Программа схемотехнич моделир Micro-Cap 8 М.А.Амелина 2007-600RM (967609), страница 75
Текст из файла (страница 75)
УВС вЂ” напряжение между внутренними узлами базы и коллектора. УСЗ вЂ” напряжение между внутренним узлом коллектора и подложкой. В приведенных ниже уравнениях Х(Т) означает температурную зависимость параметра Х. Температурные эффекты ВУТ 0.000702.Т' Т+1108 (,„,.-) —,, ~ т Тпот гт> уяЕ(т) (глэт ) ь'е ет ( г 1 ек хг> У5С(т) УоС ~ Глот >' ПС >Т ( ВЕ(Т) = ВЕ; ВК(т) = ВЯ. ПЕ(Т) =ПŠ— 3 УТ 1п~ ) — Еб(Тпот) +Еб(т).
Т г' Т Т Тпот ~. Тпот ) Тпот Т ( Т Т ПС(т) = Пс — 3 )лт 1п~ ) — Еб(Тпо>п) +Еб(Т). Тпопг Тпоп> Тпот Т Г Т Т ПБ(Т) =ПВ. — 3 >Т 1п~ ~ — Еб(Тпот) — +Еб(Т). Тпот Тпот Тпот СУЕ(т) =СУЕ 1+МУЕ 0.0004 (Т вЂ” Тпот)+ 1 — )) . пе(т) Й пе )) СУС(Т) = СУС.
1г- МУС 0 0004 (Т вЂ” Тпот)+ 1— пс(т) '1'1 пс ))' 350 Программа схемотехнического моделирования Мтсгосар-8 С»Б(Т) = ѻ 1+ МУо 0.0004. (Т вЂ” Тлот)+ 1 — Д . иЛ(Т)»1 )(л,),» ' Уравнения для токов билолярного транзистора 1 РВС»'ВЕ ' РАГ РАЯ иве ивс еиг'ит — 1 еивит -1 Д2 = УВ(Т) ° -г 13(Т) . л'КГ 1КЯ Д1 (1+(1+4 Д2) ' ) ДВ = 2 Ток источника тока: иве ивс еиг ит еив ит УСТ = ТВ(Т) — 1К(Т) ОВ ОВ Ток перехода база-эмиттер; иве иве еигит -1 1ВЕ = !БЕ(Т) е "е'ит — 1 + 15(Т) ВР(Т) Ток перехода база-коллектор: ивс е ивгит — 1 тВС УВС(Т), висит 1 +УЕ(Т), ВЯ(Т) Ток базы 1В = »ВЕ+»ВС: Гвв иве енв ет евв Г ~ екнет 1 »' евс 1В=!К(Т) +13Е(Т) енегт — 1 +Б(Т) +15С(Т) енсив 1 Вс(Т» ВЯ(Т) Ток коллектора ивс иве ивй еив ит — 1 ИГг т Ив.ит ивс 1С = тт) — тт) — ТЕС(Т) ДВ ВЯ(Т) М Модели Влекагронньгл компоненпгоа а ангчгголение ах паралгетроа Ток змиттера: увв увь увл~ елв ~'т 1 епр Ут — еил Ут 1Е = 1Б(Т) + 1Я,Т) + БЕ(Т) еив'~'т — 1 ДВ ВР(Т) Уравнения для емкостей В.УТ Емкость база-змиттер: д1Ье ОВЕ = проводимость база-эмиттер = д ГЬе Если УВЕ <ГС ПЕ(Т) СВЕ! = СЗЕ(Т) 1- УВЕ УЮЕ(Т) Иначе СВЕ1=СУЕ(Т)(1-ГС)""~"' 1-РС (1+ЫУЕ)+ !УУЕ(Т) УВЕ !Б(Т).
