150896 (621490), страница 5
Текст из файла (страница 5)
(3.55)
где UT=1.505 – действующее значение падения напряжения на тиристоре, В;
3.2.4 Расчёт транзисторного ключа (рис.3.14)
1).Выбор транзистора.
При выборе транзистора руководствовались правилом: максимальный ток коллектора тиристора должен быть больше максимального тока коммутируемой цепи (постоянного тока управления тиристора)
Схема параллельного транзисторного ключа.
Рис.3.14.
Электрическая схема замещения тиристора.
Рис.3.15.
и максимальное обратное напряжение между коллектором и эмиттером, должно быть больше максимального напряжения коммутируемой цепи (напряжения управления тиристорами). Исходя из этого, выбрали прибор из [6]. Параметры выбранного прибора приведены в таблице 3.20.
Таблица 3.20.
Параметры выбранного полупроводникового прибора.
| Марка прибора | Справочные данные прибора | ||
| Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора Uкэ, В | Максимальный ток коллектора транзистора Iк, А | Коэффициент передачи тока базы транзистора в схеме с общим эмиттером | |
| КТ660Б | 30 | 0.8 | 200-400 |
2). Поскольку в пункте 3.1.2 мы уже рассчитали параметры резисторов R1 и R2 (таблица 3.3), то проведём проверку на предмет достаточности тока, заданного резистором R2 от источника питания. Для этого воспользовались условием насыщения биполярного транзистора (ток коллектора должен быть более чем 3-5 раз меньше произведения тока базы на коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером):
Для этого пренебрегая падением напряжения на базовом переходе транзистора в режиме насыщения определили ток базы:
(3.56)
где Iк= 0.010 – ток коллектора проходящий через транзистор в режиме насыщения, А
= 200 -минимальный коэффициент передачи тока базы транзистора в схеме с общим эмиттером;
Iб=0.008 – ток базы транзистора, заданный резистором R2, А.
Из выражения (3.56) видно, что условие насыщение биполярного транзистора выполняется.
3). Расчёт параметров резистора Rк.
Поскольку в режиме отсечки транзистора через этот резистор проходит ток, равный постоянному току управления тиристора, то сопротивление резистора рассчитывается по формуле:
(3.57)
где IGT=0.15- постоянный ток управления тиристора, мА;
Выбрали номинальное сопротивление резистора из [3]: Rк=33Ом.
По (3.3), подставляя значения тока IGT и номинального сопротивления Rк рассчитали мощность, выделяемую на резисторе Rк, в результате получили: РRк=0.74Вт
4).Выбрали резистор Rк из [3]. Параметры выбранного прибора приведены в таблице 3.21.
Таблица 3.21.
Параметры выбранных резисторов.
| Обозначение резисторов | Параметры выбранных резисторов | |||
| марка | мощность,Вт | номинал, Ом | допуск, % | |
| Rк | МЛТ | 1 | 33 | 5 |
3.3 Расчёт задающего генератора
3.3.1 Выбор схемы генератора
Согласно техническому заданию длительность квазистационарного состояния 30 мс.
Частота соответствующая такой длительности вычисляется по формуле (3.58):
(3.58)
где Т=0.03 – длительность квазистационарного состояния цифрового управляющего устройства, с.
Чтобы обеспечить стабильную частоту задающего генератора необходимо использовать схему с кварцевой стабилизацией частоты. Из [7] выбрали схему генератора (рис.3.16).
3.3.2 Выбор кварцевого резонатора
Выбрали из [8] кварцевый резонатор ZQ1 с частотой резонанса 32768Гц.
3.3.3Расчёт параметров резистора R1
Рассчитали сопротивление резистора R1 из условия, что ток, проходящий через него должен равняться току на выходе ТТЛШ-логики при логической единицы. Так как при логическом нуле на входе инвертора DD1, на выходе DD3 логическая единица, а при логической единице на входе DD1 на выходе DD3 будет логический ноль, можно сказать, что напряжение приложенное к R1 не зависит от напряжения на выходе схемы (напряжения на кварцевом резонаторе) и равняется:
U=U1H-U0L=5-0.4=4.6 В (3.59)
Сопротивление резистора рассчитывается по (3.60):
(3.60)
где U=4.6 – напряжение, прикладываемое к резистору, В.
Выбрали номинальное сопротивление резистора из [3]. С целью получения прецизионного прибора воспользовались стандартным рядом Е192, в котором допуск составляет 0.01%. В результате получили: R=11500 Ом.
Вычислили мощность, рассеиваемую на резисторе:
(3.61)
По величине номинального сопротивления и мощности рассеиваемой на приборе выбрали из [3] резистор, параметры которого приведены в таблице 3.22.
Таблица 3.22.
