semicond2 (1055332), страница 4
Текст из файла (страница 4)
м!!! «ь 11 уделы!о !(о!('«стпы! !! -!!~!.!! '!~ «!т«!ц!!о!!иы данные — 60 С вЂ” 60 'С вЂ” 6О С вЂ” 60 С вЂ” ь!) '(. В В и 'Х мА р /' ".хЦ~ г~! ' г ъ~р «ъ|0т с~ !1~ О 1'3!!~ (. и!«р 70 "С 70 '( 70 С 15 152 15О 3О 200' — — 15 !5( 150' 30' 2ОО" — !5 — 15! 15!У ':Й ~Бр .- 0" ~ ~!« ~ ! и 0 30' о(,0!« 70 С ( 0,2 85 «2 85 — 60 Предел ВЭ ьио допустимме «: 75'С = 100 'С ~ 10 кОм; -.= 75 С = 100 С эксплу«! ! ационныс данные — 30' — 15' — 15' к!~ ~"а1 — 30' — 20 — 30' О Р окр ЭБ 0 О!«р и!!р — 20 — 1Π— 30' — 15' //,, В «!' «! '. — 20 — 10 83 ' Для приборов со знаком качества / =2,!О мкА * Г1ри отсутствии запира(ошего смещения сопротивлепие в цепи база— — эмпттер не долж!!о нрев(!и!ать 3 кОм ' Д.!!! приборов со знаком качества / .
— 200 м!А к и «!!««! ' Среднее значение тока эмиттера за 1 с " Лля приборов со знаком качества!э,„„„=ФО мА. При увеличении температуры ог 45 до 70 "С мо!!(!!!!сть спи кается по линейному закону до 75 мВт. КТ104А, КТ104Б, КТ104В, КТ104Г Кремниевые эпнтакснально-планарные транзисторы р-и-р Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре широкого применения. Выплеска(отся в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами 1рис, 4.1, 6), !1 родолж ение )(т! (г) ~ ! )л)1змгтры ((1!п)а ((т)0(в ) Г!в4Г 10 10' ,! ! !Вт~(-„,, 1 Пр)(! „= 10 мЛ В )(нтерввве тг банер.!т~р от 70!,(гг 100 "(. нпнря е!!н ! ! И~ЗР я!гл н гок 1 .ме!1! ()г))!!г< ! !! ! ! !,!г!1!)!!.)~ ' При повь)г)(ен)()! т!м!!!11.!т,р!! !'! (!О !!! 1(и) ( т!! (о! ( МВТ ) Опр(; !!'„и!'! т~ я но фе)рм~лс <'з г„) ~0 0д с г с~ КЬ,(в,, ( );:),~са~, !Ы!)!1' ~ нч )н '.)г)н(!' сгь ,1 !.
Р -Ю -Ю -30 Р)~з, В 0 -10 -Л -.У0 Б'~з, 6 ГТ108А, ГТ!085, ГТ108В, ГТ108Г Гермаииевые сплавные транзисторы р и р Предназначены для работы в ус((лительпых и генератор!)ых ~с)ройствах малогабаритной радиоаппаратуры О.. ()')! год~' К п и1' '(! окр Й окр !(Л 0„,„ 0"" С( 100 С уг з~" 1(10 С 60 ( 10' 50 З0 150т 0,4 1(!' 5 ,>() й0 150' 0,4 )(! )О 15!) ' 0,4 !1нн!ускавтся в металлостекляпном корпусе с гибкимн вы> ~ )мл (рис 4 1, с». г> н Предельно допустимые эксплуатационные данные 0 ~55 "С 0 '" 20'Г »»[> — 1Π— !8 50 75' 0,8 — 1Π— 18 б0 75' 0,8 — !Π— 18 50 75' 0,8 гн» т~~»»р'>ттр>' св»>,»с %'Г ч >и!>'т»»»я р»">'»»>1>>'ая >р;:>л»>т»р»»»>'»»»о."т» !;>Я>1 »»>м>тся»» ф»1>~~1е Р =(30 — г> ),'О,8 Х>»х »»р ' ГТ!09А, ГТ109Б, ГТ109В, ГТ!09Г, ГТ109Д, ГТ109Е, ГТ109Ж, ГТ109И Германиевые сплавные транвисторы р-и-р.
Прслцн ~пачеиы для использования в миниатюрных радиовещатсльнн1~ приемниках, электронных часах, медицинской и другой ннаратуре промышленного н бытового прцмеиения Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы! ам и ! рис. 4,1, г1. В >> !»:> >х' кг»»»>' Е ', МА Ь»»»' !', мИ1 и»»»' и ц»»»>» > (.>у'и!$1 и, "С вЂ” 10 — 18 б0 75' 0,8 — 30. П!РОдо ВМЕНЦЕ Р = — 1,5 В, ! =05 мА; ) = 1 кГи Предельно лонуст1мые э1.1 н 1у, г11н11онн11е — ~0 — 18 ~о зо" 1,8 При Р = — 12 В,1 — О1 мА ,КБ ' ' Э При 1' = 1)В а При 0~О= — 1,2 Б 4 При тсипе ра~)ре свыще 2О 'С иог~етива оирсдевлется вс фори)ле Р =1БО— 1':, ге~ с л Га~ ~еивасеал каллекте1,оч юе1 иск.-ь 1иВТ) О )/18 ее р.