ене' 1 г'Ве 1Б(Т) ~енк'гт -1 +1ТР увс СВЕ2--ОВЕ ТР !+ХТР (ЗВг-2Вэ) е'"'" СВЕ = СВЕ!+СВЕ2. Емкость база-коллектор: дУЬс СУВС = проводимость база-коллектор = дРЬЕ Если УВС <ГС КУС(Т) С = СУС(Т) 1— УВС УУС(Т) Иначе С=СУС(Т)(1 — ГС)~"~~' 1 — РС (1+МУС)+ КУС(Т) СУХ = С(1 — ХСУС). СВС = ОВС.ТЯ+ХСУСС. 352 Программа еле иоеаелничеекого моделирования М!егоСарзо Емкость коллектор-подложка: Если (гСЕ <О С1 = СЛ(Т) 1— )гСЕ ) )гЛ(Т) ! Иначе С1 =СЛ(Т)(1 — ГС)""'ж' 1 — ЕС (1ч-МЛ)+ Л(Т) Уравнения для шумов биполярного транзистора ЯЕ, ЯВ и ЯС генерируют тепловые шумовые токи.
41с.Т, 41с ° Т, 41с Т 1е = 1Ь' =; 1с' = ЯЕ ЯВ )сС Коппекторные и базовые источники тока генерируют частотно-зависимые дробовой и фпикер-шум; КЕ 1СВлг, КЕ 1ВЕл" Егедиепсу Егес1иепсу где Кà — коэффициент фпикер-шума; АŠ— зкспоненциапьный коэффициент фпикер-шума. Нахождение параметров модели биполярного транзистора Таблица 11.6. Экраны программы МОВЕ(. дпя нахождения параметров модели биполярного транзистора Напряжение на переходе база-эмитгер в режиме насыщения ЧЬе ив. 1с Входные данные Оцениваемые параметры Уравнения Комментарии Входные данные Условия изме ения Оцениваемые па амет ы Уравнения Таблица значений еЬе, 1с (зависимость напряжения база-змиттер от тока коллектора в режиме насыщения) 18, НР, йЕ )гЬе=-)гТ.)ЧГ !п~ — )е1с КЕ ( 1с ) ~Е) Рассчитывается зависимость напряжения насыщения СгЬе от тока коллектора 1с.
Парамет ы ЕО, ХТ1 назначаются по умолчанию Выходная проводимость Ьое ив. 1с Табпица зависимости выходной проводимости Ное от тока коп- пектора 1с Напряжение смещения Чсе ЧАЕ (прямое напряжение Эрпи) 1С Ное = )'АР е Усе - О, 7 353 ! !. Моделрр рлектронныл качлонентое и оыирреление ил лараметрое Про должвниа табл. 11. б Статический коэффициент передачи по току Ве$а ив.!с Таблица зависимости статического коэффициента усиления тока в схеме ОЭ Вега от тока коллектора Тс (при малых токах рекомби- нации и больших токах высокого уровня инжекции в областях па- дения Яогриагг! Вега) Входные данные Условия изме ения Напряжение смещения (все Оцениваемые па амет ы НЕ, (ВЕ, ВЕ,!КР Уравнения модели Гуммеля-Пуне, описывающие зависимость в.в =ЛГр б Уравнения Напряжение насыщения коллектор-эмитгер Чсе ив.!с Барьерная емкость перехода коллектор-база СоЬ ив.
ЧсЬ Входные данные Таблица значений СоЬ, (РсЬ (зависимость барьерной емкости стоб атногонап яжения на коллекто нем пе ехо е) Оцениваемые па амет ы С4С, М.(С, Ч4С, гС Уравнения Напряжение обратного смещения (РсЬ считается положительным Комментарии ьерная емкость перехода змиттер-база С1Ь ив. ЧеЬ Таблица значений С!Ь, (РеЬ (зааисимость барьерной емкости ртраладуд рбр .кр бталвб и Оцениваемые парамет ы С4Е, М4Е, ЧЬЕ Уравнения Напряжение обратного смещения (леЬ считается положительным Комментарии Бар Входные данные С/Е 1+— яжения насыщения коллектор-змиттер ри низких и высоких уровнях инжекл ° в *в~и 354 програмиа ехемоигехничеекого моделироаания легагосар-В Окончание табл.
