semicond2 (Галкин В.И., Булычев А.Л., Прохоренко В.А. - Полупроводниковые приборы)

Продолжение табл. 2.т А !!.!!ОА А /!31~!В ~ '! !!(с 12 12 20 !.24, и То же 124, а К1) асс с и и носа Спилл пи- 1,'! !16В ~,'сН:331 с с!14! с,с!34!В !,с!341В ,и!341 Г :!ЛЗ41Д ЗЛЗ41Е К 12 К К 3 Ж Ж 300 600 150 50 150 50 150 50 !О сс0 !о 10 !О 10 10 То же !24,л !.24. и полоса 4 2,8 28 с26 Я пнет евечення ссстгсчня сяетгя етей~юнсинн Огссванн К вЂ” крзсяый, ОР нрвнжевый, Ж вЂ” жечтый т — зеленый ' Цвет евечексис нзяеняетгя я завис,сностн нт ессссткнссссения токов через р сс ссерекойы г, сгссствететвсссс с рис ! а4, ж 26.

Электрические параметры линейных шкал и знаковых индикатоРов Линейные шкалы 126 То же АЛ317А АЛ317 )з АЛЗ17В АЛ317Г АЛ317Д 160 350 80 160 320 К К 3 3 ОК ок ОА ОА ОА 1О 10 10 10 10 12 12 12 12 12 3наковь ~е ипдикато 11 11 ры ок ок 1,25. а То же 1.25, в То жс 125, а АЛ304В АЛЗО4Г АЛ305А АЛЗОБВ АЛЗОБВ АЛЗОБГ АЛЗОБД АЛЗОБЕ АЛЗОБЖ АЛЗОБИ АЛЗОБК АЛЗОБЛ АЛС314А (140) (60) (60) (350) (350) (200) (120) (60) (120) (60) (350) (200) (120) (60) (350) 3 3 4 4 6 6 6 6 6 6 6 6 2 10 5 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 5 11 5,5 22 22 22 22 22 22 22 2 22 22 8 3 К К К К К 3 3 К К К К К ОК ОА ОА ОА ОА ОА ОА ОА ОК ОК ОК ЙК ОК Пр ода.тжсние табл 26 ' ОК вЂ” общий катод, ОА — обо7ии анод 4446Ф-А47474 ЕДЕЮВЛ ВЕ Л44Ил-в, 44747ФА 74447УМ ЕЕЕ ИВА ВГ 7 44 С Ю Е В 4 4 В 4аа'44 Ааа*ка ВиЮА Рис 1.25.

Конструкпня и основные размеры знаковых индикаторов ЛЛ МИ, АЛЕЮ/ФА Л 4444В Е4 тта Лат ааии Р в е д с и 6 л 44747е А4444тв 4 4 и 7 В С 4 В ц44ии44 паа4аа Е! В ~В 7!Вас Цаф Еа ~С а 7444ГЛА 7 Ф 'В Л 4ЩВ Е~Ю~Е и Рис 1 26. Конструкция и основные ривьеры линейных шкв,ч х тиеисторы 27. Электрические параметры тиристоров Ьт н вен вне обое ив в:яия Оярелс ~ения Гермина Ь оор яа~ Максимально допус~ имое пастаиннае обратное напряжение Максимально допу стимос постоянное прямое иапряжени Ток в закрытом со- стоянии Предельное допустимое обратное напряжение на тиристорс У яр вкр та~ Максимальное постоянное прнмое напряжение, при котором тнристор находится в закрытом состоянии Оснопной ~ок нрн иска~ором напряжении н закрьпом состоянии для опрсделеипога режима в пепи управляющего электрода ~иристора Анодный ток при определенном обратном напряжении на тиристоре Прямое напряжение в точке включения диоднаго тнристора Минимальный пастояннь|й ток упранлнющи о электрода, который абсспечивас] переключение тиристора из запертого головнин в открытое Основное напряжение на тиристоре прн определенном токе в открытом состоянии Минимальный основной ток, который необходим для поддержания тиристара в открытом состоянии Время, в течение которого тиристор переходит из запертого состояния в открытое Время, в течение которого тирнстор переходит из открытого состоянии в закрытое Предельный допустимый ток анода ~нр Обратный ток и Напряженис включения Постоянный отпирающий ток управляющего электрода внл мог Напряжение в открытом сост онн и и Удерживающий то Время включения инл Время выключения викл Максимально допустимый средний (импульсный) так в о~ крытом состоянии У ечкр ер евам ~ откр и та1 54 Злек ~ рическне параметры тиристоров представлены ц ~абл 27- — 30, а внешний вид и основные размеры см на рнс 2 1 24.

