Для студентов МГТУ им. Н.Э.Баумана по предмету Микроэлектроника и схемотехника (МиС)Курсовая работа по микроэлектронике и схемотехнике - Вариант 18Курсовая работа по микроэлектронике и схемотехнике - Вариант 18
2022-05-122024-09-03СтудИзба
Курсовая работа: Курсовая работа по микроэлектронике и схемотехнике - Вариант 18 вариант 18
-41%
Описание
Курсовая работа по микроэлектронике и схемотехнике - Вариант 18
ЗАДАНИЕ
- Рассчитать параметры резисторов R1, R2, Rэ и Rк, исходя из заданного положения рабочей точки в классе А (IкА) и ее нестабильности (S) при напряжении источника питания схемы (Ек), типе транзистора (VT1), для схемы, изображенной на Рис.1.
- Используя любую из программ анализа электронных схем, промоделировать работу схемы на постоянном токе. Рассмотреть узловые потенциалы в схеме. Построить передаточную характеристику схемы на участке база-коллектор транзистора Uk=f(Uб) и нанести на нее рабочую точку. Обозначить на характеристике области работы транзистора.
- Изменить коэффициент усиления по току транзистора (Вст) в два раза и определить, на сколько изменится ток коллектора. Проделать то же, изменив неуправляемый ток коллекторного перехода в десять раз.
- Дать заключение о степени соответствия прогноза, сделанного на основании аналитических расчетов, и результатов моделирования по работе схемы на постоянном токе.
- Оценить расчетным путем основные малосигнальные параметры рассматриваемой схемы Kuo, Kео, Kio, Kp, Rвх, Rвых, а также при какой амплитуде входного сигнала в схеме возникнут нелинейные искажения.
- На основе сведений о нижней граничной частоте (Fн) полосы пропускания усилителя с учетом данных о сопротивлениях нагрузки (Rн) и источника сигнала (Rг) определить емкости разделительных (Ср1 и Ср2) и блокировочного (Сбл) конденсаторов. Спрогнозировать верхнюю граничную частоту (Fв) полосы пропускания усилителя.
- Промоделировать работу схемы на переменном токе и построить АЧХ и ФЧХ усилителя, по которым определить граничные частоты полосы пропускания усилителя. Определить также на основе моделирования с использованием зависимого источника сигнала входное (Rвх) и выходное (Rвых) сопротивления усилителя на средней частоте.
- Предсказать аналитически и исследовать с помощью моделирования реакцию усилителя на импульсный сигнал малой величины.
- Провести сравнение аналитических прогнозов поведения усилителя на переменном токе с результатами моделирования и сделать необходимые выводы.
Оформить отчет о проделанной работе, в котором представить:
- Исходные данные.
- Аналитические расчеты параметров деталей схемы и параметров выходных сигналов, характеризующих ее поведение на постоянном и переменном токе.
- Результаты моделирования в виде распечаток принципиальной схемы с узловыми потенциалами, передаточной, амплитудно-частотной, фазо-частотной и переходной характеристик. Приведенные графики должны быть обработаны и на них указаны извлекаемые параметры.
- Распечатки библиотечных параметров транзистора (VT1), источников синусоидального и импульсного сигналов с объяснением каким образом все эти параметры были назначены.
- Выводы по работе.
Исходные данные:
Таблица 1
№ | IкА | S | Eк | Тип | Fн | Rг | Rн | Cн |
п/п | mA |
| В | транзистора | Гц | кОм | кОм | пФ |
12 | 1 | 7 | 12 | KT315Г | 100 | 3 | 2 | 150 |




Файлы условия, демо
Характеристики курсовой работы
Учебное заведение
Вариант
Просмотров
55
Размер
1,26 Mb
Список файлов
Курсовая работа по микроэлектронике и схемотехнике - Вариант 18.doc

Ваше удовлетворение является нашим приоритетом, если вы удовлетворены нами, пожалуйста, оставьте нам 5 ЗВЕЗД и позитивных комментариев. Спасибо большое!