Курсовая работа: Построение эффективной границы обедненной области в среде MatLAB»

АННОТАЦИЯ

В курсовой работе представлено повторение лабораторной работы аналогичной темы, которая была выполнена в среде MatCAD, применительно к среде MatLAB. В работе определяется положение эффективной границы обедненной области в полевом транзисторе Шоттки. В первом разделе приводятся теоретические положения, описывающие методы решения задачи. Во втором разделе представлены результаты моделирования в среде MatLAB. Полученные результаты совпали с расчетами лабораторной работы в MatCAD.










SUMMARY

The course work presents a repetition of laboratory work on a similar topic, which was performed in the MatCAD environment, in relation to the MatLAB environment. In this work, the position of the effective boundary of the depletion region in the Schottky field-effect transistor is determined. The first section contains theoretical provisions describing methods for solving the problem. The second section presents the results of modeling in the MatLAB environment. The results obtained coincided with the calculations of the laboratory work in MatCAD.

СОДЕРЖАНИЕ



ВВЕДЕНИЕ

Целью курсовой работы является построение эффективной границы обедненной области полевого транзистора Шоттки в среде MatLAB. Основная задача работы – это корректировка текста аналогичной лабораторной работы в среде MatCAD. Для выполнения задачи были изучены синтаксис среды MatLAB, методы решения трансцендентного уравнения в данной среде, импорта ранее полученных данных в ходе лабораторной работы №2 (MatCAD) в среду MatLAB, методы линейной интерполяции для расчета приближенного значения эффективной границы по импортированным данным и оформления графических изображений.