1598005400-e4d976f05e65a6df0c91dae52ce6f965 (811206), страница 95
Текст из файла (страница 95)
134 134 134 134 Предисловие редактора перевода Глава 1 Анализ свойств электронно-дырочных переходов ванне характеристин полупроводниковых материе 1.1 Введение 1.2 Анализ свойств переходов 1.2.1 Анализ вольт-амперных характеристик 1.2.2 Емкостные измерения 1.2.3 Емкостиая спектроскопия глубоких уровней 1.3 Исследование характеристик материалов 1.3.1 Структурные характеристики 1,3.2 Анализ состава материалов 1.3.3 Оптические характеристики 1.34 Электрические и оптоэлектронные характеристики Глава 2 Методы осаждения тонких пленок 2,1 Введение 2.2 Физическое осаждение из паровой фазы 2.2.1 Вакуумное испарение 2.2.2 Эпитаксиальное осаждение 2.2.3.
Методы ионного распыления 2.3 Методы хямического осаждения 2.3.1 Пульверизация с последующим пиролизом 2.3.2 Осаждение пленок из раствора 2.3.3 Получение пленок методом трафаретной печати 2.3.4 Химическое осаждение из паровой фазы 2.3.5 Реакция замещения 2.3.6 Электролитическое осаждение 2.3.7 Анодирование 2.3.8 Электрофорез 2.4 Методы осаждения из жидкой фазы 2.5 Другие методы осаждения 2.5.1 Кремний (5!) 2 5.2 Сульфид кадмия (С63) Глава 3 Физические свойства тонких пленок, применяемых ных элементах 3 1 Введение 3 2 Полупроводниковые пленки 3.2.1 Кремний (5!) 7 8 8 11 И 2! 21 26 31 32 38 38 39 39 47 51 58 58 69 82 91 113 115 124 !26 129 131 131 132 Оглавление 438 143 150 153 156 157 159 175 176 182 185 196 196 198 .
200 . 200 . 203 . 205 , 2~0 . 215 . 216 . 219 ава 4 Солнечные элементы на основе сульфида меди 4.1 Введение 4.2 Методы изготовления 4.2.1 Конструкции элементов 4.2.2 Элементы, получаемые вакуумным испарением 4.2.3 Элементы, получаемые методом пульверизации с последующим пиролизом 4.3 Физические модели 4.3.1 Микроструктура 4.3.2 Анализ состава 4.4 Фотоэлектрические характеристики 4.4.1 Вольт-амперные характеристики 4.4.2 Спектральная чувствительность 4.4.3 Диффузионная длина неосновных носителей заряда 4.4.4 Емкостные измерения 4.4.5 Анализ вольт-амперных характеристик 4.5 Влияние различных способов обработки и свойств используемых материалов на характеристики элементов 4.5.1 Термообработка 4.5.2 Состав Со„5 4.5.3 Удельное сопротивление Сд5 4.5.4 Легирование 4.5.5 Состав сплава Хп С51 5 4.5.6 Микроструктура 4.6 Энергетическая зонная диаграмма и механизмы потерь 4.7 Выводы Гл Глава 5 Тонкопленочные полииристаллические кремниевые солнечные элементы 274 274 275 277 278 278 5.1 Введение 5.2 Современное состояние разработок массивных кремниевых солнечных элементов 5.3 Технология изготовления 5.4 Эффективность фотоэлектрического преобразования солнечного излучения 5.4.1 Фотоэлектрические характеристики 3.2.2 Селенид кадмия (С45е) 3.2.3 Теллурид кадмия (СЗТе) 3.2.4 Фосфид индия ((пР) 3.2.5.
