[2] Краткие Сведения Из Теории Электронного Строения Конденсированных Сред (Материалы с сайта Арсеньева)
Описание файла
Документ из архива "Материалы с сайта Арсеньева", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "материалы и элементы электронной техники" из 6 семестр, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "материалы и элементы электронной техники" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "[2] Краткие Сведения Из Теории Электронного Строения Конденсированных Сред"
Текст из документа "[2] Краткие Сведения Из Теории Электронного Строения Конденсированных Сред"
2. КРАТКИЕ СВЕДЕНИЯ ИЗ ТЕОРИИ ЭЛЕКТРОННОГО СТРОЕНИЯ КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕД
2.1. Классификация материалов
Материалы, применяемые в промышленности, можно систематизировать по различным признакам. Наиболее часто критериями систематизации материалов являются область их применения, реже — химический состав, происхождение, агрегатное состояние, структура и т. п. В зависимости от области применения различают четыре основные группы материалов: проводниковые, полупроводниковые, диэлектрические и магнитные.
ГОСТ 17033—71, ГОСТ 22265—76 и ГОСТ 21515—76 «Материалы электротехнические. Термины и определения» устанавливает различие между понятиями класса веществ (диэлектрики, полупроводники, проводники) и понятием «материалы». В табл. 2.1 приведены определения классов веществ и групп электротехнических материалов.
В настоящее время широко применяется деление электротехнических материалов на пассивные и активные. Пассивными или линейными называют материалы, основные макроскопические характеристики которых (, , , и т. д.) не зависят от величины приложенного электрического или магнитных полей. В противном случае материалы называют активными или нелинейными, т. е. подразумевается возможность управления их свойствами с помощью внешних воздействий. С этой точки зрения диэлектрические материалы могут быть пассивными и активными: ферромагнитные и полупроводниковые материалы в большинстве случаев являются активными. В то же время вышеприведенная систематика не отражает специфики ряда современных, наиболее интенсивно развивающихся областей науки и техники. К ним в первую очередь следует отнести материалы лазерной техники, сверхпроводники, материалы нелинейной оптики и т. д.,
Таблица 2.1
Класс вещества | Определение класса | Определение материала |
Диэлектрик | Вещество, основным электрическим свойством которого является способность к электрической поляризации и в котором возможно существование электрического поля | Диэлектрический материал – электротехнический материал, обладающий свойством диэлектрика |
Проводник | Вещество, основным электрическим свойством которого является электропроводность | Материал, обладающий свойствами проводника и предназначенный для изготовления кабельных изделий и токоведущих деталей |
Полупровод-ник | Вещество, которое по своей электрической проводимости является промежуточным между электроизоляционным и проводниковым и отличительным свойством которого является сильная зависимость его удельной проводимости от концентрации примесей и в большинстве случаев от температуры. Примечание. Удельная проводимость большинства полупроводников зависит также от различных внешних энергетических воздействий (электрического поля, света, ионизирующего излучения и др.) | Полупроводниковый материал, обладающий свойствами полупроводника |
Диамагнетик | Вещество, относительная магнитная проницаемость которого меньше единицы | |
Паромагнетик | Вещество относительная магнитная проницаемость которого не значительно больше единицы | |
Ферромагнетик | Вещество относительная магнитная проницаемость которого значительно больше единицы | Ферромагнитный материал, обладающий свойствами ферромагнетика |
Ферримагнетик | Вещество, намагниченность которого определяется разностью противоположных направленных магнитных моментов ионов кристаллической решетки. Примечание: Феноменологически ферримагнетики во многом сходны с ферромагнетиками | Магнитный материал, применяемый в технике с учетом магнитных свойств |
которые в настоящее время превратились в самостоятельные области материаловедения.
2.2. Энергетический спектр электронов в изолированном атоме и конденсированных средах
Согласно законам квантовой механики, энергия электрона изолированного атома, а следовательно, и энергия самого атома может иметь лишь определенный дискретный ряд значений энергии
Е0, Е1,..., Еп,
называемых уровнями энергии (энергетическими уровнями). Этот набор «разрешенных» значений энергии называется энергетическим спектром атома. Самый нижний уровень энергии Е0, при котором энергия системы наименьшая, называют основным. Остальные уровни— е1, Е2,..., Еn,— соответствуют более высоким значениям энергии атома и называются возбужденными, так как для перехода на них с основного уровня необходимо возбудить систему, т. е. сообщить ей дополнительную энергию.
При переходе электрона с одного уровня энергии на другой атом может излучать или поглощать энергию электромагнитных волн, частоты которых определяются соотношением
mn=(Еm—Еn)/h, (2.1)
где h — постоянная Планка; Еn и Еm - энергии начального и конечного уровней соответственно.
Решение задачи о стационарных состояниях и об энергетическом спектре любой квантовой системы может быть принципиально получено путем решения уравнения Шредингера
Н> = Е, (2.2)
где H — оператор Гамильтона (оператор полной энергии системы); — волновая функция от координат всех частиц, вид которой, так же как и разрешенные значения энергии, определяется решением уравнения (2.2) с соответствующими дополнительными условиями.