~БЪ~ 1) ~ ~~ ~кз.ц КЬ гиа * ~/ КЭ и аа' У т КВ ~ гад К и ах' Р Р К та~' "~.,~мйт 0 0 ~ ер др~' олр' в в ,, в м~ мВ 1И вЂ” 6 — 18 20 зо' 1,8 лянные 11) --6 — !8 20 30" 1,8 ГТ115А, ГТ115Б, ГТ115В, Г1'115Г, Г 1'115Д Гсрмапиевые сплавные транзисторы р-л-р Пред,- ~значены для работы в радиол~обнтельской аппаратуре в ка.) тве усилительных элементов. Выпускаются в металлогтсклянном корпусе с гибкими вывода ли (рис 4 1, д1.
— 20 20 30 50 — 20 20 30 50 мА мВт КТ117А, КТ1176, КТ117В, КТ117Г, 2Т117А, 2Т117Б, 2Т117Б, 2Т117Г Кремниевые планарные однопереходные транзи- ~ ! Оры и-типа Предназначены для использования В генераторах колебаний, преобразователях напряжения, устройствах вре- менной задержки, в устройствах управления тиристорами и в дру- 1нх устройствах с релеиными характеристиками.
Выпускаются в металлостеклинном корпусе с гибкими вы- н<>лами (рис, 4,1, е), 1)' Ь 1) ))) )) ) ' 1)' г)3 )))а~' ))) )) % ) 1) н', С к Предельно допустимые эксплуатационные длиые — 30 20 30 6 -- 45 *С 50 акр — 20 — 30 20 20 30 30 И0 50 — 20 ..+45 Прсдсльно допуст!!мыс эксилу !!,и!моииие дзииыс 30 30 50 с В е7, В Ь~Б~ н1а~' Ь~Э.
>лат' мЛ З. Рла т~ 30 30 50 30 30 50 1000 3%) 033 !000 30О' 0,33 1000 зоо-' 0,33 !О~в зоо-' 0,33 !1рн У = 2О В тлн КТ!17А, 1;Т! !75 н Г = 25 В ллн ЕТ! !711, КТ! 17Г Б,пу ' Пр~ температуре окружаю.ней средь ог 35 до 125 С допустимая мощность [чВт) опре детнетсн оо формуае Р— — Д (!'!5 — !! ! 1 ~й1 ойн мА и ~пах' мВТ Р оЦ фт е~ онр' Оон е. Зб 'С В открытом состоянии т ~ !О мкс Н 0 ~ 35'С онр 'еАн 1~У Ц6 ф дД Ы Ва О„„р,'С а в,в Р д чв вв де~р, с и КТ118Л, КТ118Б, КТ1!8В, 2Т118А, 2Т118Б, 2Т118В Кремниевые двухэмиттерные планарно-эпитаксиаль! ые транзисторы р-л-р Предназначены для использования в пЛЮЧЕВЫХ УСТРО!1етнах На НИЗКИХ ЧаСТОТЗ1 И и МЩУЛЯТОРЫХ.
! 1рнченя!отсн, как правило, в инверсном ик.!!о.енин. Бынуска!отея в !стал !остеклянноч корпусе с !!!0кичн выводами 1рнс. 4.1, ж). Предельно допустимые эксплуатационные да — 60...+ 125 ! н и тонышенпп теппе!1нт,рм от ! !~) то !зд - топ~от !чпп чпп!апета 1чвт) оппедетпет~ ~:!~оп 1~"~е Р = 2,п !2ВΠ— !! к „с И!! кияя и верхняя гран!!!~ы выходных харак!сристик от!ьных структур показаны на двух верхних рисунках, а входньн характеристики при малых и больших токах ба~ы — нн !!!!ек !!!! Х . и Ко т и!ая 1~ „в -«~д и!ах' Ш и!а~" , мА „1 ар-~ф ! !$ й в ~ 10 кОм; 0 --: 125 'С ~'=0; 0, .='12РС О ' - 12Р'С онп Одного при 0: 125'С окр Одной прн 0 <- 125'С 0 ~ 110 !.""' 15 30 31 50 25 25 ! 00! 0,4 нные 15 15 16 50 25 25 100' 0,4 15 15 16 50 2,") 5 100' 0,4 'Ю » К нА А»»»т» А Ю -л -ю п -4 -ду -пМ -Ши„,,ь з ид п~ И и~4, ~т„~,в иА Б П -3Ч дХ -46 -Ы7 -ф Р„~,д КТ! 19А, КТ119Ь Кремниевые плаиарныс одиопсрсходиые транзисторы п-тина.
