрямительными, переключательными и преобразовательными. Характерной особенностью p-n-переходов диодов СВЧ-диапазона является их малая емкость, что достигается уменьшением площади перехода. Конструкция приборов на основе р-n-переходов и технология их изготовления должны обеспечивать точное и воспроизводимое выполнение как поперечных размеров перехода, так и толщины слоев полупроводниковых материалов, а также требуемый уровень и профиль легирования. Первые СВЧ-диоды были изготовлены точечно-контактным методом. Для этого к предварительно отполированной и протравленной пластине Si или Ge прижималась игла из вольфрама или фосфористой бронзы (часто в виде пружины) с диаметром острия от нескольких микрометров до 20 — 30 мкм. При электроформовке, заключающейся в разогреве области контакта при пропускании мощных коротких импульсов тока, образовывался контакт типа барьера Шоттки. Диффузионный метод создания переходов основан на диффузии в полупроводник примеси, находящейся в газообразной, жидкой или твердой фазе. В зависимости от глубины залегания перехода он может быть плавным или резким. При малой толщине р-области переход можно считать резким со ступенчатым изменением концентрации примеси. Эквивалентная схема СВЧ диода кроме сопротивления растекания rs, емкости перехода Cбар и сопротивления перехода rпер включает в себя индуктивность контактной пружинки Ls и емкость корпуса Скорп. Представить диод в виде системы с сосредоточенными параметрами можно, только если линейные размеры (толщина перехода, радиус перехода) по сравнению с длиной волны малы. Толщина выпрямляющего слоя в СВЧ диодах имеет величину порядка долей микрона и не определяет частоту, до которой можно пользоваться данной схемой. Полусферическая область кристалла, определяющая сопротивление rs, примыкает к точечному контакту и имеет радиус в несколько десятков микрон при радиусе контактного острия в несколько микрон. Следовательно, сопротивление растекания rs можно представить в эквивалентной схеме в виде сосредоточенного параметра даже до длин волн порядка миллиметра. Размеры конструктивных элементов СВЧ диода уже в диапазоне волн 3 см становятся соизмеримыми с длиной волны. Важной характеристикой СВЧ диодов является коэффициент шума, который можно определить как изменение отношения сигнала к шуму на входе и выходе рассматриваемой схемы. |
Рассмотрим особенности работы диода с барьером Шоттки на основе контакта металла с полупроводником n-типа для случая, когда работа выхода металла больше, чем работа выхода полупроводника. При образовании контакта электроны переходят из материала с меньшей работой выхода в материал с большей работой выхода, в результате чего уровни Ферми металла и полупроводника выравниваются. При этом полупроводник оказывается заряженным положительно, а возникающее внутреннее электрическое поле препятствует переходу электронов в металл. Между металлом и полупроводником возникает контактная разность потенциалов. Благодаря разности работ выхода металла и полупроводника между ними происходит обмен электронами. Электроны из полупроводника, имеющего меньшую работу выхода, переходят в металл с большей работой выхода. В равновесном состоянии металл заряжается отрицательно, в результате чего возникает электрическое поле, прекращающее однородный переход электронов. Из-за резкого различия концентраций свободных электронов по обе стороны от контакта практически все падение напряжения приходится на приконтактную область полупроводника. Приложенное внешнее напряжение изменяет высоту барьера лишь со стороны полупроводника. Электроны зоны проводимости отталкиваются возникшим контактным нолем. Создается обедненный слой с пониженной концентрацией подвижных носителей. Около контакта вследствие изгиба границ зон полупроводник n-типа переходит в полупроводник p-типа. Распределение электрического поля и объемного заряда в этом случае описывается теми же уравнениями, что и для резкого p-n-перехода. В полупроводнике возникает область, обедненная основными носителями заряда с пониженной проводимостью, ширина которой зависит от уровня легирования полупроводника. В состоянии равновесия поток электронов (основных носителей полупроводника) в металл уравновешивается потоком электронов из металла в полупроводник. При прямом смещении потенциальный барьер со стороны полупроводника понижается и число переходов электронов в металл увеличивается. При обратном смещении, напротив, ток из полупроводника уменьшается, стремясь с ростом напряжения к нулю. Ток электронов из металла все время остается неизменным: роль его незначительна при прохождении прямого тока, им же обусловлен ток утечки при обратном смещении. Величина этого обратного тока в приборах с барьером Шоттки порядка единиц микроампер. В реальных контактах линейная зависимость высоты барьера от работы выхода металла наблюдается редко ввиду того, что на поверхности полупроводника из-за ее неидеальности имеются поверхностные заряды. Кроме того, на свойства контакта металл — полупроводник влияют токи утечки, токи генерации — рекомбинации носителей заряда в обедненной области и возможность туннельного перехода электронов в случае сильнолегированного |
