1598005400-e4d976f05e65a6df0c91dae52ce6f965 (811206), страница 93
Текст из файла (страница 93)
21 3.3. Ео!егяЬЬ Ргос. 12й !ЕЕЕ РЬогоиолак 5ресгабяе Сол/егенсе, Ваяоп Копре (1976), р. 957. 22 ХМ. Вся)а)г, 5 В. Райли впс! ).К. Наишг, !ЕЕЕ Тгаия. Е!еслол Оешсет, ЕО-27, Хт'г (1980). 23 М.р. Евпяопс зпя) О.Н, АЬЬоп, !ЕЕЕ 7гаю. Е(ее)гон Оеисея, ЕО-27. 831 (!980). 24 б,%. Мзядсп зпг) С.Е. Взс1шт, Ргос. 13й !ЕЕЕ РЬо)осо!гаге 5репабия Гогя~егеггсе, %аямп8!оп, О.С. (1')78), р. 853. 25 3 А. Сзрс, 35.
Наггь, )г. впг! К. ХаЬ:и. Ргос, !.!й !ЕЕЕ РЬогоголак 5реба)иш Литература 429 Сол/сгелсс. %авЫи8(оп О.С. (1978). р. 881. 26.КЛ, Мооп. Е.Ф. Затее, Н.А. 0;ш 8сг Р)ас; Т,О. Згер, СА, Апгурас апг) 1.1. СЬа(, Ргос. .!ЗгЛ '1ЕЕЕ РЛогооо1лис 5рсао(00 Гол/сгелсе, З94гаЬВп8гогг, О,С. (1978), р. 8Я, 27 А. Веппе! апг( (..С. О!аеп, Ргос. (ЗгЛ 1ЕЕЕ РЛогогьЬЬВс 5рес(а(!ггг Сол/егелсе,%па|пир.
гоп. О.С. (1978), р. 869. 28 Е. Рапегг(, С. Нпгети О. Опали), Р. Ра(сйа ггп8 О. Рамопг, 5о!от ГеИг, 3, !87 (!981), 29 Н А. Ъ'ап г)сг Р(ат. КЛ.. Мооп. Е%. Затес, Т.О. Уер апг( К.К. РнПгт, Ргос. Зггг( Еигореол Готтил(гу Сол/егслсг ол Р(юроооЛогс 5о1ги Елегру, Всгйп (!979), р. 507. 30 М.Р. ЗтессЬЬ 5о1аг Елегру, 22.
З8З (1г)7гт). 31 Е.М. Ргааа апд К.С. КпесЬВЬ Ргос. 1.7гЛ (ЕЕЕ РЛогого!га!с 5рес(о((ггг Гол/сгелсс, Зуаарйп8гоп, О.С. (!978), р. 885. 32 М.Р. (.агпопе апд О. Аььой, 5о!Ы-5гаа. Е!ее!гол!сг. 22, 467 (1979). 33 5.М. Веда~с. М.р. (.апгоггс апд З.й. Нанесг, Арр(. РЛуа 1.ел, 34, 38 (1979). 34 1.А. НшсЬЬу. 5.М. Вег)а!г, А.О. Вгоо!са, К.А. Сопппог, М. ОнЪсу, КМ. 5гетепа аиг( М. 5ипопп 5ЕК! Сипггасгогт йсйсм Мссггпр, Кеасагс(г Тиап8!с Рггг)г.
Н,С. (МагсЬ 1981). 35 М.1 . Тнпшипъ. 5.М. Ве8а!г, З.А. Нн1сЬЬу, Т5. Со)риге, М. 5(шопа аи0 З.й. Наиасг, 5ЕК! Сои!гас!оса йет!еиг Меег!и8, КеьеагсЬ Тггапй(е РагЬ, Х.С. (МагсЬ !г)81). 36 А.С. МВпеа, Ргос. 1ЗгЛ (ЕЕЕ РЬогооорак 5рес!оБго Сол/сгелсе, ЗуагЫп8(оп. О.С. (1978), р. 892. 37 С.Н. Нспгу, У. Арр!, РЛуг., 51, 4494 (1980). Дополнительная литература 1 Ллферов Ж. И., Андреев В. М. Перспективы фотоэлектрического метода преобразования солнечной энергии. — Преобразование солнечной энергии!Под ред. акад. Н.
