Диплом1 (Автосохраненный) (814360), страница 5
Текст из файла (страница 5)
В данном способе мы регулируем скорость вращения двигателя при помощи изменения среднего значения напряжения.
Графики изменения среднего значения напряжения от времени показаны на рисунках 5.1, 5.2, 5.3. Где tц-время цикла, Uср-среднее значение напряжения.
Рисунок 5.1 - Среднее значения напряжения на позиции X1
Рисунок 5.2 - Среднее значения напряжения на позиции X2
Рисунок 5.3 - Среднее значения напряжения на позиции X3
Такое регулирование происходит постепенно и график отображающий общий вид среднего напряжения показан на рисунке 5.4.
Рисунок 5.4 - Общий вид среднего значения напряжения
-
Принципиальная схема силовой цепи и функциональная схемы управления тяговым электроприводом
Принцип управления состоит в том что если двигатель включать на десять секунд каждую минуту, то якорь раскрутится, но далеко не на полную скорость — большая инерция сгладит рывки от включающегося двигателя, а сопротивление от трения не даст ему крутится бесконечно долго.
Чем больше продолжительность включения двигателя в минуту, тем быстрей будет крутится якорь. При ШИМ мы гоним на выход сигнал состоящий из высоких и низких уровней (применимо к нашей аналогии — включаем и выключаем двигатель), то есть нулей и единицы. А затем это все пропускается через интегрирующую цепочку (в аналогии — якорь). В результате интегрирования на выходе будет величина напряжения, равная площади под импульсами.
Меня скважность (отношение длительности периода к длительности импульса) можно плавно менять эту площадь, а значит и напряжение на выходе. Таким образом если на входе сплошные 1, то на выходе будет напряжение высокого уровня, в моем случае это 275 вольт, если нули, то ноль. А если 50% времени будет высокий уровень, а 50% низкий то 137,5 Вольт. Интегрирующей цепочкой тут будет служить масса якоря двигателя, обладающего довольно большой инерцией.
На чертеже 4 изображена схема силовой цепи.
M1, M2, M3, M4 – обмотка якоря тяговых двигателей;
L – обмотка возбуждения тягового двигателя;
SF1 – автоматический выключатель включения аккумуляторной батареи;
SF3 – автоматический выключатель служащий для защиты ТЭД;
С1 – молекулярный накопитель;
Kм1– линейный контактор, служащий для включения молекулярного накопителя;
Kм2– линейный контактор, служащий для включения силовой цепи;
Kм3, Км4– линейные контакторы, служащие для ослабления поля обмотки возбуждения;
R1– токоограничивающий резистор, служащий для первоначальной зарядки молекулярного накопителя;
R2, R3 – реостаты, служащие для ослабления поля обмотки возбуждения;
Rт – тормозной реостат;
VT1- VT4 – транзисторы хода;
VT5 – транзистор торможения;
VD1 – обратный диод зарядки молекулярного накопителя;
VD2, VD3, VD8, VD9, VD10– обратные диоды транзисторов VT1- VT5 соответственно;
VD4 – VD7–диодный мост питания обмотки возбуждения ТЭД;
VD11 – обратный диод тормозного реостата;
ЭБУ – электронный блок управления ТрИСУ ТЭП.
-
Описание оборудования используемого в данной схеме
R2, R3 – ослабление поля применяется для экономичного регулирования скорости (оборудование из старого трамвая).
С1– плотность энергии молекулярного накопителя выше плотности энергии лучших традиционных конденсаторов более чем в 10 раз. Плотность мощности в импульсе в 10 раз выше, чем плотность мощности в импульсе у аккумуляторных батарей. Использование молекулярного накопителя наиболее эффективно, когда требуются отдача большой мощности и, особенно, накопление энергии за относительно короткий промежуток времени ~ 0,1-10 сек., например. Используется для экстренного торможения и открывания дверей при отсутствии внешнего напряжения.
Выбираем молекулярный накопитель серии ИКЭ-40/540 U=540 В.
VT1-VT4 и VT5 в виде транзисторов хода и торможения используем биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ)- трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
Для данной схемы подойдет модуль БТИЗ марки SEMiX302GB066HDs с параметрами 600 В по напряжению и 300 А по току.