г Пб Время накопления заряда ТВ ив.!с Таблица зависимости времени рассасывания Та от т тора 1с Входные данные 1с Отношение токов— 1Б Условия измерения Оцениваемые па амет ы Тй ВЯ ВЕ 1- АЕ. АЯ АВ = —, АЕ= —, Н=- ВЯ.~-1 ВЕ а1 АР lс2 = — ТЕ, АЕ АЯ Уравнения Тйч Й2 2 1г1 1с и1 1Ь ВЕ" Площадь усиления Е! ив.!с Зависимость граничной частоты усиления тока Ег в схеме с ОЭ от тока коллекто а 1с Входные данные Условия изме ения Напряжение )гсе Оцениваемые па амет ы ТР, !ТР, ХТР, УТГ (1е) )гЬе = 1гТ Ф 1л ~ — ), РЪс = Рбе — Кое, '1,Ы3 ' Хг ии !+ иТЕ, .е1 неге с 1е+ 1ТЕ 2 (аг1-1). 1ТЕ )гТ гу (а!Т 1с+1ТЕ 1,44 ) Т Уравнения 1а =- 1- — 1 —— РТ. М Яе+ Цс ! + 1 В гр ЕТ 1с Среднее время пролета Тй оценивается на основе зависимости Комментарии времени накопления Тл от тока коллектора 1с 355 ! !.
Модели элекэнроннэлл коннонентое н емко<ление кч норанетроо Полевые транзисторы )РЕТ Модель полевого транзистора ]РЕТ Л д2 Формат схем М!сгоСар-8: ° Атрибут РАЯТ: <имя>. Пример: Параметры модели полевого транзистора Таблица 11.7. Параметры модели полевого транзистора о а 8 к 8 ю Ян оэ й % 8 и 8 И Р 3о Обозначение Содернанне Пороговое напряжение Коэффициент пропорциональности (удельная пере.ю яла., эн. А/В ВЕТА 1Е-4 !.АМВОА Параметр модуляции длины канала 1/В Объемное сопротивление области стока Ом й8 Объемное сопротивление области истока Емкость перехода затвор-исток при нулевом смвшеннии С08 Ф Емкость перехода затвор-сток при нулевом смещении М Коэффициент плавности перехода затвор-исток Ф 0.5 Контактная разность потенциалов р-и-перехода затво а РВ !8 Ток насыщения р-и-перехода затвор-канал 1Е-14 А ,)1 п-спаппе! р-спаппе! ° Атрибут !/А1.УЕ: [агеа) [ОЩ [)С=<чбз>[,чдз]).
Рис. 11.7. Полевой Пример: транзистор 1.5 ОРЕ )С=0.05,1.00 ° Атрибут МООЕ!;. <имя модели>. Пример: ,)ЕЕТ МОО На масштабный множитель [агеа) умножаются или делятся модельные параметры, как показано в табл. 11.?. Наличие ключевого слова ОГР приводит к отключению транзистора во время выполнения первой итерации расчета режима по постоянному току. Необязательные начальные условия [С= =<э/бз>[,Чдз] приводят к установке начальных напряжений между стоком и истоком и между затвором и истоком.
