Шпоры по электронике!!! (Шпоры к экзамену), страница 3
Описание файла
Файл "Шпоры по электронике!!!" внутри архива находится в папке "Шпоры к экзамену". Документ из архива "Шпоры к экзамену", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электроника" из 4 семестр, которые можно найти в файловом архиве МАИ. Не смотря на прямую связь этого архива с МАИ, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "электроника" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Шпоры по электронике!!!"
Текст 3 страницы из документа "Шпоры по электронике!!!"
Под влиянием различных внешних воздействий концентрация свободных носителей может превысить равновесное значение. Неравновесные носители могут возникать под действием внешнего электромагнитного излучения, вызывающего переброс электронов из валентной зоны в зону проводимости. Этот переброс может быть как одноступенчатым (непосредственно из зоны в зону), так и многоступенчатым — через уровни в запрещенной зоне, соответствующие ловушкам или центрам генерации. Внешнее излучение может быть световым (световая генерация электронно-дырочных пар), рентгеновским или γ-излучением. Аналогичный эффект дает воздействие ионизирующих частиц (например, α-частиц). Другим механизмом возникновения неравновесных носителей является ударная ионизация. Электрон или дырка, ускоряясь в сильном электрическом поле и соударяясь с атомом, вызывает его ионизацию и рождение электронно-дырочной пары. Такой тип генерации неравновесных носителей возникает при пробое p-n-переходов в большинстве полупроводниковых приборов. Одним из наиболее распространенных механизмов создания неравновесных носителей является введение (инжекция) их в данную область полупроводника извне, из другой, соседней области (например, инжекция электронов из области n-типа в область p-типа в p-n-переходе). Концентрации в неравновесном состоянии будем обозначать nn, pn для полупроводника n-типа и np, pp — для полупроводника p-типа, а в равновесном nn0, pn0, np0 и pp0 соответственно. Разности между неравновесной и равновесной концентрациями будем называть избыточными концентрациями электронов и дырок Δn, Δp. Одним из главных принципов, лежащих в основе многих физических процессов, является принцип электрической нейтральности полупроводника, заключающийся в том, что в состоянии равновесия суммарный заряд в полупроводнике равен нулю. В частности, для однородного полупроводника он выражается уравнением нейтральности p+NД+=n+NА-, где NД+, NА- - концентрации ионов доноров и акцепторов. В неравновесном состоянии уравнение нейтральности может нарушиться. В этом случае возникают объемный заряд и сильное электрическое поле, способствующее восстановлению нейтральности. Время, в течение которого восстанавливается нейтральность τрел, называется временем диэлектрической релаксации. Оно очень мало и определяется по формуле τрел = ρε0εП. Если избыточные концентрации носителей малы по сравнению с равновесными концентрациями основных носителей, то изменение избыточных концентраций в n-полупроводнике описывается дифференциальным уравнением генерации — рекомбинации d(Δpn)/dt = -(Δpn/τp) + G, где τp — параметр, называемый временем жизни неравновесных неосновных носителей; G — скорость генерации, задаваемая внешним воздействием, т. е. число неравновесных носителей, возникающих в единицу времени. Время жизни неравновесных неосновных носителей представляет собой |
Принцип работы выпрямительных диодов основан на использовании односторонней проводимости (вентильных свойств) электрического перехода для преобразования переменного тока в однополярный пульсирующий. Выпрямительные диоды широко применяют в цепях управления и коммутации РЭА, источниках питания, ограничителях выбросов напряжений. Наибольшее использование в РЭА нашли кремниевые, германиевые диоды, диоды с барьером Шотки, а в аппаратуре специального назначения и измерительной аппаратуре, работающей в условиях высокой температуры окружающей среды, — селеновые и титановые выпрямители. В высоковольтных источниках питания часто применяют выпрямительные столбы и блоки. Выпрямительные столбы представляют собой последовательное соединение выпрямительных диодов, объединенных в одном корпусе или расположенных на одной конструкционной несущей. Выпрямительные блоки являются конструктивно завершенными устройствами, содержащими соединенные определенным образом (например, по мостовой схеме) выпрямительные диоды. К основным статическим параметрам относятся прямое падение напряжения Uпр при заданном прямом токе Iпр, постоянный обратный ток Iобр при заданном обратном напряжении Uобр. К основным динам и ческим параметрам относятся Iвп.