promel (967628), страница 47
Текст из файла (страница 47)
Условие (3.38) обычно выполняют при соблюдении ран' пх = ыв ов = ов. Это необходимо для выравнивания входных сопротивлен' по обоим его входам. Прн линейном характере изменения напряжения на конден выходяое напряжение также будет изменяться по линейному з При Ев = 0 формируется выходное напряжение, как и напра' ис (рнс. 3.14, а), имеющее внд «пилы» положительной поляр Если нужно получить выходное напряжение, изменяющ линейному закону при обеих полярностях (рис. 3.!4, г), то Е вы ют по требуемому значению начального напряжения на выходе.
ратора и(0), соответствующему ис = О. Так, для получения м мального значения () пилообразного напряжения начальной ' чине ив будет отвечать напряжение ОУ и(0) == — (,',' (рис. 3.14, г). Из выражения (3.35) при ис = 0 находим О РвИх Напряжению на выходе по окончании интервала 1р при этом д но соответствовать напря>кение (х';„,пых. Из выражения (3. учетом условия (3.42) находим отношение сопротивлений резист в зависимости от максимального напряжения С'г,„на конденса (рис. 3.14, в): О+ вых |пах + вых паап 1. Ос пах Ра 2Е» Рх Йв Ос пых 19З ПРи (хвых ыах = (Увых ~пах Еы Епв Ев ((ы!2 имЕЕм — 1 =- — '" — 1. (3.4, ~ С п1ах Максимальное напряжение на конденсаторе (у „связано . длительностью (р зависимостью, получаемой из выражения (3 4 и, ...
— — '~в, — в|ь. (ва 1' ~ (,1 Параметры элементов схемы будут определены, если для требУе". мых значений 1р, (х' выбрать хха, Е, и (асыах. Сопротивления Рх =.:-'" ', .= Яв выбирают в 3 — 5 раз меньшими входных сопротивлений ОУ длв исключения влияния их нестабильности на работу схемы. Функпию Напряжение ключить влия- а параметров используемых р ор коэффициент азброса п нейвости во кг " ° и формируемого напряжения.
Вместе с тем напряжение «ели" .;кно быть много больше напряжения на открытом транзи- „должно усея" ределяющем уровень начального напряжения на конден- 'р, опре' стар Вполне удовлетворительным считается выбор Ус,„,» =- 0,3 —: сдтср ' параметров элементов схемы производят в такой последо- .1В. ' расчет п лькости.
выбранным (Ус„,„к и )г', = Утз находят Йг = Я, и отношение р = й,Я, (3.43), которые используют для определения Е, по нкю (3 42). Напряжение Е,, необходимое для получе- ебуемого значения (У, создается с помощью делителя с приы аженкю гя тр У' везением источников питания ОУ. Затем из соотношения (3.45) находят ят емкость конденсатора С. 4 3.7. БЛОКИИГ-ГЕИЕРЛТОРЫ В л о к и н г - г е н е р а т о р ы предназначены для формироазккя импульсов тока или напряжения прямоугольной формы преиестзенно малой длительности (от единиц до нескольких сотен кзкрссекунд).
Они находят применение в схемах формирования пилообразного тока для осуществления развертки электронного луча по экрану электронно-лучевых приборов с электромагнитным управлением. На основе блокинг-генераторов часто выполняют формирователи управляющих импульсов в системах цифрового действия.
Пз принципу построения блокинг-генгратор представляет собой однска кадный транзисторный усилитель с глубокой положительной ссрвтасй связью, осуи)гствлягмой импульсным трансформатором. Процесс формирования выходного импульса связан с отпиранием трешзистора и удержанием его в состоянии насыщения ()в) )„~б) данью положительной обратной связи. Окончание формирования импульса сопровождается выходом транзистора из режима насыщения злк пэ входной цепи (т. е. базовой цепи при включении транзистора ао схеме ОЭ) вследствие уменьшения тока базы, нли по выходной (коллекторной) цепи из-за увеллчгния тока коллектора.
