1598005400-e4d976f05e65a6df0c91dae52ce6f965 (811206), страница 94

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 94)

ность 321, 329 — — — — температура подложки 324 — — состав 308 — — структура 306 — поликристаллический 134 — — получение 134 — — свойства — — — оптические 141 — 143 — — — структурные 135 — 137 — — — электрические ! 37 — 14! — — солнечные элементы 274 — 290 — — — — гидрогенизация 285 — — — — изготовление 277, 278 — — — — легирование 281 — — — — микроструктура 281 — — — — обзор работ 275 — 277 — — — — потери энергии 287 — 289 — — — — фотоэлектрические характеристихи 278 †2 — — — — — — влияние интенсивности излучения 282 Критерий качества прозрачных проводящих пленок 194, 204 Линия — гндроксида 73 — комплексного соединения 73 Масс-спектроскопия вторичных ионов 28, 30, 235 Метод — возбуждения тока световым лучом 36 — вытягивания лент из расплава !30 — наведения тока электронным лучом 35, 37, 345 Микроанализатор электронно-зопдовый 26, 27, ЗО Микроскопия электронная — — просвечивающая 23 — — растровая 23, 25 Мнкроструктура пленок 22 — 26, 107 131, 135, 143, 150, 154, 156, 158, 159, 173, 176, 179, 180, 183, 186, 201, 228 — 233, 281, 307, 308 Напряжение холостого хода 269, 279, 326, 327, 362 †3, 392, 393 — — — влияние — — — — микроструктуры 268, 28! — — — — площади перехода 267 — — — — температуры 243 — — — — термообработки 255, 358 — — — — уровня легировання 260, 261, 281 — — — затухание 34 Носители заряда — — неосновные 34 — 37 — — — время жизни 34, 316, 325, 371 — — — диффузионная длина 34 — 37, 141, 245 — 247, 280, 325, 339, 348, 350, 353, 360, 371 — — туннелирование 2!9, 252 Обедненный слой — — емкость 11, 247 — 252 — — ширина 247 — 252, 36! Оже-спектроскопня 27, 30, 234 Оксид меди — — получение 359 — — солнечные элементы 359, 360 Оптическая ширина запрещенной зоны в пленках — — — — — — аморфного кремния 318 — — — — — — диэлектриков 216 Ориентация пленок, кристаллографическая 135, 143, 150, 154, !56, 158, 159, 180, 183, 186, 196 †2 Осажденне — из раствора 69 — — — влияние — — — — значения рН 76 — — — — комплексообразующего агента 70, 71, 76 — — — — подложки 77 — — — — температуры 78 — — — кинетика 74 — — — пленок 81, 82 — — — — многокомпонентных соединений 79 — — — — оксидов 81 — — — — селенндов н сульфидов 7! — 74 — — — — содержащих легнрующую примесь 79 — — — химические аспекты 70 — ионное 57 — кремния с последующим отделенн- 434 Предметный указатель ем пленки от подложки 132 — плазменное !!1, 301, 303 — химическое — — автокаталнтическое !24 — — из паровой фазы 91 — — — — — легирование 105 — — — — — парциальное давление реагентов 105 — — — — — подложка — — — — — — ориентация ! 03 — -- — — — — температура 103 — — — — — получение — — — — — — диэлектриков 111 — — — — — — металлов 108 — — — — — — полупроводников 107 — — — — — — сплавов !05 — — — — — реакции — — — — — — восстановления 96 — — — — — — газотранспортные 98 — — — — — — — в квазизамкнутом объеме 1!1 — — — — — кинетика 103 — 105 — — — — — полимеризации 97 — — — — — разложения 95 — — — — — термодинамика 102 — — — — типы систем 99 электрогидродинамическое 13! — электролитическое 115 — — металлов !18 — — полупроводников !18, !3! — — сплавов 118 — эпитаксиальное 47 — -- газотранспортное в квазизамкнутом объеме 11! — -- из жидкой фазы 129 — — методом «горячих стенок» 48 — — молекулнрно-лучевое 48 Отношение темпового удельного сопротивления пленки к световому 146, 167, 175, 201 Печать трафаретная 82 — — оборудование 85 — — подложки 83 — — трафареты 86 — 88 — — характеристики пасты 91, 92 Подвижность носителей заряда — — — в аморфном кремнии 315 — — — при прыжковом механизме проводимости 297 — — — — рассеянии границами зерен 139, 152, 155, 159, 166, 185, 197, 199 — — — — — ионами примесей 201 Показатель — поглощения 31, 153, 170, 210, 213— 215 Покрытия просветляющие 225, 278, 281, 337, 350, 356, 373, 392 Постоянная кристаллической решетки !45, !53, 156, !72, !75, !77, 196 Потенциал диффузионный 9, 13, 250, 330, 347, 360 Проводимость — ионная Снт5 178 — механизмы — — в аморфных материалах 295— 299 — — в зоне делокализованных состояний 295 — — в пленках диэлектриков 216 — — — — металлов 205 — 209 — — прыжковый 297 — — — с переменной длиной прыжка 298 — удельная 137, !78, 205, 312 — — аморфного кремния 312 — 315 Прозрачный проводящий оксид 185 — — — — индия и олова 198 — — — кадмия 196 — — — критерий качества пленок 194, 204 — — — олова 196 — — — получение 195 — — — цинка 200 Произведение — ионное 70 — растворилшсти 70 Проницаемость диэлектрическая 216 П>льверизация с последующим пиролнзом 58 — — — — осаждение 59, 132 — — — — — оксидов 63, 68 — — — — — селенидов и сульфндов 62, 132 — — — — — совместное 66 — — — — подложки 64 — — — — скорость роста пленок 64 — — — — состав пленок 65 Работа выхода 206, 211 Распыление — ионное 51 — — в тлеющем разряде 53 — — высоночастотное 56 — — коэффициент распыления 51, 52 — — реактивное 58 — — скорость процесса 52, 53 — ионно-лучевое 56 — магнетронное 55 Реакция замещения в поверхностном слое 113 †1 Рекомбинацин — излучательная 328 — на поверхности раздела Предметный указатель 435 — — — — скорость 9, 252, 271 Ричардсона постоянная 9 Связи химические ненасыщенные 299, 325 Сдвиг — Бурштейна †Мос 196, 198 †2 — стоксов 380, 381 Селенид — кадмия 143 — — получение 143 — — свойства 143 — 150 — — солнечные элементы 346 †3 — меди 175 — — пленки 175, 176 — — солнечные элементы 346 †3 — меди и индия 182 — — — — полученне 183 — — — — свойства 183 — 185 — — — — солнечные элементы 354— 359 Сопротивление — последовательное 241, 358, 370 — слоевое 138, 194 — удельное 186 †1, 196 †2, 205— 209 — — температурный коэффициент 206, 211 — шунтирующее 241, 358 Спектроскопия — емкостная глубоких уровней 17— 21 — электронная для химического анализа 27, 30, 234 Станнат кадмия 200 Структура кристаллической решетки 22, 109, 135, 143, 150, 153, 156, 158, !59, 172, 175, 177, 183, 186, 196— 201 Сульфид — кадмия 159 — — получение 159 — — свойства — — — оптические 170 — — — структурные 159 -- — — электрические 164 — -- солнечные элементы 220 †2 — — сплавы 172 — меди 176 — — диффузионная длина пеосновных носителей заряда 181 — — ионная проводимость 178 — — получение 179 — — потенциал разложения 178 — — свойства — — — оптические 181 — — — структурные 179 — — — электрические 180 — — солнечные элементы 220 †2 — — — — влияние на характеристики — — — — — — — напряжения смещения 244, 251 — — — — — — — интенсивности излучения 241, 243, 250 — — — — — — — состава Сн 5 246, 257 †2 — — — — — — — спектрального состава излучения 240, 243, 250 — — — — — — — температуры 241, 243 — — — — емкость 247 — — — — конструкции 223 — — — — изготовление 222 — 228 — — — — коэффициент — — — — — собирания носителей заряда 243 — 245 — — — — — увеличения площади перехода 250, 251 — — — — КПД 236 — 243, 269 — — — — легирование 260 — — — — микроструктура 228, 265 — — — — на основе сплава Хп,С4 ь5 261 — — — — обзор работ 220 — 222 — — — — пересечение темновой н световой вольт-амперных характеристик 240 — — — — подложки 224 — — — — потери энергии 271 — 273 — — — — состав 233, 257, 261 — — — — спектральная чувствительность 243 — — — — термообработка 246, 249, 254 — — — — удельное сопротивление С45 259 — — — — энергетическая зонная диаграмма 270 Теллурид кадмия 150 — — получение 150 — — свойства 150 — 153 — — солнечные элемеаты 340 — 346 Ток — короткого замыкания 269, 279, 326, 327, 362 — 365, 392, 393 — — -- влияние — — — — интенсивности излучения 241, 282, 360, 369, 372 — — — — легирования 261 — — — — микроструктуры 267 — — — — температуры 243 — — — — термообработки 255 — обратный, насыщения 8, 241, 252, 253, 283 — 287, 323 340, 347, 358, 361 43а Предметный указатель Толщина критическая металлической пленки 209 Фосфид — индия 153 — — пленки 153 †1 — — солнечные элементы 349 †3 — цинка 155 — — пленки 155 — 157 — — солнечные элементы 348 — 349 Фотопроводимость 33, 137, !47, 166, !67, 3!3 †3, 318 Фото- э, д, с.