див»диче тиристоры (динисторы) ! с «о !о «о ос 4 «~ !о !! о и с о .4 з ь ! х о к'» с! с- с! !!3!!!! $!>р ! С к «! с О 2 ! ! ~0 ы о0 1,5 О,! 1,5 0,1 200 1,5 0,5 0,5 14 200 0,5 0,1 1,5 0,1 30 50 200 П р и и е ч а и н е Е!икоьть !конта!ьа по отис!нению н николами тиристора "ири от!кл!оисииыл тнристорс и генераторе ииичльсои нк должна быть более !о пФ, а е!о иидуктианость, акч!очсннан последовательно к тиристорои, э лтк! и 2 ЧЮ2, КН102 Рис, 2.1. Внешний вид н основные размеры дннисторов '11102А 1 ! !102А !!!02Ь КН1 025 : Н!02В К„Н102В 2!а 02Г КН!02Г 2Н102Д Кн102Д 2Н102Е КН!02е 2Н102Ж КШО2Ж 2Н102И КН102И %) 150 хо 15б йо 150 80 150 80 150 80 150 50 150 Ж 150 2! !о !О 1О !о 2 1О 2 10 2 10 2 ГО 40 10 40 1О 40 1О 40 !О 40 !О 40 !О 40 !О 40 1О с с г ~ С ! г~ СЬ СЧ СЧ С 4 С'4 С'4 С'4 С'3 ~О ~Л ~О кй О С> О О О О О ~й М Л ~О йЪ сС ~О ~~ «ИЪ ,тюы Йда 7 .хеш и йм.ю РЪ РЪ ФЪ С~Э С'Ъ о о с о с Еб МЬ И'3 ~О МЪ МЪ иЪ а~о о)с сэпо о~ба~а'о~ а~=~о~а аффбоф н ,тюш 4зг ди е я в э ю о а ~ в о в ~Х3 Ж сО Ж ~й Ж о'~ М С) ~й С) С4 РЪ РЪ СО РЪ СчЪ РЪ $Г.' ~1Ь МЪ МЪ С'4 С'4 СЧ СЧ ИЪ Ж Ж ЕО МЪ МЪ ЕО Ф Ф о о о о о о о о о о о о о .хам съ 4кха 10 37 о о о о ~Я ~<дЮи~Ю~ ~- ~ ~ СЧ ~ СЧ ~ СЧ ~ С4 -й й й~м м М Ь$ ~ С'4 М С'4 Ь4 СЧ ° 3 13 Х (я зы =~ ндал) азиопа аи 1ГМР~ Я ~ (~ щ~=~ мдю) миор ЭН 'ЗЯИ ~~~1 ажод эи н из А ~И вЂ” '-~) я вес ~4 86Б миор ан Омам ~~пи 6з дило ндп1 азад эн 'ц '~""д ц~Ж сч Мсч ~Ю (р О О ~'! с сч ~- 1 ~ 1 ~ ~ ~ ~ м ы м ы м о кз ~~ ~о с о Л ~Л и~ и.

~г„м~ д ~д и~ и~ ! СЧ ~4 СЧ С~3 с1 ~4 Оъ О~ СЬ О) сч сч сч сч о> о о о о о о о о о о о ч> ж я я о ~ ~л а, о о о сУ3 РЪ а сч1 сч~ сч~сч сч~ о сч с> сч о сч Б сч о "ч о сч о~о о ~о о|о о~о о~о о ~о с> о о о о о о о о" о о о о|о о~о о о и~ о о о о а о ж с мь о ю~ сР с0 4О о Ръ с~э 0". ы2 Я ~ф ~й АО ~О 11'~ Ж ~О сб сб О') с~„' ЮЪ ~О СЧ СЧ С'4 СЧ " " " С'4 С'4 о о Ж МЪ ~О Ж МЬ о о о с> о о о о о о о о о о о о о о 3Л о о о оо Ю Ф ъ р~ й й ~ч ° с~ дай,~ ~„"дЮщ~й~ ~ <~ ~~~д Зоо~~~ о оо~~8~8оо й~ Ф4 М с4 ся Ь4 сч М с'4 М с'4 М сч ~Од ~Й ~ ~ й~с~~д м~ ~~ «~ и~ ю Я иъ $ из Я и~ 8 ~а Я со Я со Я ~~~Ж~~М~~Ж~~Ж «~~~54 М Ж ~ч Ы ФЖй~„" сч 1- сч % о ~~ о сч $ ~ОЯ'-~~С ~ ~ ~ 1 ~ ~ 1,' 1 ,г,,е,г., ..П,Г,.