Эти два случая определяют соогветствепно две разновидности блокииг-генераторов: с конденсатором в цепи обратной связи (с времязадающим конденсатоРом) и с насыщающимся трансформатором, В настоящем параграфе рассматривается б л о к и и г - г е н е р атер с конденсатором в цепи обратной связи, получивший наибольшее применение на практике в однотактпом варианте. Схема блокинг-генератора приведена на рис.
3.15, а. Она выпол"еиа на транзисторе ОЭ и трансформаторе Тр. Цепь положительной обратной связи осуществлена с помощью вторичной обмотки сгс трансФорматора с коэффициентом трансформации пв = ег„lегв, конденсатора С и РезистоРа )г, огРаиичивающего ток базы. РезистоР )св созда- 199 ет контур разряда конденсатора на этапе закрытого состояни;, зистора. Выходной сигнал может быть снят либо непосредст коллектора транзистора, либо с дополнительной загрузочной, кн гоа трансформатора, связанной с коллекторной обмоткой к! циентом трансформации па = го„/гоа.
В последнем случае амп импульса напряжения можно получить как меныпе, так и напряжения Е„и обеспечить потенциальное разделение нагр схемы генератора. Диод Дм включаемый при необходимости, чает прохождение в нагрузку импульса напряжения отрица полярности, возникающего при запирании транзистора.
Ветвь да Де и резистора Яг выполняет функцию защиты транзистора о напряжений. Рассмотрим работу сх' -Ел режиме автогенератора ная цепь с конденсаторб отсутствует). Временнью граммы, поясняющие прн действия, приведены на 3.15, б — ж. На интервале ба — б, . знстор закрыт, напряжен его коллекторе равно — Е„' пряжения на обмотках т форматора и нагрузке р' нулю (рнс. 3.15, б — г). 3' тое состояние транзистора дается напряжением на ко ' сапгоре С (рис. 3.15, а), ключенным через обмотку ' выводам база — эмиттер зистора. Полярность напрА ния, указанную на рис. 3.! конденсатор приобретает к Ф цу формирования схемой п дыдущего импульса.
Закрытое состояние трава)! тора продолжается до момен: времени бм поскольку на ии . нале ба — бг происходвт перезв ряд конденсатора С по ц ео — С вЂ” Я вЂ” Я вЂ” (-Е ) и. момент вРемени бг напРЯженй, на конденсаторе становится равуным нулю (рис. 3.!5, д). 4:, На интервале бг — бе осу, "; ществляется отпирание трав ': зистора. Этот процесс обуслов ливается наличием в схеме по ' ложительной обратной связи и б) м'и г) б и Ф а гб тле е) в Рис. 3. бб. Схема блоки нг-генератора (а) и его аремеаийе диаграммы (б — лг) 200 процессом регенерации или пр ямым бло:вазмв процессом. ветен пр к и ««ть регенеративного процесса отпирания транзистора заСУп« „том, чго ои сопРовожДаетсЯ гзаимнбш Уееличениег«базокость клк«ч „кторного токов и протекает с.тедующим образом.
ч~е~ся в гггб ход в момент времени 1«напряжения ис = и, через нуль и коллект к возникновению токов базы и коллектора транзистора. Пе еход вР крапин транзистора напряжение на его коллекторе уменьиводят 1«Р „что вызывает появление напряжения на коллекторной обмотя отпира Я«а~~ ,' ансформатора (рис. 3.15, а). Напряжение на коллекторной обмотке тр ' трансформируется в базовую обмотку п«б с полярностью, соот„«щей увеличению базового тока, Рост базового тока, в свою гетстау ющ вызывает увеличение коллекторного тока, снижение напряочергдь жения н' ня на коллекторе н дальне«йшее повышение напряжения на коллектор торн««й и базовой обмотках. Про««есс завер«лается переходом транзистор' стара в момент време««и 1, в оежим насыщения, развитие регенеративного процесса отпирания транзистора возможно, если в схеме создаются условия для увеличения тока базы за чгт пояожнтельнол обратной овязи.