С табилитроны предназначены для стабилизации напряжения в схемах; на их вольтамперной характеристике (рисунок) имеется участок с высокой крутизной, где напряжение на диоде слабо зависит от тока через диод. В РЭА применяют стабилитроны общего назначения, прецизионные, импульсные, двуханодные и стабисторы. Стабилитроны общего назначения используются в схемах стабилизаторов источников питания, ограничителей, фиксаторов уровня напряжения и др. Прецизионные стабилитроны применяют в качестве источника опорного напряжения с высокой точностью стабилизации и термокомпеисации уровня напряжения. Импульсные стабилитроны используются для стабилизации постоянного и импульсного напряжения и ограничения амплитуды импульсов напряжения малой длительности, а двуханодные — в схемах стабилизаторов, ограничителей напряжения различной полярности, и т.п.. Стабисторы предназначены для стабилизации малых значений напряжений (постоянных, импульсных), а также используются как термокомпенсирующие элементы для поддержания заданного уровня напряжения в схеме при изменении температуры окружающей среды. Принцип работы основан для большинства стабилитронов, за исключением стабисторов, на использовании электрического пробоя в p-n-переходе. При относительно малой концентрации примесей в базе диода наблюдается в его электрическом переходе лавинный механизм пробоя (высоковольтные стабилитроны с напряжением стабилизации (Uст > 6,3 В), а при высокой концентрации примесей возникает туннельный пробой (низковольтные стабилитроны с Uст < 6,3 В). Для кремниевого диода характерно постоянство напряжения не только в области электрического пробоя его перехода, но и на прямой ветви ВАХ, что используется в стабисторе. Простейшая схема стабилизатора напряжения приведена па рисунке на оборотн. Стабилитрон VD включен в обратном направлении параллельно нагрузке Rн. Участок на обратной ветви ВАХ стабилитрона является рабочим участком стабилизации напряжения. Рабочая точка А должна находиться между токами IRн и Icт.макс примерно посередине. Из этого условия выбирают сопротивление Rогр. В рабочей точке А напряжение на стабилитроне Uобр = Uст.ном. Диод, в котором для стабилизации напряжения в схемах используется прямая ветвь ВАХ, |
П ринцип работы туннельного диода основан на явлении туннельного эффекта в электронно-дырочном переходе, образованном вырожденными полупроводниками. Туннельный эффект приводит к появлению участка отрицательной проводимости на ВАХ туннельного диода при прямых напряжениях перехода. В обращенном диоде участок отрицательной проводимости на ВАХ отсутствует. Различают усилительные, генераторные, переключательные туннельные диоды. Усилительные диоды применяют в усилителях и гетеродинах приемных устройств, в схемах детекторов и смесителей диапазона СВЧ. Генераторные диоды используют в основном для построения СВЧ-генераторов в диапазоне волн 1—10 см, но они могут работать в быстродействующих импульсах и переключательных схемах. Переключательные диоды нужны для построения специализированных вычислительных устройств, логических сверхбыстродействующих схем, импульсных устройств наносекундного диапазона. Обращенные диоды имеют такую же область применения, что и переключательные туннельные, но иногда используются в схемах детекторов и смесителей СВЧ-диапазона. Концентрация примесей в р- и n-областях туннельного диода порядка 1020 см-3, т. е. в диоде используются вырожденные полупроводники. Толщина электрического перехода туннельных диодов составляет 1—10 нм. Туннельные переходы совершаются частицами без затраты энергии. Высокая концентрация примесей в р- и n-областях туннельного диода приводит к тому, что локальные уровни примесей образуют в вырожденных полупроводниках сплошную зону. Уровни Ферми полупроводников Ефр и Ефn будут расположены соответственно в валентной зоне р-области и зоне проводимости n-области. Энергетическая диаграмма p-n-перехода диода в состоянии равновесия показана на рисунке, где заштрихованные области соответствуют уровням энергии, занятым электронами с наибольшей вероятностью. В состоянии термодинамического равновесия зона проводимости n-полупроводника и валентная зона р-полупроводника перекрываются по энергии на величину δЕ=Ев—Еп. Поэтому электроны из зоны проводимости n-области могут туннелировать сквозь узкий переход в валентную зону р-области на свободные энергетические уровни, а электроны из валентной зоны р-области в зону проводимости n-области на свободные уровни энергии. При небольших прямых напряжениях заполненные электронами энергетические уровни зоны проводимости n-области частично расположатся напротив свободных уровней валентной зоны р-области. Поэтому в основном будут туннельные переходы электронов из |