ср — среднее за период значение выпрямленного тока; Uпр.ср — среднее значение прямого падения напряжения при заданном среднем значении прямого тока; Iобр.ср— среднее значение обратного тока или среднее за период значение тока в обратном направлении при заданном значении обратного напряжения; Uобр.ср — среднее за период значение обратного напряжения; fгр — граничная частота, на которой выпрямленный ток диода уменьшается до установленного уровня. Частота fгр зависит от площади перехода и времени жизни носителей. К параметрам электрического режима относятся дифференциальное сопротивление диода rдиф, емкость диода Сд, включающая емкости электрического перехода и корпуса, если последний существует. В рабочем положении через диод протекает ток, и в его электрическом переходе выделяется мощность, температура перехода Tпер повышается. Выделяемая в переходе теплота рассеивается в окружающую среду за счет теплопроводности полупроводникового материала перехода, корпуса прибора и переходных теплопроводящих слоев между корпусом прибора и кристаллом. Отводимая от электрического перехода мощность прямо пропорциональна разности температур перехода и окружающей среды. В установившемся режиме подводимая к переходу Рподв и отводимая от него Ротв мощности должны быть равны и не превышать максимально допустимой мощности Рмакс, рассеиваемой диодом. В противном случае, когда рассеиваемая диодом мощность превышает Рмакс, тепловой режим прибора неустойчив и в его электрическом переходе возникает тепловой пробой. Выпрямительные диоды делят на низкочастотные, или силовые, используемые в основном |
И мпульсные диоды в основном предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах. Они имеют ряд конструктивно-технологических особенностей, обеспечивающих импульсный режим работы. Барьерная емкость и накопленный заряд носителей вблизи перехода — два фактора, определяющих инерционность диодов. Основными отличительными признаками импульсных диодов являются малые площадь электрического перехода и время жизни неравновесных носителей заряда в базе. Различают импульсные диоды с p-n-переходом (точечные, сплавные, микросплавные, диффузионные, мезадиффузионные, эпитаксиально-планарные и др.) и с барьером Шотки. В качестве исходного материала при изготовлении диодов используют германий, кремний, арсенид галлия. Отечественной промышленностью выпускаются также диодные сборки и матрицы. К импульсным диодам относят также диоды с накоплением заряда (ДНЗ). Различают параметры импульсных диодов, сборок и матриц: статические, параметры предельно допустимых эксплуатационных режимов и импульсные параметры. К статическим параметрам диодов относят постоянный обратный ток Ioбр при заданном Uобр, постоянное прямое напряжение Uпр при заданном Iпр. Для диодных сборок и матриц Uпр указываются для двух значений тока I'пр и I''пр, соответствующих областям малых и больших прямых токов на ВАХ. Из параметров предельно допустимого режима отметим Uобр.макс, Iпр.макс и максимально допустимый прямой импульсный ток Iпр.и.макс. Эквивалентная схема импульсного диода приведена на рисунке. В отличие от эквивалентных малосигнальных схем других диодов здесь параметры схемы— интегральные величины, зависящие от перепада тока или напряжения и записываемые через общепринятые параметры импульсного диода. На схеме конденсатор Скорп характеризует емкость корпуса диода; конденсаторы Сбар и Сдф моделируют соответственно усредненную барьерную и диффузионную емкости р-n-перехода; резистор Rp-n — сопротивление, зависящее от значения и полярности напряжения на переходе; Lэкв и Rэкв — эквивалент индуктивности и резистор, характеризующие процесс модуляции комплексного сопротивления базы в зависимости от уровня инжекции носителей в базу; резистор RБ0 моделирует сопротивление базы при малом уровне инжекции. На обороте изображена ВАХ импульсного диода. |
