вар 16 (988173), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Справочные данные по КР142ЕН5А:
СН1
По условию курсового проекта стабилизатор должен обеспечить стабильность напряжения питания Eпит = 0.3% Eпит. Eпит. = 5В Eпит = 0.3*5/100 = 0.015 В.
Нестабильность напряжения питания может быть вызвано двумя причинами: измемением напряжения на входе стабилизатора (Uвх = Uвх 20% ) и пульсацией тока, связанной с переключением логических элементов из одного логического состояния в другое.
Н
апряжение аРа на входе стабилизатора возьмём равным 10 В. Т.к. напряжение в сети может меняться на 20%, то напряжение на входе стабилизатора будет меняться от 8 до 12 В. Конденсатор С9 должен обеспечить сглаживание пульсации напряжения на входе
где t = 10 мс (полупериод сетевого напряжения), Uвх = 12-8 = 4В, Iпит – ток нагрузки.
Ток нагрузки равен сумме токов, которые потребляют логические элементы.
Когда на входах Л.Э. уровень логической единицы ток, потребляющийся от источника питания равен I1пит = 40мА, а когда на входах Л.Э. уровень логического нуля, то Л.Э. потребляет ток, равный I0пит = 25мА
Т
.о. средний ток, который потребляет Л.Э, равен:
а изменение тока, при переключении Л.Э. из одного состояния в другое будет равен:
В
генераторе использовано 3 Л.Э. и усилитель мощности на биполярном транзисторе, следовательно, ток потребления и изменение тока будут равны:
Т
огда С9 будет равен:
Т
еперь проверим изменение выходного напряжения вследствие пульсации тока:
Это подходит по условию курсового проэкта.
Посчитаем нестабильность схемы по напряжению.
Нестабильность стабилизатора составляет 0.25%, следовательно, выбранный стабилизатор идеально подходит для данной схемы.
Конденсаторы С11,С12 и С13 берём равными 10 нФ. Они припаиваются непосредственно к 7 и 14 выводу микросхем К155ЛА3 для предотвращения распространения пульсации в шинах питания генератора, вызванной переключением Л.Э. из одного логического состояния в другое.
П
о таблице номиналов(5%) берём:
Кондюки: С1,С2=KT4-36 5,5-20мкФ +-10%
C3=К10-7В 15-180пФ 50В +-5%
Сн=ПМ-1 100-3300ПФ 63В +-10%
С11,С12,С13=К26-6 6.8-15ПФ 50В +-20%
Резисторы: R1,R2,R3MIN, Rb, Rn=МЛТ 1.6кОм +-1% 200В
R3’,R2’=СП-04 47-220*кОм +-20 20% 250В
Rk=СП3-39А 10 – 2.2МОм Pmax = 1Watt _+ 10% 250V
ТАБЛИЦА СПЕЦИФИКАЦИЙ
Обозначение | Наименование | Количество |
Резисторы | ||
| МЛТ – 1.6 кОм 1% | 3 |
| | СП3 39А – 10 Ом 5% | 1 |
| | МЛТ – 0.3 кОм 1% | 1 |
| | МЛТ - 170 Ом 1% | 1 |
| | СП-04 - 28.81 кОм 5% | 1 |
| | СП-04 – 22.4 кОм 5% | 1 |
Конденсаторы | ||
С1, С2 | KT4-36 5,5-20мкФ 10% | 1 |
С3 | К 10 – 17Б – Н90 – 1,8 мкФ 5% | 1 |
Сн | КМ – 5 – Н – 30 – 36 нФ 5% | 1 |
С9 | К 40 – 15 – 80В – 1,2 нФ 5% | 1 |
С11 | К 40 – 15 – 80В – 541 мкФ 5% | 1 |
С12 | К 40 – 15 – 80В – 15 мкФ 5% | 1 |
С13 | К 40 – 15 – 80В – 575 мкФ 5% | 1 |
Транзисторы | ||
VT1 | VT2-KT315Б | 1 |
Микросхемы | ||
D1 – D3 | К155АГ1 | 3 |
Стабилизаторы | ||
СН1 | КР142ЕН12 | 1 |
ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СХЕМА
ЛИТЕРАТУРА
-
Шило В. Л.Линейные интегральные схемы М. "Сов. радио" 1979
-
Гусев В. Г.Электроника М. "Энергия" 1982
-
Аксенов А.И. Нефедова. А.В. Конденсаторы. Резисторы. «Радио и связь»
-
Преснухин Л.Н.Воробьев Н.В. Шишкевич А.А. Расчет элементов цифровых устройств. Москва.ВШ.1991.
-
Якубовский С. В.Справочник "Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы" "Радио и связь" 1990
-
Справочник «Интегральные микросхемы» под ред. Тарабрина Б.В. "Радио и связь" 1990
-
Мячин Ю.А. «180 аналоговых микросхем» .Москва. 1993.
-
Конспект семинаров по курсу «Электронные цепи и микросхемотехника»
Каретникова И.А.,Москва,МЭИ,1998.
-
Гольденберг Л.М. «Импульсные устройства» М:Радио и связь,1973
-
Каретников И.А.,Соловьев А.К.,Чарыков Н.А. «Лабораторный практикум по курсу «теоретические основы схемотехники».Усилительные и логические устройства».Москва,Изд-во МЭИ,1992-88с.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