Для одной частицы, движущейся в центрально-симметричном* поле ядра свободного атома или иона, уравнение Шредингера имеет вид
* Центрально-симметричное поле характеризуется тем, что потенциальная энергия частицы в таком поле зависит только от ее расстояния r до некоторого центра.
(2.3)
где ћ = h/(2*π)*z*e2/r и ћ2/(2m)*Δ - величины, определяющие кинетическую и потенциальную энергии электрона в поле ядра: Δ = д2/дх + д2/ду + д2/дz— оператор Лапласа; т, е — масса и заряд электрона соответственно. Волновая функция Ψ, являющаяся решением этого уравнения, описывает стационарное состояние электрона с определенным значением энергии Е. Одновременно с энергией стационарное состояние подобной системы характеризуется также определенными дискретными значениями квадрата момента количества движения Мlорб и одной из его компонент (обычно z-компоненты). Возможный дискретный ряд значений этих величин определяется через квантовые числа п, l и ml.
Главное квантовое число п принимает целые значения (n = 1, 2, 3...) и определяет энергию стационарного состояния по формуле
(2.4)
Орбитальное (азимутальное) квантовое число l определяет значение квадрата орбитального механического момента по формуле {М1орб)2 = ћ2 l (l+1) и принимает при заданном п целые значения
l=0, 1, 2, ... , п— 1,
т. е. п значений. Состояния с последовательными значениями l принято обозначать буквами:
l=0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14
s p d f g h i k l m n o p r t
и соответственно называть s -состояниями, р-состояниями и т. д.
Орбитальное магнитное квантовое число ml определяет значение проекции орбитального момента М1орб по формуле М1zорб= ћml, и принимает при заданном l целые значения: ml =l, l-1, ...,-l, т. е. всего 2l+1 значений.
Для полного описания состояния электрона в атоме наряду с перечисленными выше квантовыми числами вводится
еще одно квантовое число ms называемое спиновым магнитным квантовым числом. Спиновое магнитное квантовое число ms определяет значение проекции спинового момента MРСПИН по формуле МрzСПИН= ћ ms и принимает лишь два значения:
ms = 1/2; —1/2.
Таким образом, характеристика стационарного состояния атома водорода или водородоподобного поля дается набором четырех квантовых чисел
п,l, тl, тs
C наглядной точки зрения, l и ml определяют величину и ориентацию (по отношению к произвольно выделенному направлению) орбитального момента М1орб, а ms определяет ориентацию (по отношению к тому же направлению) спинового момента, равного по величине 1/2.
Как следует из формулы (2.4), энергия одноэлектронного атома зависит только от главного квантового числа п и не зависит от l, ml и ms т. е. энергия подобной системы не зависит от ориентации его механических моментов. Если одному уровню энергии соответствует два (или более) различных устойчивых состояния атома, то уровень называют вырожденным, а соответствующие ему устойчивые состояния c одинаковой энергией называют вырожденными состояниями. Число g различных состояний с одинаковой энергией называют степенью (или кратностью) вырождения или статистическим весом. Вырожденные состояния отличаются значениями других квантовых чисел. Для водородоподобного атома при заданном значении l мы имеем 2l+l различных состояний, отличающихся значением тl. При заданных l и тl возможны два состояния, отличающихся значением тs. Таким образом, всего при заданном l мы получаем 2 (2l+1) независимых состояния, т. е. кратность вырождения уровня энергии по тs и тl с заданным значением l равна gl = 2 (2l+1). Степень вырождения уровня с заданным значением главного квантового числа п, если учесть, что l при этом принимает значения от 0 до п—1, равна
Ниже приведено число возможных состояний системы для последовательного ряда значений n от 1 до 5:
n = 1, 2=2*12;
n = 2, 2+6 = 8=2*22;
n = 3, 2+6+10 = 18=2*32; (2.5)
n=4, 2+6+10+14=32=2*42;
n = 5, 2+6+10+14+8=50=2*52.
Для состояния с заданным значением п и l принято использовать обозначение, при котором цифра указывает значение n , а следующая за ней буква - значение l:
n=1, l=0 обозначают 1 s;
n= 2, l =0, 1 —2s, 2 р;
n=3, l=0,1,2 — 3s, 3р, 3d; (2.6)
n=4, l = 0,1,2,3 — 4s, 4р, 4d , 4f
и т. д.
Наличие спина у электрона и связанного с ним магнитного момента приводит к дополнительному взаимодействию, не рассмотренному в приближении центрально-симметричного поля. Это взаимодействие называют спин-орбитальным взаимодействием.
При учете спин-орбитального взаимодействия уже ни орбитальный момент М1орб, ни спиновый МpСПИН не имеют определенного значения в состоянии с данной энергией. Таковым является полный момент количества движения J, определяемый как векторная сумма М1орб + МpСПИН.
Известно, что в квантовой механике полный момент квантуется по тем же правилам, что и орбитальный момент количества движения электрона, и равен