Программа схемотехнич моделир Micro-Cap 8 М.А.Амелина 2007-600RM (967609), страница 76
Текст из файла (страница 76)
е 4)гТ з 41<Т ТЫ' = —; Тгь' = —. Я.Р Я5 Источник тока в цепи стока генерируе шумовой ток. 2 КР И"~ ге 4 lг Т'егк' + 3 Ргеуиелсу ДЫ где кт = — (в рабочей точке по постоянному току). дур Если Удз <РС РВ(Т), то СКВ = СББ(Т) РВ(Т) СБВ(Т) . 1 — ГС(1+ М) + М . РВ(Т),~ (1-РС)","' Если УЯ <РСРВ(Т), то Ср(=- СБР(Т) РВ(Т) СБР(Т) 1 — ГС(1+М)еМ. Иначе СВд РВ(,Т) г (1-РС)ак Определение параметров модели полевого транзистора грЕТ Таблица 11.8. Экраны программы МООЕ1 для определения параметров модели полевого транзистора 359 !1 ЛГодели электронныл комнонентов и вынисление ил нараметров Продолжение твбп.
1 П 6 Выходная проводимость Сов чв. 1б Входные данные Оцениваемые па аме ы 1.АМВВА Оде = И ЬАМВПА Уравнения Проходная емкость Сгвв чв. Чпв Таблица зависимости проходной емкости Сгвь от напряжения за- твор-исток 1' л Входные данные Напряжение сток-исток ИЬ Условия Оцениваемые па амет ы СОВ, РВ, ЕС Проходная емкость Сгвв чв. Чав Сгьз = „прн 1Ил — Ряь < РС РВ); СОВ , Иь-рд " (1-РС)" ь. РВ Уравнения прн (рс1ь-.Руь >РС РВ) Входная емкость С1вв чв. Чпв Таблица зависимости входной емкости Сдл от напряжения затвор- исток РВь Входные данные Напряжение сток-исток каь Условия Оцениваемые Сгьл = „прн ~РВл < РС РВ);, СРВ (-~Г Сгзь = С1ьз ч- СВЮ ( РВ'~ „~1-РС 1,5е0,5.— ~, (1 — РС) л ~ РВ) ри 1*ес1 — РВЛ В РС РВ) Уравнения Фликер-шум Еп чв.
йод Таблица зависимости корня квадратного из спектральной плотно- сти выходного напряжения ш ма Еп от частоты Входные данные Ыз Условия Оцениваемые па аме ы КЕ, АЕ Таблица зависимости статической проводимости сток-исток боь от тока стока Ы 360 Программа схел~отекнн уеского моделирования М/сгоСар-8 Окончание табл. 11.8 МОП-транзисторы МОЗЕЕТ Модель транзистора с изолированным затвором МОВЕЕТ Формат схем М/сгоСар-8: + 1- ° Атрибут РА/<Т: <имя>.
Пример: М1 мз ] ме Атрибут )ГЯ/.ИЕ: [М=<гпча)>]+ [Ь=<)епдрп>] [уум<и/[дтп>] [А0=<дга)пагеа>] [А8=<воигсеагеа>] + транзистор +[Р0м<с/га!прес!рпегу>] [Р8м<воигсерепрпегу>]+ +[йй0<<дга)пвс)иагев>] [йй8м<зоигсевс)иагез>]+ +[ййбм<да(езс)иагев>] [ййВ=<Ьи!кздиагез>]+ +[ОЕЕ][)С=<чдз>[,чдв[,чЬзП]. Примеры: М=20 йй0<10 йгс8=25 ййбм5 ~<.35и )С=.1, 2.00 ! =.4и Ччм2и ОЕЕ !С=0.05,1.00 ° Атрибут МООЕ/ы <имя модели>.
Примеры: !ЙЕЗ50 ММ150 5 8 или 49 14 44 Модели МОВЕЕТ, поддерживаемые программой М/сгоСар-8 /.ече/ Модель 1 Шихмана-Ходжеса 2 Гроува — Фромана М082 (8Р)СЕ ЗЕ5) 3 Эмпирическая модель М083 (8Р)СЕ ЗЕ5) 4 Оригинальная ВВ)М-модель ВВ)М1 (Вег)се)еу-модель короткоканального )(ЗЕЕТ) Модель В8!М 2-го поколения ВВ!М2 Модель В8!М 3-го поколения В8)МЗ ч3.2.4 (12/2001) Модель В8)М 4-го поколения В8)М4 В8!М4.4.0 (3/4/2004) Зарядовая модель короткоканального прибора ЕКЧ 2.6, предложенная Швейцарским институтом технологий (8иа!зз !пв(!(и(е о/ Теслпо)оду) <вк//и> и </впд/и> — технологические размеры прибора, соответствено ширина и длина канала, которые, измеряются в метрах. При необходимости ! И Модели злектронныл компонентов и вычисление ш параметров 361 они указываются в схеме как атрибуты компонента в позиции ЧАШЕ.
