Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 2)

Определим коэффициент нагрузки резистора:

(32) (33)

Подобно этому расчету рассчитываем остальные резисторы, а результаты заносим в таблицу №1.

Таблица №1

Конденсаторы

Конденсаторы являются широко распространенными элементами гибридных микросхем. Пленочный конденсатор представляет собой последовательно нанесенные на подложку и друг на друга пленки проводника и диэлектрика. Такая конструкция пленочных конденсаторов делает их более сложными элементами микросборок по сравнению с резисторами.

Применение многослойных конденсаторов с большим числом обкладок приводит к усложнению технологии, снижению надежности, электрической прочности конденсаторов и повышение их стоимости. Поэтому в пленочных микросборках в основном применяются лишь трехслойные конденсаторы. Все характеристики пленочных конденсаторов зависят от выбранных материалов. Диэлектрическая пленка должна иметь высокую адгезию к подложке и металлическим обкладкам, обладать высокой электрической прочностью и малыми диэлектрическими потерями и многими другими требованиями и характеристиками.

Под наши номиналы конденсаторов более подходит боросиликатное стекло (ЕТО.035.015.ТУ) с удельной емкостью 150…400 пФ/мм², диэлектрической проницаемостью ₀ = 4, tg_д 0.1…0.15 10², электрической прочностью Е_ПР = 300…400 В/мкм, ТКЕ 10⁴ М_д = 0.36, _д = 0.01, коэффициентом старения 10^-5 М_кд = 1, _кд = 0.5. Также имеем технологические ограничения на размеры обкладок: l = b = 0.005мм. – максимальное отклонение размеров обкладок, М_со = 0.01 – среднее значение производственной относительной погрешности удельной емкости, _со = 0.005 – половина поля рассеивания производственной относительной погрешности удельной емкости.

Вычислим среднее значение относительной погрешности удельной емкости, Вызванной изменением температуры, М_cotb при верхней и М_cotn при нижней предельной температуре:

%

% (34)

Среднее значение относительной погрешности емкости, вызванной изменением температуры (2.17; 2.18 [5]):

(35)

% %

Половины полей рассеяния относительной погрешности предельной емкости, вызванной изменением температуры:

% (36)

Половины полей рассеяния относительной погрешности емкости, вызванной изменением температуры (2.20; 2.21 [5]):

(37)

%

Среднее значение относительной погрешности удельной емкости, вызванной старением диэлектрической пленки:

% (38)

Среднее значение относительной погрешности емкости, вызванной старением диэлектрической пленки (2.23; 2.24 [5]):

(39)

%

Половина поля рассеяния относительной погрешности удельной емкости, вызванной старением диэлектрической пленки:

% (40)

Половина полей рассеяния относительной погрешности емкости, вызванной старением диэлектрической пленки (2.26; 2.27 [5]):

(41)

%

Найдем сумму средних значений относительных погрешностей:

% (42)

% (43)

Введем коэффициент запаса на уход емкости под действием не учетных факторов:

Определим допустимое значение половины поля рассеяния, производственной относительной погрешности активной площади:

%

%

- минимальное значение двух предыдущих.

Допустимый коэффициент формы активной площади конденсатора:

(46)

Коэффициент формы берем из условия 2.39 [5]:

(47)

К = 1.

Определим максимальную удельную емкость, обусловленную заданным допуском на емкость по техническим параметрам:

пФ/мм² (48)

Коэффициент запаса электрической прочности конденсатора принимаем равный 2:

Определим максимальную удельную емкость, обусловленную электрической прочностью межслойного диэлектрика и рабочим напряжением:

пФ/мм² (49)

мм. – минимальная толщина диэлектрика, тогда максимальная удельная емкость из допустимого уровня производственного брака:

пФ/мм² (50)

Определим минимальную удельную емкость, приняв значение максимальной толщины диэлектрика:

мм.

Тогда:

пФ/мм² (51)

Выберем удельную емкость из условия:

(52)

пФ/мм²

Определим соответствующую С₀ толщину диэлектрика:

мм. (53)

Определим расчетную активную площадь конденсатора:

мм² (54)

Определим расчетное значение длины и ширины верхней обкладки конденсатора при выбираем коэффициенте формы:

мм. мм. (55)

С учетом масштаба фото оригинала:

мм. мм.

= 0.2 мм. – минимальное расстояние краем нижней и верхней обкладок, обусловленное выбранной технологией.

Определим расчетное значение длины и ширины нижней обкладки конденсатора:

мм. мм. (57)

С учетом масштаба фото оригинала:

мм. мм.

мм. – минимальное расстояние между краем нижней обкладки и диэлектрическим слоем, обусловленное выбранной технологией.

Определим расчетное значение длины и ширины диэлектрического слоя конденсатора:

мм. мм. (59)

С учетом масштаба фото оригинала:

мм. мм.

Определим площадь, занимаемую конденсатором:

мм² (61)

Определим точность емкости сконструированного конденсатора. Для этого определим среднее значение относительной погрешности активной площади:

(62)

Определим среднее значение производственной погрешности:

(63)

определим поле рассеяния относительной погрешности активной площади:

(64)

Определим поле рассеяния производственной погрешности:

(65)

Определим положительное и отрицательное значение предельного отклонения емкости:

(66)

(67)

Предельное отклонение емкости будет равно максимальному из этих значений:

Проверим условие:

Как видно это условие выполняется, из этого следует, что выбранный материал нам подходит по своим характеристикам.

Пользуясь этим расчетом рассчитываем остальные конденсаторы, а результаты запишим в таблицу №2.

Таблица №2.

Заключение

В ходе данного курсового проекта была разработана конструкция микросборки усилителя промежуточной частоты. Проведен расчет топологии микросборки (расчет пассивных элементов схемы и их расположения на подложке). Разработана маршрутная технология микросборки. Сделан анализ конструкции микросборки. Таким образом, все требования технического задания были выполнены.

Список литературы

1. Коледов Л.А. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование. М: «Высшая школа» 1984 г.

2. Парфенов О.Д. Технология микросхем М:«Высшая школа» 1986 г.

3. Сажин Б.Н. Конструирование пассивных элементов плёночных микросборок Рязань РРТИ 1987 г.

4. Сажин Б.Н. Фотолитография в технологии тонкоплёночных микросхем и микросборок Рязань РРТИ 1993 г.

5. Сёмин А.С. Конструирование пассивных элементов плёночных микросборок Рязань РРТИ 1983 г.

6. Сёмин А.С. Конструкция и технология микросхем Рязань РРТИ 1978 г.

7. Сёмин А.С. Конструкция и технология микросхем ч.1. Рязань РРТИ 1981 г.

8. Сёмин А.С. Конструкция и технология микросхем ч. 2. Рязань РРТИ 1981 г.

9. Сёмин А.С. Оформление конструкторской документации на плёночные микросборки Рязань РРТИ 1983 г.

10. Сёмин А.С. Методические указания к курсовому проекту по курсу «конструирование и расчет микросхем» Рязань РРТИ 1971 г.

Характеристики

Список файлов реферата