СБ-ЗАДАЧ-УС (944137), страница 2

Задание № 7.2

Дано: А1: К_UД=10⁴, r_ВХД=10⁴Ом, r_ВЫХ= 100 Ом ; R_Н=10к, R1=10к, R2 =1к.

Опр: Вид обратной связи, К_U, К_I, r_ВХ, r_ВЫХ усилителя с ОС, сравнить схемы.

Задание № 7.3

Дано: VT1 = Si, =50, Rк=2к, Rэ=1к, Iк= 1 мА, Епит=10В;

Опр: Вид обратной связи, К_U, К_I, r_ВХ, r_ВЫХ усилителя с ОС, сравнить схемы

Задание № 7.4

Дано: VT1 = Si, =50, Rк=2к, Rэ=1к, Iк= 1 мА, Епит=10В;

R1=5к, R2 – подобрать

Опр: Вид обратной связи, К_U, К_I, r_ВХ, r_ВЫХ усилителя с ОС, сравнить схемы

Задание № 7.5

Дано: А1– r_ВХд =100к, К_Uд = 10⁴, r_ВЫХ=100 ом.

Опр: К_U= U_ВЫХ /e_Г, r_ВХ = e_Г /i_ВХ,
r_ВЫХ = e_Г‘/i‘_ВЫХ

Задание № 7.6

Дано: А1– r_ВХд =100к, К_Uд = 10⁴, r_ВЫХ=100 ом .

Опр: К_U= U_ВЫХ /e_Г, r_{ВХ 1} = e_Г /i_ВХ и
r_{ВХ 2} = u _ВХ /i_{ВХ ,} r_ВЫХ = e_Г‘/i‘_ВЫХ.

Задание № 7.7

Дано: А1– r_ВХд =100к, К_Uд = 10⁴, r_ВЫХ=100 ом, f_Т =10⁶ Гц .

VT1 = Si, =50, Rн=2к, Iк= 2 мА, Епит=10В;

Опр: Вид обратной связи,

К_U= U_ВЫХ /e_Г, r_ВХ = e_Г /i_ВХ,
r_ВЫХ = e_Г‘/i‘_ВЫХ

Задание № 8.1

Дано: А1– r_ВХд =100к, К_Uд = 10⁴, r_ВЫХ=100 ом, f_Т =10⁶ Гц .

R₁=1к, R₂ =20к, С₂ =0,1мкФ.

Опр: К_U= U_ВЫХ /e_Г = (f).

Задание № 8.2

Дано: А1– r_ВХд =100к, К_Uд = 10⁴, r_ВЫХ=100 ом, f_Т =10⁶ Гц .

R₁=1к, R₂ =20к для случаев:

C₁= 0,2 мкФ, С₂ = 0,01мкФ,

C₁= 0,02 мкФ, С₂ = 0,1мкФ,

C₁= 0,5 мкФ, С₂ = 0,005мкФ.

Опр: К_U= U_ВЫХ /e_Г = (f).

Задание № 8.3

Дано: А1– r_ВХд =100к, К_Uд = 10⁴, r_ВЫХ=100 ом, f_Т =10⁶ Гц .

R₁=1к, R₂ =20к ,

C₁= 0,02 мкФ.

Опр: К_U= U_ВЫХ /e_Г = (f).

Задание № 8.4

Дано: А1– r_ВХд =100к, К_Uд = 10⁴, r_ВЫХ=100 ом, f_Т =10⁶ Гц

Опр: К_U= U_ВЫХ /e_Г = (f).

Задание № 9.1

Дано: А1– r_ВХд =100к, К_Uд = 10⁴, r_ВЫХ=100 ом, f_Т =10⁶ Гц,

R=10к, C=0.01мкФ.

Построить: К_U= U_ВЫХ /e_Г = (f), f₀.

Задание № 9.2

Дано: А1– r_ВХд =100к, К_Uд = 10⁴, r_ВЫХ=100 ом, f_Т =10⁶ Гц

R=10к, C=0.01мкФ.

Построить: К_U= U_ВЫХ /e_Г = (f), f₀,

Задание № 9.3

Дано: А1– r_ВХд =100к, К_Uд = 10⁴, r_ВЫХ=100 ом, f_Т =10⁶ Гц

R=10к, C=0.01мкФ.

R₁=2к, R₂= (3к, 3.5к, 3,8к., 4к).

Построить: К_U= U_ВЫХ /e_Г = (f), f₀, _2

Задание № 9.4

Дано: А1– r_ВХд =100к, К_Uд = 10³, r_ВЫХ=100 ом, f_Т =10⁶ Гц.

R=10к, C=0.01мкФ,

R₁=2к, R₂= (3к, 3.5к, 3,8к., 4к).

Построить: К_U= U_ВЫХ /e_Г = (f), f₀, ₁₀

Задание № 9.5

Дано: А1– r_ВХд =100к, К_Uд = 10³, r_ВЫХ=100 ом, f_Т =10⁶ Гц,

R=10к, C=0.01мкФ.

Построить: К_U= U_ВЫХ /e_Г = (f), f₀, _2

Задание № 10.1

Дано: А1– r_ВХд =100к, К_Uд = 10⁴, r_ВЫХ=100 ом .U1=5В, U2=3В, U3=1В.