Лавинно-пролетный диод — диод, основанный на лавинном умножении носителей заряда. Лавинно-пролетные диоды применяются в основном для генерации колебаний в диапазоне СВЧ. Процессы, происходящие в полупроводниковой структуре диода, ведут к тому, что активная составляющая полного комплексного сопротивления на малом переменном сигнале в определенном диапазоне частот отрицательна. Рабочей для лавинно-пролетного диода является область лавинного пробоя.Для изготовления лавинно-пролетных диодов используют кремний и арсенид галлия. Такие диоды могут иметь различные полупроводниковые структуры: p+-n-n+, p+-n-i-n+, m-n-n+ (m-n — переход металл-полупроводник), n+-n-p-p+ и другие. Распределение концентраций примесей в переходах должно быть как можно ближе к ступенчатому, а сами переходы — максимально плоскими. Рассмотрим в качестве примера p+-n-n+ структуру. Центральная слаболегированная n-область называется базой. При напряжении, близком к пробивному, обедненный слой p+-n-перехода распространяется на всю базу. При этом напряжённость электрического поля растет от n-n+-перехода к p+-n переходу, вблизи которого можно выделить тонкую область, в котором напряжённость превышает пробивное значение, и происходит лавинное размножение носителей. Образующиеся при этом дырки утягиваются полем в p+-область, а электроны дрейфуют к n+-области. Эта область называется слоем лавинного размножения. За его пределами дополнительных электронов не возникает. Таким образом, слой лавинного размножения является поставщиком электронов. При подаче на контакты диода переменного напряжения такого, что в течение положительного полупериода напряжение существенно больше, а в течение отрицательного — существенно меньше напряжения пробоя, ток в слое умножения приобретает вид коротких импульсов, максимум которых запаздывает по отношению к максимуму напряжения приблизительно на четверть периода (лавинное запаздывание). Из слоя умножения периодически выходят сгустки электронов, которые движутся через слой дрейфа в течение отрицательного полупериода, когда процесс генерации электронов в слое умножения прекращается. Движущиеся сгустки наводят во внешней цепи ток, почти постоянный в течение времени пролета. Таким образом, ток в диоде имеет вид прямоугольных импульсов. Этот режим работы диода называется пролетным. КПД этого режима не превышает 0,3. Если амплитуда переменного напряжения на диоде достигает значения, примерно равного пробивному напряжению, то в лавинной области образуется столь плотный объёмный заряд электронов, что напряжённость поля со стороны p+-области понижается практически до нуля, а в области базы повышается до уровня, достаточного для развития процесса ударной ионизации. В результате этого процесса слой лавинного умножения смещается и формируется в области базы на фронте сгустка электронов. Таким образом, в области дрейфа образуется движущаяся в |
Д иод Ганна — тип полупроводниковых диодов, использующийся для генерации и преобразования колебаний в диапазоне СВЧ. В отличие от других типов диодов, принцип действия диода Ганна основан не на свойствах p-n-переходов, а на собственных объёмных свойствах полупроводника. Традиционно диод Ганна состоит из слоя арсенида галлия толщиной от единиц до сотен микрометров с омическими контактами с обеих сторон. В этом материале в зоне проводимости имеются два минимума энергии, которым соответствуют два состояния электронов — «тяжёлые» и «лёгкие». В связи с этим с ростом напряжённости электрического поля средняя дрейфовая скорость электронов увеличивается до достижения полем некоторого критического значения, а затем уменьшается, стремясь к скорости насыщения. Таким образом, если к диоду приложено напряжение, превышающее произведение критической напряжённости поля на толщину слоя арсенида галлия в диоде, равномерное распределение напряжённости по толщине слоя становится неустойчиво. Тогда при возникновении даже в тонкой области небольшого увеличения напряжённости поля электроны, расположенные ближе к аноду, «отступят» от этой области к нему, а электроны, расположенные у катода, будут пытаться «догнать» получившийся движущийся к аноду двойной слой зарядов. При движении напряженность поля в этом слое будет непрерывно возрастать, а вне его — снижаться, пока не достигнет равновесного значения. Такой движущийся двойной слой зарядов с высокой напряжённостью электрического поля внутри получил название домена сильного поля, а напряжение, при котором он возникает — порогового. В момент зарождения домена ток в диоде максимален. По мере формирования домена он уменьшается и достигает своего минимума по окончании формирования. Достигая анода, домен разрушается, и ток снова возрастает. Но едва он достигнет максимума, у катода формируется новый домен. Частота, с которой этот процесс повторяется, обратно пропорциональна толщине слоя полупроводника и называется пролетной частотой. При помещении диода Ганна в резонатор возможны другие режимы генерации, при которых частота колебаний может быть сделана как ниже, так и выше пролетной частоты. Наряду с арсенидом галлия для изготовления диодов Ганна также используется фосфид индия, на котором и была достигнута наиболее высокая частота колебаний в диодах Ганна - 170 ГГц. На рисунке приведена иллюстрация эффекта Ганна. |
