semicond2 (1055332), страница 3
Текст из файла (страница 3)
31 Буквспнис обозначения Тс рчниы Оар.де«синя Постояннын 1ок ба гы в режиме н,".еыще11вя Импульсный ток кол. лектора о нзс Импульсное зпачгчгие тх.к<1 коллект- ораи при заданных сквг1,кносги и длительпосгн импульса Импульсное значение тока змитте- ра 1грн 1«гданныг«скважн ости и длит- ельностии иххпулъса Постоянное напряжение между вы- водамн змнттера н базы Постоянное напряжение между выводами коллекгогра и б,1 пг Поезояппое напряжение между вынодав111 коллектора н лмнхзсра 1к и Имгг~.гьепыи ток змит- тсра Рср К ср ПРИ РаЗОЧКВутОМ ВЫВОДЕ баэы — гХЗО„ /СЕсэг ~ Рн КОРОтКОЫМКНУХМК Ниаптат ЗЧИт тсра и базы гхчк гге„при заданном сопротивлении в ц~н~ б ~' ~ — эчи~ ср гкчп, 1ЕЕгг.
нРи ззлзииоч обратном напряжении зчнттер — база гкЗК, Ртг Х т 0 скече с оба«ей базой олн обшны зчнттером добавляется'индекс сов«в~ тствснно «б» н «э* даи огечественвмк бтквенныл обозначении н кг«» или «е» вЂ” для чс,кэунаротнык обозначений ' При токе базы, равном нулю, гткзо „„б, С' аягсео, зРи заданном сопРотнвлснни в ис ~и база — эчиттер стгСЗр, ~, 01агг,сЕЕ, аРи коро«ком э мыканни в ценз база — змнт гер окзк а б, Гггая1ее5, прв заданном обратном наррявсевни база — змиттср Ггхзх „ гг;ая,сех ' При заданном обратном токе зчнттера и токе коллектора, равном игл«з, Ьзво, , "гво При заданном токе козаекторв и токе эч|ттсрз„равном иул1о, акко, Г, нс» В Прн ЗадаиНОМ ТОКЕ КваЛЕКтара И ТОКЕ бати, раВИОЧ НУЛЮ, 0КЗО, ХУСЕО, Ири Зада»НОМ токе коллектора и сопротивлении и испи база — эмиттср гУкзи, Ггсея, при заданном ТОКЕ КОЛ»СКтОРа Н КОРОТКОМ Эамиианлн В ЦЕПИ баэа — Эиит«СР ггичх, Ггегб, ПРИ Заданном токе коллектора н заданно» обратном напри кении эчиттср — база ХУкз,, г- сех Постоянное напряже- ние эмиттер — база Постоянное напряже- ние коллектор база Постоянное напряже- ние коллектор — эмит.
тер Б ьгходн ая и ощность биполярного транзи- стора Постоянная рассеива- емая мощность бнпо- лярног о гранзистора Средняя рассеивае- мая могпность бипо- лярного трлн хнстора Импульсная рассеива- емая я мощность бипо- лярного транзистор а Постояннаи рассеива- емая мощность кол- лектора Средняя рассенвае мая мощность коллек- тора Мощность, которуго огдаег транзистор в типовой схеме генератора ~усилнтеля) иа заданной частоте Суммарное значение погтоян11о,'1 мошиосгн, рассеиваемой в транзисторе Усредненное за исриод значение мощности, рассеиваемой в транзнсторс Пиковое значение мощности, рассеиваемой в транзисторе, при работе в импульсном режиме Постоянное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе трлнисгора Усредненное з,1 период значение монгности, раск«1111.1смо11 на коллекторе три11з11« ~1«ргг 32.
Юднопсреходные транзисторы Буквсппые обо цанелнн Определен гл тсрчцны Обратный ток эмиттерного пере хода, сме!ценного в направлении, обратном базе Р Минимальный ток цепи базы 2 при заданном напряжении между базами и эмиттсрном !оке Значение эмнттериого тока, при котором происходит переход транзистора из закрытого состояння в открытое Наиме!!ьн!се значение эмнтгерного ! ока, при ко!ором сохраняется открытое состояние Прямое напряжение на эмиттсрс при заданном токе эмиттсра и межбазовом напряжении Отноптение максимально возможного зчнттериото напряжения на р-п-переходе к приложенному межбазовому напряжению Сопротнвление между базами транзигтора при задвинул! мсжбазовом напряжении Обратный ток унеттк н Так модуляции ! Бзчп!г Ток включсния Ток выключения выкл 6' БЭ нас Остаточное напряже- гги!» Коэффициент переда- ЧИ М ежбазовое сопр отив>гсние 6!Бз ст' Б,Бзчакс Максимально допустимое меж базовое напряженно Максимально допустимое обратное напряконие между эмнттером и базой 2 У Б,Э чакс ;ц.
