Шпоры по электронике!!! (Шпоры к экзамену), страница 2
Описание файла
Файл "Шпоры по электронике!!!" внутри архива находится в папке "Шпоры к экзамену". Документ из архива "Шпоры к экзамену", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электроника" из 4 семестр, которые можно найти в файловом архиве МАИ. Не смотря на прямую связь этого архива с МАИ, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "электроника" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Шпоры по электронике!!!"
Текст 2 страницы из документа "Шпоры по электронике!!!"
н осителей не уравновесит встречное диффузионное движение, обусловленное градиентами концентрации электронов и дырок. Электрическое поле обуславливает внутреннюю (контактную) разность потенциалов φ0 между n- и p-областями, т.е. потенциальный барьер. На рисунке показана энергетическая диаграмма p-n-перехода в состоянии равновесия. Уровень Ферми одинаков для всех областей. Наклон границ зон определяет электрическое поле в обедненном слое толщиной Lоб на этой диаграмме (ε=(dEп/dx)/q). Разность энергий электрона у дна зоны проводимости в левой и правой частях диаграммы Eпp-Eпn равна высоте энергетического барьера qφ0, соответствующего потенциальному барьеру φ0. Потенциальный барьер существует для основных носителей, движущихся к переходу. Для рабочего диапазона температур, где все примеси ионизованы, получим qφ0 = kTln[NаNд/ni2] = = ΔEЗ-kTln[(NпNв)/ (NаNд)] = Eфn - Ефp. В случае резко несимметричного перехода при Nа >> Nд формула для нахождения толщины обедненного слоя может быть записана как | |
Δnp=np0[exp(U/φТ)-1] и Δpn=pn0[exp(U/φТ)-1], если их разрешить относительно напряжения. При обратном напряжении толщина перехода возрастает непропорционально напряжению, в результате напряженность электрического поля перехода увеличивается и в нем преобладает дрейфовое движение носителей по сравнению с диффузионным: дырки из n-области и электроны в p-области вследствие хаотического теплового движения могут пересечь границы перехода, где они попадают в ускоряющее поле, переносящее их в соседнюю область. В результате уменьшаются концентрации неосновных носителей у границ перехода. Это явление называют экстракцией неосновных носителей. |
Н апример, диффузия носителей от границ перехода увеличивает полные заряды дырок Qp в n-области и электронов Qn в p-области. Для малого синусоидального сигнала на низких частотах [f << 2/эф] диффузионная емкость Cдф = k(dQp/dU)=kI0эфexp[U=/φТ]/φТ, где k = 0,5 … 1 – коэффициент, зависящий от толщины базы, U= - постоянная составляющая напряжения, эф – эффективное время жизни неосновных носителей в базе. Для быстро меняющихся импульсных сигналов данная формула непригодна. | переходы имеют участки, выходящие на поверхность полупроводникового кристалла. На поверхности вследствие загрязнений и влияния поверхностного заряда между p- и n-областями могут образовываться проводящие пленки и каналы, по которым идет ток утечки. Он увеличивается пропорционально напряжению и при достаточно большом обратном напряжении может превысить тепловой ток и ток генерации. Для тока утечки характерна слабая зависимость от температуры. |
При обратном напряжении (минус — к металлу) потенциальный барьер повышается пропорционально |U| (б). Обратный ток I0 образуется электронами, переходящими из металла в полупроводник, энергия которых достаточна для преодоления барьера qφ`мп I0 = = SAT2exp[-φ`мп/φТ], где S – площадь контакта, A – постоянная, для кремния равная 110. Обратный ток экспоненциально увеличивается при повышении температуры. Рассмотрим также омический контакт. Он используется практически во всех полупроводниковых приборах для формирования внешних выводов от полупроводниковых областей; для него характерны близкая к линейной ВАХ и малое сопротивление. В омических контактах металл — полупроводник за счет использования соответствующего металла в приконтактной области полупроводника образуется слой, обогащенный основными носителями и имеющий малое сопротивление. Кроме того, при больших концентрациях примесей для рассмотренных выше контактов толщина обедненного слоя уменьшается настолько, что наблюдается туннельный ток. При этом контакт хорошо проводит ток в обоих направлениях, т. е. является омическим. Таким образом, выпрямляющий контакт можно получить только для полупроводника с низкой концентрацией примесей. | д остаточную для образования новых электронно-дырочных пар путем ударной ионизации атомов полупроводника. При повышении температуры напряжение лавинного пробоя увеличивается, что объясняется уменьшением длины свободного пробега носителей. При меньшей длине пробега требуется большая напряженность электрического поля для того, чтобы носители приобрели энергию, достаточную для ударной ионизации. Таким образом, температурный коэффициент напряжения лавинного пробоя положителен. Тепловой пробой обусловлен нагреванием p-n-перехода вследствие выделения теплоты при прохождении обратного тока Iобр. Выделяющаяся на p-n-переходе мощность вызывает повышение температуры p-n перехода и прилегающих к нему областей полупроводника. Увеличиваются концентрация неосновных носителей и тепловой ток, что приводит к дальнейшему росту мощности и температуры. Напряжение теплового пробоя зависит от условий теплоотвода и снижается при повышении температуры окружающей среды. |