В арикап предназначен для использования в качестве электрически управляемой емкости. Принцип работы варикапа основан на использовании зависимости емкости электрического перехода от напряжения. Электрический переход варикапов имеет сложную структуру типа р-n-n+, p-i-n, МДП и др. Варикапы применяют в устройствах управления частотой колебательного контура, в параметрических схемах усиления, деления и умножения частоты, в схемах частотной модуляции, управляемых фазовращателях и др. В этих устройствах предпочтение отдается варикапам на основе барьерной емкости p-n-перехода. Исходным материалом для варикапов является кремний, а в последнее время — арсенид галлия. В сплавных варикапах электрический переход резкий, распределение примесей вдоль перехода по координате х, отсчитываемой от его металлургической границы, приблизительно равномерное для р+- и n-области, в диффузионных — плавное. Этим распределениям соответствуют зависимости Cв = f(U) — вольт-фарадные характеристики (ВФХ) варикапа (кривые 1 и 2 на рисунке). Эти ВФХ аппроксимируются выражением Св = Св0[φ0/(φ0-Uобр)]m, где m — коэффициент нелинейности ВФХ (m = 0,5 для сплавных и m = 0,3 для диффузионных); Св0— емкость варикапа при внешнем напряжении Uобр=0. Для получения более резкой зависимости CB = f(Uобр) в эпитаксиальных варикапах используются переходы со структурой р+-n-n+ и обратным градиентом распределения примесей в базе (кривая 3 на рисунке). Параметрами варикапа являются: Сн — номинальная емкость, т. е. емкость между выводами варикапа при номинальном напряжении смещения; Смакс — максимальная емкость — емкость варикапа при заданном минимальном напряжении смещения; Смин — минимальная емкость — емкость варикапа при заданном максимальном напряжении смещения; Кс = = Смакс /Смин — коэффициент перекрытия по емкости; ТК C=dC/(CнdT) — температурный коэффициент емкости — относительное изменение емкости варикапа при изменении температуры окружающей среды на 1 К в рабочем интервале температур при заданном напряжении смещения; QB — номинальная добротность варикапа — отношение реактивного сопротивления варикапа к полному сопротивлению потерь при номинальном напряжении смещения на заданной частоте, ТК Qв = = dQв/(QвdT) — температурный коэффициент добротности. |
в выпрямителях источников питания, и маломощные высокочастотные. Силовые диоды работают на частотах до fГР = 50 кГц. По силе выпрямленного тока различают диоды малой (Iпр<300 мА), средней (Iпр<10 А) и большой (Iпр>10 А) мощности. Высокочастотные диоды предназначены для преобразования радиосигналов на частотах в несколько десятков и сотен мегагерц. Вольт-амперная характеристика кремниевого диода для различных температур окружающей среды приведена на рисунке. | среднее время от момента появления неравновесного носителя до его рекомбинации. После прекращения внешнего воздействия скорость генерации G обращается в нуль, и дальнейший процесс описывается уравнением рекомбинации d(Δpn)/dt = -(Δpn/τp). Пусть в момент окончания внешнего воздействия (при t=0) избыточная концентрация дырок равна Δpn(0). При этом начальном условии получим следующее решение уравнения рекомбинации: Δpn(t) = Δpn(0)exp[-t/τp]. Пусть, например, Δpn(0) = -pn0, т.е. начальная концентрация дырок равна нулю pn(0)=0. Тогда неравновесная концентрация изменяется как pn(t) = = pn0[1-exp(-t/τp)]. Концентрация дырок нарастает от нуля до установившегося значения pn0; τp определяет скорость нарастания. Предположим, что в начальный момент Δpn(0) = 0, и начал действовать внешний источник, задающий скорость генерации G. Тогда, решая уравнение генерации-рекомбинации получаем Δpn(t) = Gτp[1-exp(-t/τp)]. Величина τp в данном случае характеризует скорость нарастания избыточной концентрации, а также определяет ее конечную установившуюся величину, равную Gτp. |
М алосигнальная эквивалентная схема варикапа приведена на рисунке. В схеме LB — элементы индуктивности выводов прибора (порядка нескольких микрогенри); конденсатор Скорп ≤ 1,5 пФ учитывает емкость корпуса; резистор rs=rЭ+rБ моделирует омическое сопротивление базы rБ с сопротивлением омического контакта и сопротивление эмиттерной области rЭ с аналогичным контактом; резисторы rдиф, Ry учитывают дифференциальное сопротивление и сопротивление утечки перехода; конденсатор Спер (Cбар) — эквивалент емкости перехода (барьерной емкости). На частотах до нескольких десятков мегагерц параметрами схемы LB и Скорп можно пренебречь ввиду их малости и ограничиться упрощенной схемой (на рисунке обведена штриховой линией). Сопротивление перехода при обратном напряжении на варикапе определяется сопротивлением утечки Ry. Типовое значение Rу > 1 МОм. Добротность варикапа уменьшается с повышением температуры, так как при этом возрастает сопротивление rs. С увеличением обратного смещения емкость Сбар и сопротивление rs уменьшаются, а добротность соответственно растет. Уменьшение rs в последнем случае объясняется расширением перехода и уменьшением толщины базы в n-области структуры варикапа. | В АХ импульсного диода. |