Для студентов МГТУ им. Н.Э.Баумана по предмету ЭлектроникаИсследование полупроводникового диодаИсследование полупроводникового диода
5,0054
2021-04-012025-09-20СтудИзба
Лабораторная работа 1: Исследование полупроводникового диода вариант 4
-82%
Описание
Зачтено на максимальный балл
Цель работыПолучение и исследование статических и динамических характеристик полупроводникового диода с целью определение по ним параметров модели диода, размещения модели в базе данных программ схемотехнического анализа. Приобретение навыков в использовании базовых возможностей программ схемотехнического анализа для исследования статических и динамических характеристик полупроводниковых диодов с последующим расчетом параметров модели полупроводникового диода. Освоение математических программ для расчета параметров модели полупроводниковых приборов на основе данных исследований.
Исследование ВАХ полупроводникового диода Первым этапом в изучении полупроводникового диода является построение его ВАХ. ВАХ строится для постоянного тока. При этом, несмотря на то, что ВАХ диода является непрерывной функцией, ее обычно делят на две части – прямую и обратную ветвь. В первую очередь это связано с тем, что для получения прямой и обратной ветви ВАХ требуются различные электрические схемы. Кроме того, в связи с большими различиями в значениях тока графики прямой и обратной ветви удобно строить в разных масштабах. Прямая ветвь Для получения ВАХ требуется измерять ток и напряжение на диоде. Для этого нужны амперметр и вольтметр. Они не будут влиять на результаты только в идеализированном варианте, когда сопротивление первого равно нулю, а второго стремится к бесконечности. При проведении реального эксперимента погрешность все равно будет, она будет тем меньше, чем меньше сопротивление амперметра и больше сопротивление вольтметра. Для получения ВАХ воспользуемся схемой, представленной на рисунке 1.
Характеристики лабораторной работы
Предмет
Учебное заведение
МГТУ им. Н.Э.БауманаНомер задания
Вариант
Просмотров
188
Размер
665,69 Kb
Список файлов
Лабораторная работа № 1 вариант 4 (Исследование полупроводникового диода).pdf
![Картинка-подпись](https://s.studizba.com/z.php?f=/uploads/fotos/podpt_77101_43091.jpg&w=1632&h=400&t=1")
Друзья, спасибо за доверие! Если вам понравилась работа – поставьте 5⭐ и напишите отзыв. Это поможет другим студентам, а мне даст силы делать ещё больше качественных материалов для вас 🔥
anhyeuem
01 апреля 2021 в 14:32
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
