Лабораторная работа 4: Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов, моделирование стенда измерения вариант 32

Вариант: 32 Расчетная модель: .model KD102B D(Is=910.8f Rs=6.325 N=1 Xti=3 Eg=1.11 Bv=300.2 Ibv=1.521m Cjo=3.27p Vj=.71 M=.32 Fc=.5 Tt=6.12e-9)
Цель работы:
Получение и исследование статических и динамических характеристик германиевогоикремниевогополупроводниковыхдиодовсцелью определение по нимпараметровмодели полупроводниковых диодов, размещениямоделейвбазеданныхпрограммсхемотехническогоанализа. Приобретениенавыков в использованиибазовых возможностейпрограмм схемотехнического анализа для исследования статических и динамических характеристикполупроводниковыхдиодовспоследующимрасчетом параметров модели полупроводникового диода. Приобретение навыков в экспериментальном исследовании полупроводниковых приборов. Освоение математических программ для расчета параметров модели полупроводниковыхприборовнаосноведанныхэкспериментальных исследований.