Программа схемотехнич моделир Micro-Cap 8 М.А.Амелина 2007-600RM (967609), страница 74
Текст из файла (страница 74)
! ХКл" 2 Кпу = УКр + 1ппп Если УКВ > 0 Иначе Киу' =. 1 Ьес = БВ(Т).(екгкк 1). Креп = 1 — ч- 0.005 Кэ-В! е+ве Хгеи = 1В У(Т) (е етнве — 1) + 1ВУ1 (Т) . (е ег ив"- — 1); СТ = ТТ бее', где Ое( — дифференциальная проводимость диода на постоянном токе. Если У<УС УУ(7), то СУ=СУО(Т) 1- У УУ(Т) Иначе СУ = СУО(Т) (Х-ГС] ( ) 1 — ГС (1+М)~-М— УУ(Т) ~ ' С = СТ+С3. Уравнения для шумов диода Источники тока диода генерируют дробовой и фликер-шумы.
Резисторы й8 и й(. генерируют тепловой шум. Шумовые токи могут быть рассчитаны следующим образом: 1 4"Т" . 1 4У'Т'. 1 2 1 КГ 1АГ 1)эиеХ = К!пУ' Хппп+ККеп Хгес. Уравнения для емкостей диода Емкость, зависящая от времени пролета (Тгапзй Типе сарасйапсе, или диффузионная емкость), 344 Программа схе иорнехническо:о л роден рброаанин а(рсгоСар-В Нахождение параметров модели диода П ямал ветвь вольтампе ной ха ~акте истики Ичв. Чг Таблица значений 11: )Т (используются данные для больших и малых токов Входные данные Оцениваемые па аметры 18, г)„й8 Уравнения Данные для малых токов диода 1Топределяют значения пара- метров 15, ру, больших токов — сопротивление ЛЯ Комментарии Барьерная емкость пе хода С' чв. Чг Таблица значений С1, )Рр (зависимость барьерной емкости от б бббббб Р С,)О, М, Ч4, РС Входные данные Оцениваемые па аметры СЮ С1 =- !+— Уравнения Напряжение обратного смещения Кг всегда положительно. Пахра,хгб вррррр рррр Комментарии Об аа ная ветвь вольтампе ной ха акте истики 1б чв Чгеч В д е анные Таблица значений 1реи )ггеи (обратная ВАХ диода) Оцениваемые па аметры ргеч 1геи =- )ср'.
Сопротивление Р(. моделирует утечку закрытого диода, напряжение пробоя ВР устанавливается по умолчанию (оно редактируется пользователем), и участок пробоя на графиках учитываться не олжен Уравнения Комментарии ассасывание носителей зауяда Тгг чв. 1г)1г га11о Таблица значений 7гг, 1гПТ (зависимость времени рассасывания бр рбр ° аб др~ Входные данные Оцениваемые па амет ы Тгг = ТТ !оя 1 ь — ~ Ц 1 Уравнения Среднее время пролета 7T оценивается на основе зависимости времени рассасывания Тгг от отношения обратного и прямого р.ю, бр ° рея а„рр„р Комментарии Таблица 11.4. Экраны программы МООЕ(.
для нахождения параметров модели диода 345 Г А Модели электронных компонентоа и аыннеление нх порометроа Биполярные транзисторы В3Т Модель биполярного транзистора В3Т гого Сад-Зг <имя>. о1 о2 СОШЕСТОН ЗОВЗГНАТЕ НРН ог РНР ОНьт -Ы3 ВАЗЕ (В ЗОВЗТНАТЕ (ЕРИР ОН! 'э) ЕМ!ТГЕН Рис. 11.6. Модель биполярного транзистора Формат схем М ° Атрибут РАЯТ: Пример: 01 ВВ1 ° Атрибут МАШЕ: [агеа] [ОРР] [[С=< ЧЬе>[,эгсе]]. оз ол Пример: и-р-л р-л-р 1.5 ОЕР ]С=0.65,0.35 Рис.
