Реферат: Резонансно-туннельные диоды на основе углеродных материалов

За последние два десятилетия резонансные туннельные диоды (RTD) привлекли большое внимание после новаторская работа Эсаки и Цу. Значительное достижения были достигнуты с точки зрения RTD физика устройств, моделирование, технология изготовления, схемотехника и приложения. RTD широко изучены, и было опубликовано более тысячи научных работ написано о различных аспектах этого, казалось бы, простого устройства. Тем не менее, пока неясно, найдут ли RTD свое место в основной электронике в будущем. Исследование продолжается и в некоторых областях очень активно. [1]

Хорошо задокументировано, что современная передовая информация технология в основном связана с электронным представлением и обработкой информации недорогим, высокоскоростным, очень компактным и высоконадежным способом, и что поиски и достижения постоянной миниатюризации и интеграция твердотельной электроники были ключ к успеху компьютерной индустрии и компьютерной приложения. Развитая мультимедийная инфраструктура и услуги в будущем потребуют дальнейшего сокращения размер чипа. Плотность микросхемы, представленная технологией памяти, следует закону Мура и примерно вдвое увеличил раз в два года в течение последних трех десятилетий.

В сочетании с другими устройствами, такими как полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник, высокий. Были предложены и исследованы транзисторы подвижности электронов и биполярные транзисторы с гетеропереходом, различные схемы с использованием RTD. В последнее время добавлены схемы на основе логического элемента моностабильно-бистабильного перехода, которые состоят из двух последовательно соединенных RTD. Сильный преимуществом конструкций логических схем RTD является низкая мощность требования, сверхкомпактный дизайн и уменьшенная сложность схемы за счет (NDR) отрицательного дифференциального сопротивления RTD. [2]

Целью даннסгס реферата является исследסвание резонансных туннельных диодов на סснסве углерסдных материалов.