Е4 Е1С3 С1ССР. оссоссс сс~ ~~ ч~ ~~ ч~ ч- О С О а О С ~~~ ~~~О ч~~о ч~~с ~~'~~С О С С О О О О С О С С О СЧ ° Ф с~ «ф ООООООС ООСОО ОО' > Ос ООСЛО ~СО ОО СО 00 Гй СО ~О ~С! й 1' ~ (~~ Сб Гб с9 О" О О бЪ ~ОийиЪ иЪ МЪ |Фай О сО с~ С0 О Р- ~ 1 ~- » Ю Х -"~ ~ и3 Ж с- с ~ и~ Я ~а Ф сажЗЗЗЗааВЕЗсООООО- ъ ъ ~ ъ .'~ ъ ~ ~ь ~» ~ъ„.„~ .,;Ь ~ >. ~ ~ММММММММЖМсч ~еч ~сч Мса Сс ОООССОССС О О С С О С ОСССООСЛЛаю — О С С С 1 мф х х ос 1 х х й И "! С.ч о „ Ф С х их Ю х ф г ФЪ й,р "фс + га х г о ~ ч. ' о г ~.сч х В ~о О г ~) Ж > л '-' ,.с х а +х 6 ° д О ч ах О. 4 ~ м Ь ч Ф р р аоэ ххах 63 х О'о х Ео С'Ъ -Б ~ щ ч~ Ю Е Р х Я ч д.

г гчч ч хч а ах х х х Ф ~~ х х ч а. ххах г 1 $ с м$д й Ф чж г г~» х 2„ И е3 х Ф ххч О й. ювао хчж С хаю С ~ й хчю Ц х= о ~$ Ф и 3 д д у А й А А а с*~ с~ С'3 О4 с> с~ с сэ с> ~ с г л МЪ ИЪ 1.О ОЪ $.О М~ оЪ д д д д д Ф э~ С ф ! ' с„ ! ВГ~! ~ > ! ! е "~ 9Л "С ~' с=„с-с- Ы' 3~ В ! Б Ю Ю ~.3 у: ,ь,а ~ и 6 с~ $ Д~ 63 ~~7 д ~('„> л~ ~ „, Я ,г~,~~ ~~ ~,~д ~ ~д~л~~.~ ~й~~с~ „.~ С:2 О ~ С>ОС".)СР~"-'С:(~О ир ~О ц' ~.З ~~~~С~~С~СР=3 Я:~~ с.~ ~ ~ ...~ цр ~.~ с„р Р е Ь ЯКт.

е, ~ В~Д% ь~ ь~ ~~% «, ~о~ а~ в гТ Ф 3. ЬИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ЗЛ. Система обозначений биполярных транзисторов Биполярные транзисторы, разработанные до 1964 г., «, «ассифицировались по мощности (малой — Р ~ 0,25 Вт и боль«пон — Р:= 0,25 Вт) и по частоте (низкой — ~ ~ 5МГц и высок и — ) > Ь МГц). Условные обозначения плоскостных тран«и торов по ГОСТ 5461 — 59 состоят из двух или трех элементов.

11ервый — буквы П или Ч11. Буква М обозначает, что гер! пзация корпуса транзистора осуществлена методом холод- 0«««1 сварки, меньше влияющей на структуру и свойства полу««роводниковых переходов транзистора. По парамстрам эти «ранзисторы соответствуют таким же транзисторам без буквы Й и обозначении. Второй элемент — число, указывающее на область применнс«!««я и исходнь«й полупроводниковый материал: саломо«нные вь«еоко1«а. етотные: «ерманневые 401.. 500 крема««свыс 501 600 моп.«ные вы«.о очасто«.- ные гор «анневые 601 .700 кремнневые 7О1 .З00 !.«ломошиые ннзкоча! о«!«ь«е.

! ~ рм «н но««ы! 100 кремниевые 101 ..200 «п1ные низкочастотные. ! ! рманневые И1 300 кремниевые З01 .400 ! ~ ~~~а К !«!!ар Третий элемент — буква, обозна «ающан разновидность ! рпбора или модернизацию. В 1964 г ГОСТ 10862 — 64 была установлена новая система ««««значений полупроводниковых приборов В нее в 1972 г.

! п«сены уточнения В соответствии с этими стандартами сима обозначений биполярных транзисторов включает «несть ! ем ентов. Первый — буквы Г, К, А или цифры 1, 2, 3, обозна «ающие «н ~однь«й материал — соответственно германий, кремний илн «единения галлия (цифры используются для маркировки приров, предназначенных для применения в аппаратуре специ.«льного назначения). Второй элемент обозначения — буква Т. Третий — цифра, указывающая на основное назначение и ! .! «гственные свойства транзистора (см. таблицу).