Борисенко В.Е. - Наноэлектроника (Теория и практика), страница 75

Мл Бином. Лаборатория знаний, 2011. ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ А Ааронова — Бома эффект 200-202, 346 амфифильное вещество 152, 346 аллотропия 193, 346 Андерсона правило 52 — 53, 346 атомная инженерия 106 — 111 атомная силовая микроскопия 66, 105 — 106 Б баллистический выпрямитель 224 баллистический транспорт 22, 207-209, 221 — 225, 346 Бира — Аронова — Пикуса механизм 290 — 291, 346 бозе квантовая жидкость 347 бозе-частицы 347 Бозе-Эйнштейна распределение 347 бозоны 347 боровский радиус 347 В Вегарда правило 44, 347 взрывная литография 119 вицинальная поверхность 143, 347 водородная связь 347 Валмера — Вебера режим 142, 149 — 150 Г гальваностатический режим 98 гамильтониан 286 — 287, 347 Гейзенберга соотношение неопределенностей 14, 347 — 348 гель 138, 348 гетероструктура 348 гетерофуллерен 194, 348 гигантского магнитосопротивления эффект 269 — 273, 348 гидрид 69, 74, 348 гидрофильное вещество 152, 348 гидрофобное вещество 152, 348 граница подвижности 214 граничные состояния 214 графен !80 — 186, 348 362 Предметный указатель Л двумерный электронный газ 17, 348 двухбарьерные структуры 230-235, 255-259 де Бройля волна 13, 348 дельта-легированная структура 57 — 59 диффузионный транспорт 349 длина спиновой релаксации 34 длина фазовой когерентности 22 Дьяконова — Переля механизм 292 — 293, 349 3 Зеемана эффект 285, 349 зсль 138, 349 золь-гель-технология 138-139 И интерференционные транзисторы квантовые 217 — 221 интерференция электронных волн 199 — 203, 349 К квантовая пленка 15 — 17„349 квантовая точка 18-20, 349 квантового сопротивления единица 25, 350 квантовое ограничение 12-15, 350 квантовой проводимости единица 25, 350 квантовый колодец 13, 51 — 55, 350 квантовый точечный контакт 25-26 квантовый шнур 18, 350 кластерное осажден не 140 Кнудсена ячейка 82 коллоидные частицы 65, 350 Кондо температура 297, 350 Кондо эффект 296 — 300, 350 контактный перенос 110 координационная связь 350 кулоновская блокада 227, 350 кулоновскаялестница 232, 350 кулоновские алмазы 237, 351 кулоновские осцилляции 239 кулоновский зазор 229 Кюри температура 35, 351 Предметный указатель заз л Ландау уровни 213, 351 Ландауэра — Бюттикера формализм 204 — 207, 351 Ликурга кубок 64 литография 115, 128-130 - ионно-лучевая 130 — 131 - оптическая 129 — 130 - рентгеновская 130 - сканирующими зондами 120 — 123, 131 - электронно-лучевая 115 — 120, 130 логические элементы 250-253 локализованные состояния 214 Лэнгмюра пленка 151, 351 Лэнгмюра — Блоджетт пленка 151 †1, 351 М магнитосопротивление 37, 268, 351-352 межфазная граница 38, 40 металлорганика 68 — 73, 352 модуляционно-легированная структура 55 — 57 молекулярная динамика 45 — 48 молекулярная механика 48 — 50 молекулярно-лучевая эпитаксия 81 — 84 МОП-структура 60 — 61, 212 Н нанокристаллит 352 нанолитография 115-132 — зондовая 120-123, 131 - перьевая 122-123 нанопечать 124-127 - с фотополимеризацией мономера 126 — 127 - тиснением 124-126 - чернильная 124 наноструктура 9, 352 нанотехнология 64, 352 наночастица 64, 352 наноэлектроника 8, 352 Нееля температура 35, 352 низкоразмерная структура 8, 353 О однозлектроника 237, 353 однозлектронное туннелирование 32, 226 — 236, 353 