Н Семенова. Черноголовка, Ин-т хим. физики АН СССР, 1981, с. 7 — 20. 2. Лидоренко Н. С., Евдокимов В. М., Зайцева А. К., Колтун М. М., Рябинов С. В., Стребков Д. С. Новые модели солнечных элементов и перспективы их оптимизации. — Гелнотехника, !978, № 3, с. 3 — 17.
3. Иоффе А. Ф. Физика полупроводников.— М.— Лл Изд-во АН СССР, 1957.— 491 с 4. Рывкин С. М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.— Мл Физматгиз, 1963.— 496 с. 5. Васильев А. М., Ландсман А. П. Полупроводниковые фотопреобразователи.— Мл Сов. радио, !971.— 246 с. 6. Колтун М М. Оптика и метрология солнечных элементов.— Мл Наука, 1985 — 279 с.
7. Раушенбах Г. Справочник по проектированию солнечных батарей: Пер. с англУПод ред. М. М. Колтуна.— Мл Энергоатомиздат, 1983.— 357 с. 8. Калинкин И. П., Алесковский В. Б., Симашкевич А. В. Эпитаксиальные пленки соединений АыВтт.— Лл Изд-во ЛГУ, !978.— 311 с. 9.
Каган М. Б., Любашевская Т. Л. О новых возможностях построения и оптимизации каскадных солнечных элементов.— Гелиотехника, 1981, № 6, с. 7 — 15. 1О. Гаврилова И, П, Евдокимов В М, Колтун М, М, Матвеев В. П., Макарова Е. С Полупроводниковые фотоэлементы повышенной эффективности с тянущим полем в легированной области.— Физика и техннна полупроводников, 1974, т. 8, вып. 1, с.
119 — 124. 11. Карпенко И. В., Колтун М. М., Тыквенко Р. Н. Перспективы и проблемы развития тонкопленочных солнечных элементов на основе АыВт' — Пути использования солнечной энергию Тез. докл. конф., Черноголовка, 17 — 19 февраля 198! гл Черноголовка, Ин-т хим. физики ЛН СССР, !981, с. 39 — 40. 12. Комащенко В.
Н, Марченко А. И., Федорус Г. А. Тонкопленочные и керамические солнечные преобразователи на основе сульфида и селенида кадмия — Гелиотехника, 1979, № 3, с. 15 — 21. 13. Колтун М М., Разыкова М. А. Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов Сцз5 — Хп Сд, 5. — Гелиотехника, 1982, № 2, с. 15 — 22. 14. Константинова Е.
М, Стратиева Н. Р., Кынев С. К., Васильев Л. В. Фотоэлементы на основе гетеропереходов в системе поликрнсталлическнй суяьфид кадмия — теллурид хрома. — Гелиотехника, 1982, № 2, с. 23 — 25. Дополнительная литература 431 15. Крупке М. И., Мелликов Э. Я., Кукк П. Л., Карпенко И. В., Пучкова К. Н. Химические пульверизированные пленки С65 и С6Хп5 для преобразователей солнечной энергии. — Пути использования солнечной энергии: Тез.
докл, конф., Черноголовка, 17 — 19 февраля 1981 гл Черноголовка, Ин-т хим. физики АН СССР, 1981, с. 44 — 45. 16. Разыков Т. М. Физические свойства пленок ХпьСб, 5, полученных химическим осаждением из паровой фазы в потоке водорода.— Гелиотехника, !984, № 6, с. 13 — 16. !7, Азимов С. А., Мирсагатов Ш. А, Расулов Д. Т. Фотоэлектрические свойства пленочных р-СдТе — и-С45 гетеропереходов.— Гелиотехника, 1978, № 3, с. 18 — 24. 18. Литовченко В.
Г., Попов В. Г, Исследование свойств гидрогенизированного аморфного кремния методом спектральных характеристик конденсаторной фото-э. д. с. — Физика и техника полупроводников, !982, т. !6, вып. 4, с. 734 — 738. !9. Каган М. В., Королева Н. С., Нуллер Т. А. Солнечные элементы на основе эпитакснальных пленок арсенида галлия.
— Гелиотехника, !970. № 2, с. 28 — 32. 20. Геришер Х. Фотоэлектролнз под действием солнечного излучения при использовании полупроводниковых электродов. — Преобразование солнечной энергии. (Вопросы физики твердого тела): Пер. с англ./Под рек. М. М. Колтуна, В. М. Евдокимова. — Мл Энергоиздат, 1982, с. 106 †1. 21. Фабр Е., Рижбург Р. Солнечные элементы с гетероперехолом 1пзОз(п+) — 5!!р).