11.5. Биполярный ° Атрибут МООЕ!.: <имя модели>. транзистор Пример: 2Н2222А На масштабный множитель [агеа] умножаются или делятся модельные параметры, как показано в табл. 11.5. Наличие ключевого слова ОРР приводит к отключению транзистора во время выполнения первой итерации расчета режима по постоянному току. Необязательное начальное условие ]С= ы<ЧЬе>[,Чсе] приводит к установке начального напряжения на переходах транзистора при расчете переходных процессов, если флажок Орегабпд Ро(л! сброшен. Форматы текстовых директив моделей билолярноао транзистора .МОСЕ! <имя модели> ЯР!э! ([параметры модели]); .МОСЕ!. <имя модели> РМР ([параметры модели]); .МООЕЕ <имя модели> ТРИР ([параметры модели)). Примеры: ,МООЕЬ О1 ИРИ (!8=1Š— 15 ВРы55 Тйм.5Н); .МОСЕ! 02 РНР (ВЕ=245 1гАЕм50 !8=1Š— 16); .МООЕ1 ОЗ !.РНР (ВР=5 )8=1Š— 17).
346 Про."ромма ехехютехничеекого моделирооания М~егоСад-а Параметры модели биполярного транзистора Содержание 18 1Е-16 А ВЕ 100 е(Е ЧАЕ ! КЕ» А 18Е* А 1.5 ЧАй* 1Кй» А (СЗ* ик 0.5 !88 А э)8 Ом 0 йВ Ом 1йВ" А йВ Ом ХС4С Таблица 11.5. Параметры модели биполярного транзистора Ток насыщения при температуре 27'С Максимальный коэффициент усиления тока в нор- мальном ежиме в схеме с ОЭ Коэффициент эмиссии (неидеальности) для нор- мального ежима Напряжение Эрли в нормальном режиме Ток начала спада зависимости ВЕ от тока коллектора Ток насыщения утечки перехода база-эмиттер Коэффициент эмиссии тока утечки эмиттерного пеехо а Максимальный коэффициент усиления тока в ин- ее сном режиме в схеме с ОЭ Коэффициент эмиссии (неидеальности) для инверс- ного ежима Напряжение Эрли в инверсном режиме Ток начала спада зависимости Вй от тока змиттера в инее сном режиме Ток насыщения утечки перехода база-коллектор Коэффициент эмиссии тока утечки коллекторного пе- ехода Коэффициент перегиба при больших токах Ток насыщения р — и перехода подложки Коэффициент эмиссии тока р-и-перехода подложки Объемное сопротивление коллектора Объемное сопротивление эмиттера Объемное сопротивление базы (максимальное) при н левом сме енин пе ехода база-змитте Ток базы, при котором сопротивление базы уменьша- 50» тмч ч»»ВМ Минимальное сопротивление базы при больших токах Время переноса заряда через базу в нормальном ежиме Время переноса заряда через базу в инверсном ежиме Доля барьерной емкости, относящаяся к внутренней базе о в и З ж м е о Ц Я ж Д» ю ж и З ж ю д ж П.