В этом случае заменяются соответствующие модельные параметры. Модельные параметры, в свою очередь, имеют приоритет перед глобальными определениями соответствующих размеров ОЕЕУУ и ОЕЕ] в 6!ЬЬаl Звйдпдз и локальными определениями в директивах .ОРТ Ой]З. Начальные условия (!Сы<чбз>(,чдз(,чЬ8]]] присваивают начальные значения напряжениям сток-исток, затвор-исток и подложка-исток в анализе переходных процессов, если не установлен флаг Орвгадпд ро/пб Ключевое слово (ОЕЕ] отключает прибор из схемы на время 1-й итерации расчета рабочей точки по постоянному току.
<зоигсврвпрпвгу и <бга~првпрИвгу — периметр соответствующих диффузионных областей в метрах. <зоигсвагва> и <огаупагва> — площадь соответствующих диффузионных областей, м'. сво вам зоеясе Рнс. 11.10. Эквивалентная схема модели МОП-транзистора Барьерные емкости областей истока и стока могут быть указаны непосредственно в модельных параметрах СВЗ и СВР. Если указанные параметры отсутствуют, они рассчитываются, исходя из величин площадей и периметров областей. Паразитные сопротивления могут быть указаны непосредственно в модельных параметрах ЯЗ, ЯР, ЯВ и ЯВ.
Если они не указаны, то рассчитываются как произведение удельного сопротивления, ЯЗН и количества квадратов областей стока, истока, затвора и подложки соответственно (<г1га/пзриагвз>, <зоигсвзцивгвз>, <двгвздиагвз> и <Ьийздиагвз>). Если же эти величины отсутствуют или равны нулю, а также модельные параметры ЯЗ, ЯР, ЯВ и ЯВ отсутствуют или равны нулю, тогда паразитные сопротивления не включаются в модель. З62 Программа ояемомеяниеееиого модеяироаания МГогоСар-8 Значения <дгаупзг)иагезь и <зоигсездиагез> по умолчанию равны 1.0. Другие геометрические параметры по умолчанию принимаются равными нулю. <иеогЛ> и <Гепд(Л> по умолчанию принимаются равными 0ЕРИГ и 0ЕРе., определенными в диалоговом окне О!оЬа! Зе(бпйз (ЗЫй+Ск)+0). <туа/> — зто множитель (по умолчанию равен единице), который учитывает приборы, включенные параллельно. Путем умножения на него получаются аффективные значения ширины, перекрытий, барьерных емкостей и токов переходов.
На него умножаются площади областей истока и стока, ширина канала, периметры диффузионных областей и на него делятся 4 паразитных сопротивления йЗ, й0, йб и йВ. Форматы текстовых директивы моделей полевого транзистора ,МООЕЬ <имя модели> (чМОЗ ([параметры модели)). .МООЕЬ < имя модели > РМОЗ ((параметры модели]). Примеры: .МОЮЕЬ М1 (чМОЗ (ЧУ=0.2 ~=0.60 КР=1Е-6 ОАММА=.65) .МООЕ(.
М2 РМОЗ (Чум0.1 ~м0.9() КР=1.2Е-6 ( АМВОА=1Е-3) Параметры модели транзистора с изолированным затвором МОЗРЕТ Таблица 11.9. Параметры модели МОП-транзистора Содержание ЬЕЧЕЬ Индекс уровня модели 1-3 Длина канала ОЕН. 1-3 Ширина канала ОЕЕЧЧ Ом й08 1-3 1-3 Ом й8 1-3 1-3 Ом Ом йВ 1-3 Ом/кв. 1-3 С000 1-3 Фlм СО80 1-3 Фlм ССВО 1-3 Фlм СВ0 ы ел ию о и и л и Сопротивление утечки сток-исток Объемное сопротивление стока Объемное сопротивление истока Объемное сопротивление затвора Объемное сопротивление подложки Удельное сопротивление диффузионных об- ластей истока и стока Удельная емкость перекрытия затвор-сток нв длину канала (за всче Удельная емкость перекрытия затвор-исток зв счет боковой иффузии Удельная емкость перекрытия затвор- подложка (зв счет выхода затвора зв пределы канала) Емкость донной части р-и-переходв сток- подложка при нулевом смещении о в и н и н 8 и н о и и р, Л ЗЗЗ //.