Отрицательное пороговое напряжение ЧТО подразумевает обедненный режим работы, а положительное 1/ТО подразумевает обогащенный режим работы прибора. Это соответствует моделям ЯР[СЕ 20.6. 356 Программа ехеллотехничеекого люделироеания М/оеоСар-а Окончании олабл. 11,7 Коэффициент нелинейности емкостей переходов при прямом смещении 0.5 ЧТОТС В/'С Температурный коэффициент 1/ТО Температурный экспоненциальный коэффициент ВЕТА ХТ! Температурный коэффициент тока !В Коэффициент, определяющий спектральную плотность лике -ш ма КР Показатель степени, определяющий зависимость спект альной плотности лике -ш мв оттока АЕ Т МЕА- 3!/ВЕС Температура измерения Т АВВ Абсолютная температура Относительная температура Т ЙЕ1 В!.ОВА!. Т ВЕ1, ~ОСА1 Разность между температурой транзистора и моде- ли.прототипв АКО Форматы текстовых директив каодепей полевого транзистора .МООЕ~ <тобе! пагпе> (лЦГ ([тобе! рагате1егв]).
.МООЕ(. <тобе! пате> Р)Е ([гпобе! регате(егв]). Примеры: .МОВЕ~,)1 йцр (ЧТО=-2 ВЕТА=1Š— 4 ! АМВОА=1 Е-3) .МОВЕ~,)2 РЛР (л/ТО= 2 ВЕТА=.005 (.АМ ВОАек01 5) ааг зсчнсе Рис. 11.8. Модель полевого транзистора с управляющим р-и-переходом Основные уравнения математической модели бРЕТ Модельные параметры ВЕТЯ, СВЗ, СкзО и /3 умножаются на [агеа], а модельные параметры гг0 и ггЗ делятся на [агеа] перед подстановкой в приведенные ниже уравнения. )гда — внутреннее напряжение затвор-исток; МИ — внутреннее напряжение сток-исток; Ы-ток стока.
357 //.,Напели электрониыл колтоиентов и вычисление ил парал~етрав Температурные эффекты /РЕТ Т вЂ” это температура работы прибора, а Тпот — это температура, при которой измерены модельные параметры. Обе выражаются в градусах Кельвина. Т устанавливается по температуре анализа в диалоге Апа/уз!з Е!тдз соответствующего режима анализа. ТИОМ определяется установками 8!оса! Зе1- !!п0з и изменяется также и директивой .ОРТ!ОНЗ.
Т и Тпот могут быть подобраны для каждой модели спецификацией параметров Т МЕАЗ1)йЕР, Т АВЗ, Т РЕ(. О!.ОВА! и Т ВЕ). ! ОСА! (см. 4.8, описание директивы .МОРЕ!.). 'и Т 1.38Е -23 Т 1.602Š— 19 Х(Т) означает температурную зависимость параметра Х. ЧТО(7) = РТО+ кТОТС(Т вЂ” Тпот). ВЕТА(Т) = ВЕТА 1.01'"""Ои"и Б(т) „... (Т1 !, Тпотл/ ЕО(Т) =1.16— Т -н1108 РВ(Т)=РВ.— — 3.!'Т 1п~ )' — ЕО(Тпот). +ЕО(Т). Т / Т Т Тпогп Тпогп Тпот СОЯ,Т)тСОВ 1н-М,0004 (Т-Тпо/П)!в РВ(Т)')1 РВ СОВ(Т)=СЕ/Б 1н-М .0004 (Т-Тпот)+1 — )).
РВ(Т) !1 ° )) Уравнения для токов /РЕТ Область отсечки: УВл < к'ТО(Т): И=0 Область насыщения уа/л > )'Вз — КТО(Т): И = ВЕТА(Т) (ГВз — УТО(Т)) (1+ ЕАМВРА )л//з) . Линейная область Упз ( )лвл — )/ТО(Т). И = ВЕТА(Т) Уе/л ! 2. (УВз — УТО(Т)) — У/)л ) (1+ ЕАМВ23А ке/з), Программа акемотеееечеекого еуоделиреепнея мгегоСар-В Уравнения для емкостей )ЕЕТ Иначе Уравнения для шумов полевого транзистора 1РЕТ Резисторы ггЗ и й0 генерируют тепловой шум.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