Выпрямительные высокочастотные диоды предназначены для нелинейного электрического преобразования сигнала на частотах до десятков и сотен мегагерц. Сигнал преобразуется за счет нелинейности ВАХ диода. Выпрямительные высокочастотные диоды используются в детекторах высокочастотных сигналов, смесителях, схемах преобразователей частоты, ограничителей, коммутационных элементов, нелинейных управляемых резисторов и т.п. Выпрямительные высокочастотные диоды универсальны по применению, т. е. могут выполнять все перечисленные функции. Статическими параметрами высокочастотных диодов являются те же параметры, что и у низкочастотных выпрямительных диодов. К динамическим параметрам относят граничную частоту работы fгр, индуктивность диода Lд, емкость корпуса диода Скорп и барьерную емкость перехода Сбар при заданном напряжении смещения на диоде Uобр, сопротивление базы rБ . Предельно допустимые параметры диода — это максимально допустимый прямой ток Iпр.макс и максимально допустимое обратное напряжение (любой формы и периодичности) Uобр.макс на диоде. При работе на высоких частотах выпрямляющие свойства диода определяют не только сопротивление электрического перехода rдиф, но и сопротивление базы rБ эмиттера rЭ, емкость перехода Спер. При этом емкость перехода и сопротивление р- и n-областей, а также время жизни неосновных носителей в базе диода для получения преобразования сигнала желательно иметь минимальными. Один из методов улучшения частотных свойств диода — это снижение емкости перехода путем уменьшения площади контакта. Поэтому высокочастотные диоды — микросплавные или точечные с площадью контакта порядка 10-5 см2. Для уменьшения времени жизни носителей базу диода легируют золотом. Малая площадь и неоднородность структуры электрического перехода приводят к появлению на обратной ветви ВАХ диода плавно нарастающего участка обратного тока вплоть до напряжения пробоя. Ток на прямой ветви ВАХ при достаточно больших значениях ограничивается сопротивлением растекания базы rБ. Оно часто больше сопротивления перехода, так как площадь электрического перехода диода чрезвычайно мала. Эквивалентная схема показана на рисунке на обороте. В схеме Lд — элемент индуктивности, учитывает индуктивности выводов и контактной иглы точечного диода; Скорп, Сбар, Сдф — конденсаторы, характеризующие наличие в диоде емкости корпуса, барьерной и диффузионной емкости перехода; rдиф, Ry и rБ —резисторы, определяющие дифференциальное сопротивление и сопротивление утечки p-n-перехода, а также сопротивление базы диода. Обычно Скорп < Спер, где емкость перехода Cпер = Сбар + Cдф. |
н аправлении n+-области лавина, которая оставляет за собой большое количество электронов и дырок. В области, заполненной этими носителями, напряжённость поля понижается почти до нуля. Это состояние принято называть компенсированной полупроводниковой плазмой, а режим работы лавинно-пролетного диода — режимом с захваченной плазмой. В этом режиме можно выделить три фазы. Первая — образование лавинного ударного фронта, прохождение его через диод, оставляя его заполненным плазмой, захваченной слабым электрическим полем. Ток, текущий через диод в этой фазе, существенно увеличивается из-за дополнительного размножения носителей в базе, а напряжение на диоде за счет образования плазмы снижается почти до нуля. Вторая фаза — период восстановления. База диода в этой фазе наполнена электронно-дырочной плазмой. Дырки из области базы дрейфуют к p+-области, а электроны — к n+-области со скоростью значительно меньшей, чем дрейфовая скорость насыщения. Плазма постепенно рассасывается. Ток в этой фазе остается неизменным. Наступает третья фаза, характеризуемая высоким значением напряженности поля в диоде и предшествующая новому образованию лавинного ударного фронта. Наибольшую длительность имеет именно третья фаза. Процессы режима с захваченной плазмой протекают заметно дольше, чем процессы пролетного режима. Поэтому при работе в режиме с захваченной плазмой контур настраивают на меньшую частоту. КПД режима с захваченной плазмой при этом заметно выше КПД пролетного режима и превышает 0,5. На рисунке изображены графики, иллюстрирующие процессы при пролётном режиме работы ЛПД. | |
|