— Солнечная энергетика: Пер. с англ. и францзПод ред. Ю. Н. Малевского, М. М. Колтуна. — Мл Мир, 1979, с. 261 †2. 22. Малик А. И., Баранюк В. А., Манассон В. А. Улучшенная молель солнечных преобразователей на основе структуры 1пзОз/5пОз — 5Ю вЂ” л-58— Гелиотехника, 1980, № 1, с. 3 — 4. 23. Гильчан Б. И., Касаткин В. В., Сорокин Ю. В., Скоков Ю. В., Закс М.
Г. Характеристики кремниевых фотопреобразователей с инверсионным слоем. — Гелнотехника, 1978, № 3, с. 31 — 38. 24. Мартинуцы С., Кабан-Брути Ф., Кабо Т., Франко А., Камвонцис Ж. Солнечные элементы на основе двухслойной системы Сд5 — СЫп5 с верхним слоем Сцз5 — Солнечная энергетика; Пер с англ. н франц./ Под ред. Ю. Н. Малевского, М. М. Колтуна. — Мл Мир, 1979, с. 332— 342. 26. Колтун М. М., Гаврилова И. П., Коленкин М.
Ю. Кремниевые фотоэлементы с многослойнымн селективными покрытиями.— Журн. прикл. спектроскопии, 1982, т. 37, № 2, с. 340 †3. 26. Колтун М. М., Арсении В. В., Абдурахманов Б. М. Кремниевые солнечные элементы на эпитаксиальных структурах. — Гелнотехника, № 6, 1981, с. 87 — 91. Предметный указатель Анализ химического состава 26 — 30 Анодирование 124 — константа роста пленки 124, 125 Арсенид галлия — — пленки 157 — 159 — — солнечные элементы 336 †3 Барьер — изотнпный тыльный 372 — Шоттки 319, 336, 348, 359 — энергетический 9, 139, 141, 253 265, 287, 323, 339, 340, 347, 348 360 1 раницы зерен 137, 138, 152, 155 !59, 166, 185, 197, 198, 199, 201 207, 208, 281, 285, 340 — — пассивация 285, 338 Графоэпитаксия 50 Длина свободного пробега — — — атомов остаточного газа 40 — — — электронов проводимости 206, 207 Испарение вакуумное 39 — 47 Константа равновесия 70 Концентрация — дырок 186 †1 — электронов 186 †1, 196 †2 Коэффициент — диодный 241, 252, 253, 283 †2, 321, 322, 339, 340, 345, 347, 353, 358, 361 — заполнения вольт-амперной характеристики 269, 279, 324, 326, 327, 362-365 — — — — влияние — — — — — интенсивности излучения 370, 372, 377 — — — — — спектрального состава излучения 240 — — — — — термообработки 254, 358 — — — — — уровня легирования 281 — заполнения пленки веществом 210, 216 — отражения 202, 210, 2! 2 — 215 — поглощения 31, 142, 144, 149, 182, 309, 318 — пропусканив 31, 171, 181, 202 †2, 2!Π†2 — распыления 51, 52 — собирания носителей заряда 243— 245, 321, 329, 353, 357, 360, 375, 376, 379 — — — — влияние обратного напряжения смещения 244 — температурный удельного сопротивления 206, 211 — увеличения площади перехода 15 КПД 269, 279, 326, 327, 365, 390 †3 — влияние — — интенсивности излучения 241, 242, 373 — — микроструктуры 267, 270 — — температуры 243, 372 — уровни равных значений 385 Кремний — аморфный 291 — — зонная структура 293 — — методы получения 1!2, 299 †3 — — носители заряда — — — — время жизни 3!6 — — — — подвижность 315 — — плотность — — — вещества 307 — — — энергетических состояний 316, 318 — — подложки 305 — — проводимость Предметный указатель 433 — — — механизмы 295 — 299 — — — удельнан 312 — 315 — — разложение 316 — — солнечные элементы 317 — 334 — — — — деградация 330 — — — — каскадные 332 — — КПД 326, 327 — — — — легирующие примеси 324, 325 — — — — потери энергии 325, 328— 330 — — — — с барьером Шоттки 319 — — — — с р — ! — н-структурой 320 — — — — со структурой металл— диэлектрик †полупроводн 319 — — — — спектральная чувствитель.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