двухэмиттерные транзисторы г! !~ и ч с н а л н я ! !!он«во указанных терчнлоа о«ределеаиа в б,квенцьт обозна«с ««н лсктрг!нсснгх ларачетров било.гнрвых трннзнсторое, рскочснтованныт ! г л ! ц)003 — 74, в справочнике дая бнлолярньгх транзисторов приводятся л другие о ««йн, „,„тепловое со!гротнаденне лерелод — корпус, 7! — тс"ловое сспротнв нсрсгод — окртжагошап среда 77~г(чпэ) — сопротнваеннс в пспц ачггттср база тчнттср3, ц„„— тсгнцсратура перехода, В„„температура кор!г)са, О„,з— чн гаттра окртжнкзйей среды, !н — длительность нгнпульса, Π— скаа класть имптль г„— вРсчл псРсклюненнн бнполЯРного тРанацстоРа, >з,„— сига«на ток >члтгеРз К буквекнгзч,г а«денгу чакснзгально долустнчых хца гслнгг' нарзветроп тобавлнготн ~ пан .
пил» Продолжение табл 83 Максимально Лопусти мое запирающее на- пряжение управпеиия мехкду коллектором и базой 1 или кол.,снто- ром н базой 2 Максимально допусти- мое напряжение на за крытом ключе между змит1ером 1 и эмнт- чером 2 Соп ротивлен не откры- гого ключа Сопротнвление, измеряемое ме,кду эмнттерамн транзистора при рабо- чих токах эмиттера н базы. 4. ЬИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЬ$ МАЛОЙ МОЩНОСТИ 4Л. Ьилспярные транзисторы малой мощности низкой чтоты Назначение выводов, внешний вид и осиовкые раз.и.ры корпусов биполярных ~раизис1орав малои моазности акои частоты приведены на рис. 4! . Я" ЪПЯ ~ЮО Г 7!05 гтрк Гтр КТ96 1 Рис. 4 1.
Бнпалярные траиэнсторы малой мощиосэ и низкой час- тоты а КТ110 кэ и~„~~от МП20, МП20Л, МП2ОЬ, МП21, МП21А, МП21Б, МП21В, МП21Г Гермаииевые сплавные транзисгоры р-и-р Предназначены для работы в различных устройствах радиоэлектронной аппаратуры в режимах усиления и переключения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис, 4,1, а). МП ол %Т20Ь МП20 м!!:! МП2! 4 ИП2! Б МП9! й МИ2!Г Гэе,кич нэжренин П эр эчетрм 50. 150 80 200 50 200' 20.. 100 50 ..150 20 60 50 200 20 80 20 150' 20 120' 15..100 20 .75 25. 150 15...60 80 250' 30.
150' И = — 60'С Ок!) 60 . 200~ ьо' мк 4 =50 :=ЗОО' ~ ~50 ~~~ 5эО ~ 250 -:'- "50 =. 1 ~ 00 ~ 300' ~~ 50 1,5 ~~ 50 ~ ~250 ~~ 50 1 ~ ~во' МГ! й э И, В К "3 нее' 1 г ~ОЗ ОЗ ~35 ' -30 -* 35 !. =!ОО мА э Пределы<о допустимые эи!.!!е!~ а ! апиоииыс данные У, Кв ви.э' У гэ исаэ' У~, эЬ гпту ~' — 40 — 60 — ЗΠ— Зо — 7!! гп — 70 — 30 — Л,э 1г :4») — ЗΠ— 300 l к е'а~' 300" 150 45 ЗОО' 150 45 ЗОО' 150 45 Р !, ма~' 'С/мйт 0,33 85 0,33 85 +70 0,33 85 — 60.. 0,33 85 ' При температуре 60 'С ' При температуре — 55'С, ' При температуре окр~~жа!оп»сй рассчнтыв а ется и о фор мул е РК ~7кв = — 5 В; 7а =25 мА; !' = 50..!000 Гц, О„р — — 20 'С И = 70'». о к!э ~7!»в = ~'кь ° 0 =20'С О, =70 "С У„~= — 30 В !э=5 мА 7к — ЗОО мА; 7 =60 мл 6» 0 — 60'С ~ !! — 60'С ~- О, То жс, при ~ !О мкс; Зг э»- ек!э и =70'С бакр 50.
150 20 80 го 200 2О.. !И 255 ... 150 15...80 среды более 35 "С мощность (мВт) = ~85 — О !/О, 33. МП25, МП25А, МП25Е„ А'»П26, МП26А, МП26Б Герианиевыс сплавные»рак зисторы р-п-р, Прсдназча кеиы для работы в переключающих и усили1ельиык каскадах радиоэлектронной аппаратуры цкироькц о к~ричсиеиия, Выпускаются и ме»аллостеклянном корпусе с ~ ибкими вь.водами 1рис 4.1, а) 11редельпо  — 60 'С ьке эксплуатационные данные 70 ОС 4 4 — 70б - — 70 — 70 зоо — 6О С вЂ” 60 'С вЂ” 6о С вЂ” 6О С вЂ” 60 'С 70 ОС 70 О» 70 'С 7О С ~5 оС зоо 2ООб 75 0,2 о,2 02 ' При кк = 1,5 мА; О „= — 35 В для МП26, МП26А и МП265 ' При Р = 20 мА для МП25А, МП26А и 7 = 15 мА — для МП25Ь, М П2И» ' При 0„„= — 35 В, При 0 к-50'С и Р с~100 мВт УКв ~иа~ ~(~'К.,р „„„— — 60 В.