Модели электраннык компонентов и вычисление нл парамелэуав Продолжение твбт 11.9 Содержание Ф 1-3 СВЗ Ф/м 1-3 Ф/м СдЗУЧ 1 — 3 1-3 0.5 0.33 1-3 МдЗУЧ 1 — 3 1Е-14 А !8 1-3 1-3 1-3 388УЧ 1-3 РВ 1-3 0.8 1-3 РВЗУУ РВ ЕС 0.5 1-3 КЕ АЕ 1-3 ООЗМО! 1-3 Коэффициент дробового шума канала Выбор шумового уравнения МЕЕЧ 1-3 Т МЕА80йЕО 1-3 Температура измерения Т АВЗ 1-3 Т йЕ( Я ОВА( 1-3 Т йЕ(, 1 ОСА( 1-3 Примечание. Вышеперечисленные параметры используются также и дли 'сЕЧЕЬ 4, 5, 8 нэ э 1к о и Емкость донной части р-и-перехода исток- по ожка пири н левом сме енин Удельная емкость (на площадь перехода) дон- ной части р-и-перехода сток(исток)-подложка и и н левом сме енин Удельная емкость боковой поверхности перехода сток(исток)-подложка при нулевом смеении на ин пе имет а Коэффициент, учитывающий плавность донной части пе ехо а по ожка-сток исток Коэффициент, учитывающий плавность бокового пе ехо а по ожка-сток исток Время переноса заряда через р-п-переходы подложки Ток насыщения р-п-перехода сток-подложка исток-по ожка Коэффициент неидеальности переходов под- ложка-стон исток Плотность тока насыщения переходов сток исток -по ожка Удельная плотность тока насыщения (на дли- а~~.
~Ю Контактная разность потенциалов донных р-иле ехо свпо ожки Контактная разность потенциалов боковых р— и-пе ехо свпо ожки Коэффициент нелинейности барьерной емкости и ямосмещенного пе ехо а по ожки Коэффициент, определяющий спектральную плотность Показатель степени, определяющий зависи- мость спектральной плотности фликер-шума оттока не ез пе ехо Абсолютная температура Относительная температура Разность между температурой транзистора и мо ели-прототипа о я о о н н о $ л о о н и ео о 364 Окончание арабо. 11. 9 Содержанка 00 УУО 1-3 1 — 3 1-3 КР 2Е-5 ЧТО 1-3 Вмг ОАММА 1-3 РН! (АМВОА 1-3 1/В 1,2 ТОХ 1Е-7 1-3 ОО 600 с~/УВ/с 2 3 МЕРЕ МЗОВ Нет 1/см 2,3 1/см МЗЗ 2,3 Нет 1/см МРЗ 2,3 Нет Хд 2,3 ЧМАХ 2,3 ОЕ( ТА 2,3 ТНЕТА 1/В ЕТА КАРРА 0.2 ТРО 2,3 (/Сй! Т 1Е4 В/см ОЕХР ОТйА м/с ХСрС 2,3 Ю И Ю о ра о р нр р ) а нр р о а ие о в Программа алел ротелначеаного лроделироаанрра М/егоСар-б Глубина области боковой циффузии Ширина области боковой диффузии и елл авлинлчи и р, рр удира рр р Коэффициент влияния потенциала подложки на по оговое нап яжение и * и лрарллра и.р Па амет модуляции,одинны канала 0 Толщина оксидной пленки Пове хностная по вижность носителей Эмпирический коэффициент коррекции конлррр лемрамр У овень легирования подложки Плотность медленных поверхностных со- стояний на границе кремний-подзатворный оксид Плотность быстрых поверхностных состоя- ний наабранице кдсммний-подзатворный оксид Глубина металлургического перехода облас- тей стока и истока Максимальная око ость ей а носителей Коэффициент влияния ширины канала на по оговое нап яжение Коэффициент модуляции подвижности носи- телей по влиянием ве тикапьного поля Параметр влияния напряжения сток-исток на пороговое напряжение (статическая обрат- ная связь) Фактор поля насыщения (Параметр модуля- ции длины канала напряжением сток-исток Тип материала затвора (+1 — легирование затвора примесью того же типа, что и для подложки; -1 — примесью противоположного типа; 0 — металл Критическая напряженность поля, при которой подвижность носителей уменьшается в 2 аза Экспоненциальный коэффициент снижения по вижности носителей Коэффициент снижения подвижности носите- лей Доля заряда канала, ассоциированного со стоком збб //.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