Предметный указатель одноэлектронные приборы 236 — 253 - генератор накачки 245 — 247 - ловушка 242 — 244 - параметрон 251-253 - транзистор 236-242 - турникет 245 — ячейка динамической памяти 244 — 245 окисление 95, 112-113, 353 оксидирование 95, 112-113, 353 осаждение атомарных слоев 77 — 78 осциллируюшее обменное взаимодействие 270 — 271 отрицательное дифференциальное сопротивление 257 отрицательное сопротивление изгиба 207 — 209 П параллельные процессы 107 — 109 Паули спин-матрицы 286, 353 переходный элемент 100, 353 перпендикулярные процессы 110 — 111 полевая диффузия 107 — 108 полевое испарение 1!0 пористые оксиды 164 — 178 - алюминия 164 — 171 - вольфрама 175-177 - гафния 177-178 — титана 172-175 — циркония ! 78 пористый кремний 159 — 164 потенциостатический режим 98 принцип «сверху-вниз» 66 — 67 принцип «снизу — вверх» 67 прозрачность туннельного барьера 28 — 33 Р работа выхода 52, 354 разбавленные магнитные полупроводники 33 — 37 расширенные состояния 214 Раазбы эффект 286 — 288, 354 резонансно-туннельные транзисторы 263 — 264 резонансно-туннельныйдиод 259-263 резонансное туннелирование 32, 255-259, 354 реконструкция поверхности 38-40 рентгеноаморфное вещество 354 Прелметнмя указатель зб5 с самоорганизация 136 — 150, 354 - в объемных материала 136 — !41 - при эпитаксии 141 — 150 самосборка 132-135 сверхрешетка 41 — 45, 355 — напряженная 42 — 43 — псевдоморфная 42 — 43 - релаксированная 42-43 свободная поверхность 38 — 40 седиментация 355 сенсоры 309-311 сканирующая туннельная микроскопия 66 скольжение 108-109 солитон 243, 355 сотуннелирование 233-235, 355 - неупругое 234 — упругое 235 спин 355 спиновые транзисторы 301 — 309 - время-пролетный 303 — 305 - магнитный туннельный 308-309 - полевой транзистор 301-303 - спин-вентильный 305 — 308 спиновые эффекты 33 — 37 спиновый вентиль 273, 355 спинтроника 267, 356 средняя длина свободного пробега 21 — 23 - при неупругом рассеянии 22 — при упругом рассеянии 22 сродство к электрону 52, 356 стандарт постоянного тока 248 — 249 стандарт температуры 249 — 250 стандартный электродный потенциал 85 Странского — Крастанова режим 142, 144 — 149 структура с расщепленным затвором 61 — 63 считывающая магнитная головка 311 — 312 Т точка поворота 30 туннелирование 27-33, 356 туннельного магнитосопротивления эффект 278 — 284, 356 Збб П елметаый кататель углеродные наноструктуры 179 — 196 углеродные нанотрубки ! 86 — 192, 356 универсальная баллистическая проводимость 24 Ф фактор заполнения 215 Ферми длина волны 23-24, 356 Ферми квантовая жидкость 356 Ферми скорость 22, 24 Ферми энергия 356 Ферми — Дарана распределение 356 ферми-частицы 357 фермионы 357 флуктуация проводимости 203 Франка — Ван-дер-1кзерее режим 142 — 144 фуллерены 192 — 196, 357 - экзоэдральные 194 - эндоэдральные 194 фуллериты 194, 357 Х Хейслера сплав 35, 357 химическое осаждение из газовой фазы 67 — 81, 113 — 114 Холла эффект 2!0 — 216, 358 - квантовый 211 — 212 - квантовый дробный 212 - квантовый целочисленный 212 Ш Шайфера метод 157 — 158 Шоттки барьер 358 Шредингера уравнение 28, 358 Э злектромиграция 110 электрохимическое осаждение 84-95 элементарные низкоразмерные структуры 15-21 Элиота — Яфета механизм 291 — 292, 358 энергонезависимая память 312 — 316 эффузионная ячейка 82 .