' При о:; 35 'С мощность 1мВт) р,ккчи1ыьается по Формуле ак1~ Кь тах' У ЭБ тах' КЭГ К нас г~ак' иА как ~иск' мВт пк р пах' "» /РмВт О, 'С оьр' допустим с~К р . Окр — 40 — 40 — 40 ЗО»1 лоо 200б 75 — 4Π— 40 -40' 40О 400 200б 75 — 70' — 70 — 70б 400 4ОО 200б 75 м4 д -41 -Пг Уьз,д Ю И Ук„~ 0 И кз,~ м4 ~~ ~гкз,~ О ~~ ~~ ~кз ~ МП35, МП3бА, МП37, МП37А, МП37Б, МПЗЯ, МП38А Германисвые сплавные транзисторы а-р-а.
Пред- ~,~1начены для использования в каскадах усиления напряжения и~н~чсжуточной и низкой частоты, импульсных и других устрой- ~н ~х радиомскгрониой аппаратуры широкого примеиения. Выпускаются в металлостсклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 4.1, а) Предельно допустимые эксплуатациопныр В ~ =2ОООч Е =4ОС 15 !5 данные ЗО кзя тис' кв та~ К таа' К нас. а~ мА — 60'С =6 ~70'С вЂ” 60 С~аоокр~70 С вЂ” 50 "С~6 .=:55 С ОКр .Э нас ~, ах ЮВт ПАР 14д1»' ОКр' 150' 85 150' 85 ! 50' 85 — 60 +70 ' При температуре более 55'С мощность (мвт) рассчитывается по формуле Р, = 5(85 — 6 ) МП39, МП395, МП40, МП40А, МП41, МП41А Германиевые сплавные транзисторы р-п-р. Предназначены для работы в усилителях напряжения низкой частоты с ненормированным (кроме МП390) и нормированным (МП390) коэффнцнсн!ом шума.
Выпускаются в металлокерамичсском корпусе с гибкими выводами (рис. 4.1, а). БЭ ' окр Оохр = 40 'С вЂ” бо "С ~ 6 .~ 40 ~С 0: 40'С вЂ” 60'С..=6 ~70 С 10 15 !О 20 150 150 1О 15 10 20 150 150 20 ЗО 20 20 150 150 10 15 !О 20 150 150 15О' 85 да))!)ые эксплуат ациопные — 15 — 10 ))кр 0 = 40'С вЂ” 15 15 0:= 40 '"С вЂ” 10 — 20 О, =. 40 С вЂ” 15 — 5 20 150 150з — Ю "С вЂ” ! О.С вЂ” 60 С вЂ” 00 С ==. 70 ~ 70 ~70 в ) ! „се, )),) ь и и)и,)' мВ! )) ) 1~' ))~ !) ))), р ~ .у ))пь ! 0 ~ 0'"' ))л)) :-: 0 Скр = 0 лр 20 150 150' ~с оС О( 150 150' 0,2 85 0,2 85 +70 0,2 85 — 60 и г)р я~)' ) !) П редел ьно дону ст и мыс Ь'~,  — 60 'С: 0:-: 40 кь )))а ) ' ОКр  — 60 С-- 0 -- 40 С КБ и )))а),' о) р 1т!  — (ОС 0 " 40 ОС к ) ))))))' О),!) — 15 :30 — '10 — 20 — 20 :Зо — 15 — 20 — 15 :30 — 10 — 20 20 :ЗΠ— !5 — 20 à — о 20 11ри отсутствии запирающего смещении сопротивление в цепи база— эмиттер не должно превышать !О к!')и.
Среднее значение тока эмиттера за 1 с не должно превышать 40 мА. !1р)! )смпературе окружаю!цей среды от 55 до 70'С мощность син))..!).!.я по линейному закону до 75 мВт 81 м4 Ю ~Д -ЦГ -фЯ~Б,Я ~О Кб РЕТ П„,П Х~, Ю Фд Я П -Х -3 -б -Й -2 -Я~~~,6,У Ъ И 0 -Г -Ч -6 -д -И -2 И д дд 3% П -Х -6 -5 -ГУУ д МП42, ИП42А, МП42Б Германиевые сплавные транзисторы р-н-р Предназначены для работы в переключающих и импульсных устройствах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения Выпускаются в металлостеклянноч корпусе с гибкими выводами (рис, 4.1, а).
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