поверхностная ЗЗ Функция распределения атомов, радиальная 306 Характеристики вольт-амперные 8— 11 — — влияние — — — интенсивности излучения 241 — — — температуры 241 Электрофорез 126 †1 Элементы солнечные — — каскадные 382 — — — интегральные 387 — — — — спектральная чувствительность 393 — — — на основе — — — — — аморфных полупроводников 317 †3, 454, 455 — — — — — системы с расщеплением спектра 383 — — — несбалансированные 389 — — — с последовательным расположением элементов 383 — — — сбалансированные 389 — — многопереходные с т'-образными канавками 374 — — на основе — — — — кремния — — — — — аморфного 317 — 334 — — — — — поликристаллического 274 †2 — — — — органических полупроводников 360, 361, 366 — — — — селенида — — — — — кадмия 346 — 348 — — — — — меди 346 — 348 — — — — — меди и индия 354 — 359 — — — — — цинка и индия 346 — 348 — — — — сульфидов кадмия и меди 220 †2 — — — — теллурида кадмия 340— 346 — — — — фосфида — — — — — индия 349 — 354 — — — — — цинка 348 — 349 — — со слоем люминофора 378 — — с отражающим контактом 223 — — — — — тыльно-барьерные 223 — — — — — фронтально - барьерные 223 Энергия — активации 137 †1, 147, 155, 156, 166, 169, 312, 315 — механизмы потерь 27! †2, 287— 289, 325, 328 †3, 385 — сродства к электрону 2!6, 348 Эффект — пересечения темповой и световой вольт-амперных характеристик 240 — Пула †френке 168, 218, 312, 321 ОГЛАВЛЕНИЕ и исследо лов э солнеч- .

Характеристики

Список файлов книги