9 (694848)
Текст из файла
9. Работа биполярного транзистора в импульсном режиме
Транзисторы широко применяются в различных импульсных устройствах. Работа транзисторов в импульсном режиме, иначе называемом ключевым или режимом переключения, имеет ряд особенностей.
Рассмотрим импульсный режим транзистора с помощью его выходных характеристик для схемы ОЭ. Пусть в цепь коллектора включен резистор нагрузки
. Соответственно этому на рис. 9-1 построена линия нагрузки. До поступления на вход транзистора импульса входного тока или входного напряжения транзистор находится в запертом состоянии (в режиме отсечки), что соответствует точке
. В цели коллектора проходит малый ток (в данном случае сквозной ток
и, следовательно, эту цепь приближенно можно считать разомкнутой. Напряжение источника
почти все полностью приложено к транзистору.
Рис. 9-1. Определение параметров импульсного режима транзисторов с помощью выходных характеристик.
Если на вход подан импульс тока
, то транзистор переходит в режим насыщения и работает в точке
. Получается импульс тока коллектора
, очень близкий по значению к
. Его иногда называют током насыщения. В этом режиме транзистор выполняет роль замкнутого ключа и почти все напряжение источника
падает на
, а на транзисторе имеется лишь очень небольшое остаточное напряжение в десятые доли вольта, называемое напряжением насыщения
.
Хотя напряжение
в точке
не изменило свой знак, но на самом коллекторном переходе оно стало прямым, и поэтому точка
действительно соответствует режиму насыщения. Покажем это на следующем примере. Пусть имеется транзистор n-p-n и
, а напряжение на базе
. Тогда на коллекторе по отношению к базе будет напряжение
, т.е. на коллекторном переходе прямое напряжение 0,4 В.
Конечно, если импульс входного тока будет меньше
, то импульс тока коллектора также уменьшится. Но зато увеличение импульса тока базы сверх
практически уже не дает возрастания импульса выходного тока. Таким образом, максимальное возможное значение импульса тока коллектора
Помимо
,
и
импульсный режим характеризуется также коэффициентом усиления по току В, который в отличие от
определяется не через приращения токов, а как отношение токов, соответствующих точке
:
Иначе говоря,
является параметром, характеризующим усиление малых сигналов, а В относится к усилению больших сигналов, в частности импульсов, и по значению несколько отличается от
.
Параметром импульсного режима транзистора служит также его сопротивление насыщения
Значение
у транзисторов для импульсной работы обычно составляет единицы, иногда десятки Ом.
Аналогично рассмотренной схеме ОЭ работает в импульсном режиме и схема ОБ.
Рис. 9-2. Искажение формы импульса тока транзистором.
Если длительность входного импульса
во много раз больше времени переходных процессов накопления и рассасывания зарядов в базе транзистора, то импульс выходного тока имеет почти такую же длительность и форму, как и входной импульс. Но при коротких импульсах, т. е. если
составляет единицы микросекунд и меньше, может наблюдаться значительное искажение формы импульса выходного тока и увеличение его длительности.
Для примера на рис. 9-2 показаны графики короткого импульса входного тока прямоугольной формы и импульса выходного тока при включении транзистора по схеме ОБ. Как видно, импульс коллекторного тока начинается с запаздыванием на время
(время задержки), что объясняется конечным временем пробега носителей через базу. Этот ток нарастает постепенно в течение времени
(длительности фронта), составляющего заметную часть
. Такое постепенное увеличение тока связано с накоплением носителей в базе. Кроме того, носители, инжектированные в базу в начале импульса входного тока, имеют разные скорости и не все сразу достигают коллектора. Время
+
является временем включения
. После окончания входного импульса за счет рассасывания заряда, накопившегося в базе, ток
продолжается некоторое время
(время рассасывания), а затем постепенно спадает в течение времени спада
. Время
+
есть время выключения
. В итоге импульс коллекторного тока значительно отличается по форме от прямоугольного и растянут во времени по сравнению с входным импульсом. Следовательно, замедляется процесс включения и выключения коллекторной цепи, затягивается время, в течение которого эта цепь находится в замкнутом состоянии. Иначе говоря, за счет инерционности процессов накопления и рассасывания заряда в базе транзистор не может осуществлять достаточно быстрое включение и выключение, т. е. не обеспечивает достаточное быстродействие ключевого режима.
На рис. 9-2 показан еще график тока базы, построенный на основании соотношения
. Как видно, ток этот имеет сложную форму.
Специальные транзисторы для работы короткими импульсами должны иметь малые емкости и тонкую базу. Как правило, это маломощные дрейфовые транзисторы. Чтобы быстрее рассасывался заряд, накапливающийся в базе, в нее добавляют в небольшом количестве примеси, способствующие быстрой рекомбинации накопленных носителей (например, золото).
39
Характеристики
Тип файла документ
Документы такого типа открываются такими программами, как Microsoft Office Word на компьютерах Windows, Apple Pages на компьютерах Mac, Open Office - бесплатная альтернатива на различных платформах, в том числе Linux. Наиболее простым и современным решением будут Google документы, так как открываются онлайн без скачивания прямо в браузере на любой платформе. Существуют российские качественные аналоги, например от Яндекса.
Будьте внимательны на мобильных устройствах, так как там используются упрощённый функционал даже в официальном приложении от Microsoft, поэтому для просмотра скачивайте PDF-версию. А если нужно редактировать файл, то используйте оригинальный файл.
Файлы такого типа обычно разбиты на страницы, а текст может быть форматированным (жирный, курсив, выбор шрифта, таблицы и т.п.), а также в него можно добавлять изображения. Формат идеально подходит для рефератов, докладов и РПЗ курсовых проектов, которые необходимо распечатать. Кстати перед печатью также сохраняйте файл в PDF, так как принтер может начудить со шрифтами.