11редназиачены для использования в низкочастотных генераторах, преобразователях напряжения и других устройствах с релейными характеристиками. Ьескорпусные с гибкими выводами (рис. 4.1, и), 4Л. Вилфлярные транзисторы малой мощности средней частоты Назначение выводов, внешний вид и основные размеры корпусов биполярных транзисторов малои мощности среднеи ц.п тогы приведены па рис. 4 2. ВРД~~~ Х ~1тМ1, кто Риг 4 2 Ьиполярные транзисторы малой мошностн средней частоты о лтЯдд КТ201Л, КТ2016, КТ201В, КТ201Г, КТ20!Д Кремниевые зпи ~ аксиальио-плаиариые траизис ~ оры л-р-а, Предиазначсиы для работы в устройствах ~инрокого применении.
Выпускаются в металлостекляппом~ корпусе с гиб- кими выводами (рис. 4 2, и) К!'203Л, К1'2ИЬ, КТ203В Кремниевыс эпитаксиально-иланариые транзисторы р-22-р Пред!! слначессы для нспользовання в ~силитсльных и ссч2с~л! сных устройствах радиоэлектроннг»с! аппаратуры широкопо прссменения. Выпускаются в лсеталлостсклянном корс2~сс с г»с0»к!!5!и вывочачи с,'рис, 4.2, а). ~30 150~ 30 2!. 0 за 23С1~3с! ж!с! !-2 2120 ==-5 =- 300 10 !як! -- 300 .:-и,!с!с! ! '15 -.1 ~ ~0,5» ~10 ~15 ~1 ::1 ="1О . 10 11редель»! 'К(»! ИУ,» с(»»!»!»2»»!»»,2( 22,222!»!.»С С»0' — 30 с 0» — 1СГ' — 15 — 30' ~'кь ш,.
с/ К.2СС»2»п»' — !5 15 10 50 150' 150 — 30 30 !0 50 ! 50' 150 1 Бэлпх К, ~»»йх' ~К и»пьх' пср»т»ах — 60,. + 125 Г'ри 2испичсиии темперитррм пт 75 ял !25'С»»диб»п» шсс напри,кспци и мпш»ость си»»н,и»лтси пл п»»нсйнпми зиклн~ 7ц, мА Хк. мА Б б,»С п,з икь — — В, 7,=1;2Л, О с 25'С; »и р 6 =- !2» <' О» !' О„,, — с!с С» = —."» 11 с, = 1 (»Р! кг,— 0 — 25'( 0о р ЭЬ ЭБ п»пх 7к —— 20 мА; 75=4 мА Ь'~, Б — — — 52 В; ~ = 10 М1 »с О 2(ос»усг»»ь!»». Опи, - 75 'С Ои„„= 125 "С Я~Б и- 2 с(Ом Оп, = !25 'С с1„„„~.. 125 'С 15! — 10 — 15' — 10 10 10 150! 150 КТ20ЯА, КТ208Б„КТ208В, КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж, КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М Кремниевые эпитаксиальио-плаиарные транзисторы р-п-р. Предназначены для работы в усилительных и генераторных устройствах радиоэлектронной аппаратуры широкого приме.
пения. Выпускаютси в металлостекляппом корпусе с гибкими вы. гэгами 1рис. 4.2, 6). Прслсльпо доп~стимиР ЗксплузтзциОпные даип~~~е КТ208Л, КТ20Й. КТ208В КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е КТ208Ж, КТ208И, КТ208К КТ208Л, КТ208М ~к су1д~ при Рк < Рк,„<,„, Эо)(р ~~ 125 'С, мА ~к „„,„, при т„~ 0,5 мс, (~ = 2, 0„„=- 125 С, мЛ -30' .-48' 60" — !О 300 500 . 100 200' КТ209В, КТ209Г, КТ209Л, КТ209И, КТ209К. КТ209Л, КТ209А, КТ209Б, КТ209Е, КТ209Ж, КТ209М Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы р и-р Предназначены для работы В усилительиых и импульсных зтнкромодулях и блоках герз4етизнроваиной аппаратуры. Выпускаются в двух вар14аитах пластмассового корпуса с гибкими выводами ~рис. 4,2, в).
Предельно дан устимые эксплуатационные данные мошноста (мвт) рассчитывается па форм ле РК „,„,—— 4 Галкин В и и ар 11ри пони кенни 1стпературм закону ао — 1О В ' Прн понижении температуртз з, кону ла — 25 В ~ При поник енин температуры закону зо 40 В ' Прн понижении температурм закону ло 55 В ' 11ри ианижеинн темперзттрм закону до — 15 В ' Прн тсмпсзатуре более 35 -С = 1125 — 0„,„1/0,45 ат 25 ао — 45'С напряженна сиижаетсп го линейному от 25 ао — 45'С аапряжецнс сиижастсп го линейному от 25 аа — 45'С напряжение снижается го линейному от 25 на — 45'С напряжение сннжаетсп го линейному от 25 до -45'С напряжение сиижастсп на линейному Хеъ м4 в Хк! мА а,в 1„, м4 к, 4.3.
Ьилолярные транзисторы малой м,ощносги высокой частоты Назначение выводов, внешний вид. и основные размеры корпусов биполярных транзисторов малой мощности высокой частоты приведены на рис 4 3 .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