По своей внутренней структуре БТИЗ представляет собой каскадное включение двух электронных ключей: входной ключ на полевом транзисторе управляет мощным оконечным ключом на биполярном транзисторе. Управляющий электрод называется затвором, как у полевого транзистора, два других электрода — эмиттером и коллектором, как у биполярного. Такое составное включение полевого и биполярного транзисторов позволяет сочетать в одном устройстве достоинства обоих типов полупроводниковых приборов.
Диапазон использования БТИЗ от десятков до 1200 ампер по току, от сотен вольт до 10 кВ по напряжению.
5.3. Описание данной системы управления
В этом устройстве регулирование напряжения якорной обмотки электродвигателя в процессе разгона транспортного средства осуществляется изменением скважности регулирования транзистора.
На рисунке 5.5 изображено условное графическое изображение БТИЗ.
Рисунок 5.5 - Условное графическое изображение БТИЗ
БТИЗ имеет три внешних вывода: эмиттер (Е), коллектор (С), затвор(G). Сочетание двух приборов в одной структуре позволило объединить достоинства полевых и биполярных транзисторов: высокое входное сопротивление с высокой токовой нагрузкой и малым сопротивлением во включенном состоянии.
Суть работы БТИЗ заключается в том, что полевой транзистор управляет мощным биполярным транзистором. В результате переключение мощной нагрузки становиться возможным при малой управляющей мощности, так как управляющий сигнал поступает на затвор полевого транзистора.
Внутренняя структура БТИЗ – это каскадное подключение двух электронных входных ключей, которые управляют оконечным плюсом. На рисунке 5.6 показана упрощённая эквивалентная схема биполярного транзистора с изолированным затвором.
Рисунок 5.6 - Упрощённая эквивалентная схема биполярного транзистора с изолированным затвором
Весь процесс работы БТИЗ может быть представлен двумя этапами: как только подается положительное напряжение, между затвором и истоком открывается полевой транзистор, то есть образуется n - канал между истоком и стоком. При этом начинает происходить движение зарядов из области n в область p, что влечет за собой открытие биполярного транзистора, в результате чего от эмиттера к коллектору устремляется ток.
В данном проекте мною был использован единичный модуль БТИЗ изображенный на рисунке 5.7.
Рисунок 5.7 – Схемы БТИЗ модулей: a - единичный БТИЗ; б - двойной модуль; в - коллекторный прерыватель (чоппер); г - эмиттерный прерыватель (чоппер)
Во всех случаях, кроме прерывателя, модуль содержит параллельно каждому транзистору встроенный обратный диод.
-
Заключение
В данной работе была спроектирована принципиальная схема силовой
цепи и функциональная схема управления ТЭД.
Реализация функциональной схемы управления осуществляется с
использованием транзисторной схемы управления, что упрощает функциональную схему и сводит к минимуму количество используемых электрических элементов, а следовательно к повышению надёжности и к уменьшению веса. ТЭД полностью подходит для движения по заданному маршруту с заданным профилем дороги и поэтому остается тем же.
Предусмотрен режим рекуперации электрической энергии, что
способствует уменьшения затрат электроэнергии при движении транспортного средства.
Преимущества полученного транспортного средства следующие:
экономная эксплуатация, хорошие ходовые характеристики, сохранение и повторное использование энергии. Благодаря этому транспортное (трамвай) средство рекомендуется использовать для движения в городских условиях.
7 Список литературы
-
Москаленко В.В. «Электрический привод». Москва 2007г.
-
Чиликин М.Г., Сандлер А.С. «Общий курс электропривода», М., Энергоиздат, 1981 г.
-
Терехов В.М., Осипов О.И., «системы управления электроприводов», Москва 2006г.
-
Конспект лекций по дисциплине «Электропривод».
8 ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ СОКРАЩЕНИЯ
РКСУ-реостатно контакторная система управления;
ТИСУ-транзисторно импульсная система управления;
КПД-коэффициент полезного действия;
ТД-тяговый двигатель;
ТЭД-тяговый электродвигатель;
ЭП-электропривод;
НСУ-непосредственная система управления;
ШИМ-широтно импульсная модуляция;
ЧИМ-частотно импульсная модуляция;
БТИЗ- биполярный транзистор с изолированным затвором.
53