Модели электронных колтонвнтов и вычисление их параметров 347 Продолжение табл. 11. б Содеркэкке МЗС 0.33 0,75 Ч3С Ф МЗЕ 0.33 0.75 СдЕ пФ М38 1ИЗ 0.75 С38 Ф ЛЕ 1ТЕ А ХТЕ РТЕ град. ХТВ эВ ХТ1 КЕ АЕ ЕС 0.5 Т МЕА80йЕО Температура измерений Т АВЗ Абсолютная температура Т йЕ1 И.ОВА1. 'с р о Коэффициент, учитывающий плавность коллекторно- го пе ехо а Контактная разность потенциалов перехода база- коллекто Емкость коллекторного перехода при нулевом сме- ении Коэффициент, учитывающий плавность змиттерного пе ехо а Контактная разность потенциалов перехода баэа- эмитте Емкость эмиттерного перехода при нулевом смеще- нии Коэффициент, учитывающий плавность перехода коллектор-подложка Контактная разность потенциалов перехода коллек- то -по ожка Емкость перехода коллектор-подложка при нулевом сме енин й Напряжение, характеризующее зависимость ТЕ от сме ения база-коллекто Ток, характеризующий зависимость ТЕ от тока кол- лекто а и и больших токах Коэффициент, определяющий зависимость ТЕ от ~б ° д ри Дополнительный фазовый сдвиг на граничной часто- 1 те транзистора 1т = 2п ТЕ Температурный коэффициент ВЕ и Вй Ширина запрещенной зоны Температурный экспоненциальный коэффициент для тока 18 Коэффициент, определяющий спектральную плот- ность лике -ш ма Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликер-шума от тока через пе еход Коэффициент нелинейности барьерных емкостей и ямосмещенныхне ехо ов Относительная температура о в и к ы ч к о Я э Д и 348 Программа оке номе»ни ~еского моде»ир око»о» МигоГор-к Окончанике табл.
11. 5 Содержанке т Вее ЕОСАЕ Разность между температурой трэ и отступа АКО Линейный температурный коэффи ТВЕ1 ТВЕ2 Квадратичный температурный коэф Линейный температурный коэффи ТВВ1 ТВВ2 Квадратичный температурный козф Линейный температурный коэффи ТВМ1 Квадратичный температурный коэ ТВМ2 ТЙС1 Линейный температурный коэффи ф ТЙС2 Квадратичный температурный коэ Для модело Гуммеля-Луна Основные уравнения работы биполярного транзистора в МС8 Параметры модели транзистора 13,!КР, 13Е, 1Кй, 1ЗС,!33, lйВ, С.)С, С.IЕ, С,/3 и!ТР умножаются на [агеа), а параметры йС, йЕ, йВ, йВМ делятся на [агеа) перед подстановкой в уравнения модели, приведенные ниже.
Т вЂ” это температура работы прибора, а ТНОМ вЂ” зто температура, при которой измерены модельные параметры. Обе температуры измеряются в Кельвинах. Температура, при которой происходит анализ Т, устанавливается в диалоговом окне Апа1уз1з (.1гп1уз для соответствующего вида анализа. ТИОМ определяется глобальными установками О)оЬв1 Зевупдз в позиции ТНОМ. Установка ТНОМ также может быть изменена локально для конкретной схемы с помощью директивы .ОРТ(ОМЗ. Также Т и ТНОМ могут быть изменены для каждой конкретной модели указанием численных значений параметров модели Т МЕЯЗОВЕО, Т ЯВЗ, Т йЕЕ Оз ОВЯг и Т йЕ1.
1.ОСА~. (см. 4.8, описание директивы .МООЕ~.). Узел подложки (зцЬз1га1е) не является обязательным и, если отдельно не указан, подключается к общему выводу (дгоцпо). Если узел подложки специфицирован, он должен быть заключен в квадратные скобки. Модели типов МРМ и РМР используются для вертикальных транзисторных структур, [РМР— для горизонтальных (боковых, планарных) РМР-структур. Изолирующий диод Ы и конденсатор С1 соединяют узел подложки с внутренней точкой коллектора для МРМ- и РМР-моделей, и узел подложки с внутренней точкой базы — для модели типа ( РМР.
При добавлении новых 4-выводных биполярных транзисторов в библиотеку компонентов используйте типы МРМ4, РМР4 для определения типа модели, I!. Модели электронных компонентое и отчисление их пирометров 349 Когда компонент с типом модели РИР4 помещен в схему, используется (.Р(н1Р-текстовое определение. Если необходима вертикальная 4-выводная структура, измените (.РИР на РИР. Тепловой потенциал УТтН ТУТУ. УВЕ- напряжение между внутренними узлами базы и эмиттера.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