E_{ПИТ 1}= E_{ПИТ 2}=10В

Опр: U_ВЫХ .

Задание № 10.2

Дано: А1– r_ВХд =100к, К_Uд = 10⁴, r_ВЫХ=100 ом ,

E_{ПИТ 1}= E_{ПИТ 2}=10В.

Опр: U_ВЫХ .

Задание № 10.3

Дано: А1– r_ВХд =100к, К_Uд = 10⁴, r_ВЫХ=100 ом ,

E_{ПИТ 1}= E_{ПИТ 2}=10В.

Опр: U_ВЫХ =f(U_ВХ1, U_ВХ2) .

Задание № 10.4

Дано: Усилитель A1–идеальный.

Опр: U_ВЫХ = f(I) .

Задание №10.5

Дано: Усилитель A1–идеальный.

Опр: U_ВЫХ=f(E_Г).

Задание № 10.6

Дано: Усилитель A1–идеальный.

Опр: U_ВЫХ =f(E_Г).

Задание № 10.7

Дано: Усилитель A1–идеальный.

Опр: U_ВЫХ =f(E_Г).

Задание № 10.8

Дано: Усилитель A1–идеальный.

Опр: U_ВЫХ =f(E_Г).

Задание № 10.9

Дано: А1– r_ВХд =100к, К_Uд = 10⁴, r_ВЫХ=100 ом .

E_{ПИТ 1}= E_{ПИТ 2}=10В

е_Г= 1В,

Опр: U_ВЫХ , r_ВХ, r_ВЫХ .

Задание № 10.10

Дано: А1– r_ВХд =100к, К_Uд = 10⁴, r_ВЫХ=100 ом .

E_{ПИТ 1}= E_{ПИТ 2}=10В

Е_Г= 1В, r_мА=100 ом.

Опр: U_ВЫХ , r_ВХ, показание миллиамперметра.

Задание № 11.1

Дано: VD =КС147, R₀=167ом, R_н=330ом

Е_{пит нестаб} =10В

Опр: U_вых , I_{н мах} , r_вых, К_нU, К_нI , КПД стабилизатора.

Задание № 11.2

Дано: VD =КС156, VT1 =Si, =50. R_н=33ом, Е_{пит нестаб} =10В.

Опр: U_вых , R1, I_{н мах} , I_{н средн}, r_вых, К_нU, К_нI , КПД стабилизатора.

Задание № 11.3

Дано: VD =КС191, VT1 =Si, =50. R_н=160ом, Е_{пит нестаб} =15В.

Опр: U_вых , I_гст, I_{н мах} , I_{н средн}, r_вых, К_нU, К_нI , КПД стабилизатора.

Задание № 11.4

Дано: VD =КС156, VT1 =Si, =50. R_н=600ом, R₁=300 ом , R₂=200 ом, Е_{пит нестаб} =15В.

Опр: U_вых , , I_{н мах} , I_{н средн}, r_вых, К_нU, К_нI , КПД стабилизатора.

Задание № 11.5

Дано: VD =КС147, VT1= VT2=Si, =50. R_н=35ом, R₁=680ом , R₂=300ом, Е_{пит нестаб} =10В.

Опр: U_вых , , I_{н мах} , I_{н средн}, r_вых, К_нU,

К_нI , КПД стабилизатора.

Задание № 11.6

Дано: КР142ЕН5,

Е_{пит. нестаб.}=7,5 15В,

Uвых. ном.= 5+/- 0,1В,

I_{потр. собств.}=10мА, U_{пд мин.} =2,5В,

К_нU=0,05%/В, К_нI=3%, I_{н мах}=2A.

Опр: U_вых , , I_н , , r_вых, ,

КПД стабилизатора, Uвых, если Uвх= + 2В.

Задание № 11.7

Дано: КР142ЕН5,

Е_{пит. нестаб.}=7,5 15В,

Uвых. ном.= 5+/- 0,1В,

I_{потр. собств.}=10мА, U_{пд мин.} =2,5В,

К_нU=0,05%/В, К_нI=3%, I_{н мах}=2A, U_ст=5В.

Опр: U_вых , , I_н , , r_вых, ,

КПД стабилизатора, Uвых, если Uвх= –1В.

Задание № 12.1

Дано: VT1 =Si, =50, U_Эрли= 50В.

Е_пит=15В, Е_г= 4В, U_БЭ=0,7В, I_К0=0,1мкA.

Опр: I_н, r_вых.

Задание № 12.2

Дано: ОУ (А1): К_{u д}= 10⁴, r_{вых ОУ}=50 ом,
r_{вх д}= 10⁴ом, Е_{пит 1}= Е_{пит 2}=15В,

R₁= 1к, R_н =2к, Е_г=+1В.

Опр: I_н, r_вых.

Задание № 12.3

Дано: ОУ (А1): К_{u д}= 10⁴, r_{вых ОУ}=50 ом,
r_{вх д}= 10⁴ом, Е_{пит 1}= Е_{пит 2}=15В,

VT1 =Si, =50, r_кэ= 50кОм.

R₁= 1к, R_н =2к, Е_г=+1В.

Опр: I_н, r_вых.