Это означает, что цепь обратной вязи дол;кча ооеспечить соотношение для токов транзистора, при котором «б ~ ««ее (3.46) Ток коллектора транзистора равен сумме приведенных к коллекторной обмотке трансформатора токов базы и нагрузки: «б = «б/пб ««б)па (3 47) Если принять на этапе регенеративного процесса напряжение на колЛи лекторной обмотке равным би, то ток «б = (где ㄄— входбб Ф + "вх) Лг нос сопротивление транзистора), а ток «, = ««наг В результате подстановки выражения (3.47) в (3.46) с учетом полученных соотношений для токов «б и «„««аход«гм условие, необходи«юе гшя развития прямого блокннг-процесса в схеме: б — 1 б 1, б(' ' гад 2 (3.48) б'«,"„ И «:ерзал 1, — 1, определяет дтптельность переднего фронта формируем«го импульса.
Время 1ф в блокннг-генераторах составляет доли ьшхросекунды. Нз и «терзале формирования вершины импульса 1, транзистор открьы, напряжение «««лб, на нем мало. К коллекторной обмотке прикладь«аается напряжение, близкое к Е, а к базовой и нагрузочной обмоткам — соответстве««но напряжения, близкие к Е„арпб и Е,/п„ (Рнс. 3. 1о, г, г). Длтя интервала ~, действительна схема замещения блокннг-генератора, приведенная на рис. 3.16, а. Транзистор на схеме изображен в 20« виде ключа Т, а трансформатор — в виде схемы заме!ценив паразитных параметров (индуктивностей рассеяния, паразит костей и активных сопротивлений обмоток). Через коллекторную обмотку и транзистор протекает; (рис. 3.16, а), равный сумме трех составляющих: приведенны лекторной обмотке тока нагрузки !к =- !з/ик = Екг(пкгхн) и зы ! =- ! 1п, а также тока намагничивания !н б б б Т о к п а м а г н и ч и в а н и я !. (см.
рис. 3.15, е) я балластной составляющей в коллекторном токе транзистора,; вдается под возд -Е приложенного к кол г и гвгуза ной обмотке напряж' и обусловлен иерем ' 1 рабочей точки по кри' магннчивания серд трансформатора из то й Нигн направлении к точке 3.16, б). Характер изм и) Е) во времени тока ! зави г — — -Еи вида кривой намагнич ' и числа витков коллект" ! с= ',' обмотки (ее индуктив Ек). Выбором соответс и щей величины индуктив коллекторной обмотки м мальное значение тока б) ограничивают на ур (0,05 —: 0,1) 1„Участок мещения рабочей точк петле намагничивания этом получается доста малым и близким к прям связи с чем характер из ния тока !', во времени ' зок к линейному.
Для !'„ будет действительно " о( Е бк пение Š— = Е., откуда находим к гв П1 е К спиз К ! Т к б а з ы ! (см. рис, 3.15, е) обеспечивает на интервале',' о б ессо, ежим насыщения транзистора. Он обусловливается проц ре' заряда конденсатора С через входную цепь открытого транз р исто а резистор 1т под действием напряжения на базовой обмотке трансфо матоРа. ПРи этом ток !г! Убывает по экспоненциальномУ вако У Р .', азг веденная составляю!цая !б в токе коллектора также отн оснтельнсз!:: мала и уменьшается во времени.
Зависимые во времени токи !б и ! создают вначале некоторое убывание тока !Ко а затем его нарастание (см. рис. 3.15, ж). , зб Вслед- Рнс. 3.16. Схема ззмещеннн блокннггеперзторз пз этапе открытого состоянкя транзистора (а); петля немзгннчнезння сердечника трзнсформзторе (б); схема ззмещеннп блокннг-генерзторз нз этапе формнроззння выброса нзпрнження нз коллекторе трензнсторз (е) 202 С(Р -Р г„к) — постонннаЯ вРемени цепи базы; гвк — входгде ~~ „отивленне транзистора в открытом состоянии. аое с н е л ь н о с т ь кв характеризует состояние схемы, при )(лит ч создаваемый по цепи обратной связи ток базы (ток заряда ,, атора) обеспечивает режим насыщения транзистора, т.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