Фосфид цинка (ХпзРт) 3.2.6 Арсенид галлия (баАз) 3.2.7 Сульфид кадмия (С45) 3.2.8 Селенид меди (СнтЗе) 3.2.9 Сульфид меди (Снз5) 3.2.10 Селенид меди и индия (Св!пЗет) З.З Прозрачные проводящие оксиды 3.3.1 Оксид кадмил (Сбб) 3.3.2 Оксид олова (Зпбз) 3.3.3. Оксид индия (1пзб,) 3.3.4 Станнат кадмия (Сдз5п04) 3.3.5 Оксид цинка (Хпб) Зд Кинетические явления в металлических пленках 3.4.1 Электрические свойства 3.4.2 Оптические свойства 3.5 Лиэлектрические пленки 3.5.1 Электронные свойства 3.5.2 Оптические свойства 220 220 222 223 224 227 228 228 233 236 236 243 245 247 252 254 254 257 259 260 261 265 270 273 Оглавление 5.4.2 Анализ свойств перехода 5.4.3 Механизмы потерь 5.5 Направения дальнейших исследований Глава 6 Солнечные элементы на основе аморфного кремния 6.1 Введение 6.2 Кинетические явления в аморфных материалах 6.2.1 Моделя энергетических зон 6.2.2 Электронные свойства 6.3 Осэждение гидрогенизированного аморфного кремния 6.3.1 Осаждение в тлеющем разряде 6.3.2 Высокочастотное ионное распыление 6.3.3 Пиролиз силана 6.3.4 Еннетика процесса осаждения в тлеющем разряде 6.3.5 Влияние подложки 6.4 Свойства пленок гидрогеннзированного аморфного крени 6.4.1 Структурные свойства 6.4.2 Состав пленок 6,4.3 Оптические свойства 6.4.4 Электрические свойства 6.5 Солнечные элементы на основе гидрогснизированного ного кремния 6.5.1 Конструкции элементов 6.5.2 Фотоэлектрические характеристики 6.5.3 Механизмы потерь 6.5.4 Стабильность элементов 6.6 Новые разработки 6.6.! Новые 'материалы 6.6.2 Новые технологические методы 6.6.3 Новые конструкции преобразователей 6.7 Направления дальнейших исследований Глава 7 Новые типы солнечных элементов 7.1 Введение 7.2 Арсенид галлия (Оадз) 7.24 Процесс изготовления 7.2.2 Фотоэлектрические характеристики 7.2.3 Анализ характеристик перехода 7.3 Теллурнд кадмия (СдТе) 7.3.1 Процесс изготовления 7.3.2 Фотоэлектрические характеристики 7.3.3 Анализ характеристик перехода 7.4 СЗЗе, Сн,,Зе, Хп1пз5ег 7.5 Фосфид цинка (ЕпзРз) 7.6 Фосфид индия (1пР) 7.6.1 Процесс изготовления 7.6.2 Фотоэлектрические характеристики 7.7 Селеиид меди и индия (Сн!пает) 7.7.1 Процесс изготовления 7.7.2 Фотоэлектрические характеристики 7.8 Оксид меди (СнтО) 7.9 Органические полупроводники 7.10 Направления дальнейших исследований Глава 8 Новые направления в разработке высокоэффективных нык элемантов 8.1.
Введение 8.2 Эффекты, вызываемые высоким уровнем интенсивности ния . 283 . 287 . 289 . 291 . 291 . 292 . 293 . 295 . 299 . 30! . 302 303 . 303 . 305 . 306 . 306 . 308 . 309 . 3!! аморф . 317 . 319 . 320 . 325 . 330 . 331 . 331 . 331 . 332 . ЗЗЗ . 335 . 335 . 336 . 336 338 . 339 . 340 342 . 344 345 . 346 . 348 . 349 351 . 351 . 354 355 . 356 .
359 . 360 . 366 солнеч- . 368 . 368 излуче- .369 440 Оглавление 8.3 Новые конструкции обычных солнечных элементов . . . . . 374 8.3.! Многопереходные солнечные элементы с фотоактивным слоем из материала одного вида . . . . , . . . . . . . . . 374 8.3.2 Изменение спектрального состава излучения с помощью люминофоров . . . .
. . . . . , , . . . , . . . . , 378 8.4. Каскадные солнечные элементы со сверхвысоким КП7! . . . 382 8.4.1 Системы на основе оптических фильтров и набора солнечных элементов . : . : : . . . . . . . . . , . . . , 383 8.4.2 Интегральные каскадные солнечные элементы . . .
, . . 387 Литература . . . . . . . , , . . . . . . . . . . . . . . 395 Дополнительная литература . . . . . . . . . . . . . . . . . . 430 Предметный указатель . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 432 Монография Кастури Лал Чопра, Сухит Раджан Дас ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ Научный редактор А. Ю. Кирий Мл.
научный редактор Л. А. Цветкова Художник Л. М. Муратева Художественный редактор Н. М. Ивенов Технический редактор Л. П. Емельянова Корректор В И, Киселева ИБ № 5555 Сдана в набор 27.06.85. Подписано к печати 10.0ЗЛО Формат 60ХООЧы, Бумага типографская № 1. Печать высокая. Гарнитура литературнав. Объем 13.75 бум л.
Уел. печ л 27,50. Усл кр.-отт. 27,50. Уч.-изд. л. 28,58. Изд. № 7/4505. Тираж 2250 зкз. Зак. 1939. Цена 4 руб. У!ЗДАТЕЛЪСТВО «МИР», 129820, ГСП, Москва, И-110. 1-й Рижский пер., 2 Ленинградская типография № 4 ордена Трудового Красного Знамени Ленинградского объединения «Техническая книга» им. Евгении Соколовой Союзполиграфпрома при Государственном комитете СССР па делам издательств, полиграфии и книжной торговля. !9Н26, Ле нннград, Социалистическая ул, 14. .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