Параметры выбранного резистора.
| Обозначение резисторов | Параметры выбранных резисторов | |||
| марка | мощность,Вт | номинал, Ом | допуск, % | |
| R1 | МРХ | 0.125 | 11500 | 0.01 |
В качестве инверторов DD1-DD3 взяли микросхему КР1533ЛН1, параметры которой приведены в таблице 3.14.
3.3.4 Расчёт делителя частоты (рис.3.17)
Схема задающего генератора.
Рис.3.16.
Из [9] выбрали микросхему К561ИЕ15А, параметры которой приведены в таблице 3.23. Это программируемы вычитающий счетчик-делитель, которым можно задать коэффициент деления частоты от 3 до 15999. Выходной сигнал является импульсом с шириной равной периоду тактовой частоты, который повторяется с частотой в "N" раз меньше входной. Счетчик предустанавливается 16-ю входными сигналами.
Таблица 3.23.
Параметры микросхемы К561ИЕ15А
| Прибор | Параметры | |||||||
| Uпит | Iпот | U1вых | U0вых | I1вх | I0вх | I0вых | I1вых. | |
| К561ИЕ15А | 5В | 10мА | 4.6B | <0.5B | <20мкА | <-0.1 мА | 2мА | >1мА |
Требуемый коэффициент деления частоты рассчитали по формуле (3.62):
(3.62)
где fZQ=32768 – частота резонанса кварцевого резонатора, Гц;
f=33.3 – рассчитанная частота задающего генератора, Гц.
В программируемом счетчике-делителе коэффициент деления задаётся состояниями входов Pi. Эти входы задают разряды коэффициента деления: P1=0 – тысячи, P2=9- сотни, P3=8 – десятки, P4=4 – единицы. Входы М и Р5 подключаем согласно справочным данным на микросхему [9]: М=2=«111»
На схеме соответственно соединили выводы разрядовых регистров («0» к общему выводу всей схемы, «1» к источнику питания 1).
С целью унификации задающего генератора и удобства его настройки на входа делителя частоты поставили механические ключи типа «Swich», при этом при включенном состоянии ключа на соответствующий вход подана логическая единица, а при отключенном – логический ноль.
Из [8] выбрали ключи, их параметры приведены в таблице 3.24.
Таблица 3.24.
Параметры выбранных механических коммутирующих приборов.
| Марка | Предельные параметры | |||
| Число ключей в корпусе | Максимальное коммутируемое напряжение, В | Максимальный коммутируемый ток, А | Износостойкость | |
4.РАЗОРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ ЦИФРОВОГО УПРАВЛЯЮЩЕГО УТРОЙСТВА
4.1 Выбор охладителя на силовые ключи
Считая, что тепло, выделяемое на p-n переходе полупроводникового прибора, отдаётся только через контакт полупроводникового прибора и радиатора, выбрали из [5] величине выделяемой мощности (Pj=22.6) охладитель: О231.
4.2 Выбор основания для монтажа микросхем
Из [8] в качестве основания для монтажа элементов схемы фольгированный стеклотекстолит СФ-2-50-1.5. Параметры выбранного основания приведены в таблице 3.24.
Таблица 3.24.
Параметры выбранного основания для монтажа элементов.
| Марка | Электрические параметры фольгированного стеклотекстолита | |||
| Толщина изоляции d, мм | Толщина фольги Н, мкм | Максимальная плотность тока J, А/мм2 | Удельное сопротивление изолятора ρ, Ом/м | |
| СФ-2-50-1.5 | 1.5 | 50 | 4 | 1.2∙109 |
4.3 Выбор конструктивного исполнения цифрового управляющего устройства
Поскольку силовые ключи напитываются напряжением, равным 600В, то и при коротком замыкании коммутируемой цепи может выйти из строя как силовая часть, так и цифровой автомат, поэтому с целью уменьшения стоимости ремонта цифрового управляющего устройства монтаж силовой части и цифрового автомата с входными цепями производим на разных монтажных платах.
4.4 Расчёт минимальной ширины дорожки проводящего рисунка печатной платы
1)Рассчитали максимальный ток дорожек, обеспечивающих подвод питания к цифровой и аналоговой части цифрового управляющего прибора.
1.1) По данным, приведённым в пункте 3, нашли максимальный потребляемый ток схемой цифрового автомата:
I=k∙(q∙Inot+w∙Ior/not+r∙Iand+t∙Ilr+u∙Idc1+p∙Idc2+v∙Ior+
+b∙IT)=1,4∙(2∙3.8+3∙4+4+4∙3+35+13+4∙5+10)= (3.63)
=147.6 мА
где q=2 – количество микросхем КР1533ЛН1
w=3 - количество микросхем КР1533ЛЕ1;
r=1 - количество микросхем КР1533ЛИ1;
t=4 - количество микросхем КР555ЛР13;
u=1 - количество микросхем КР1533ИД3;
p=1 - количество микросхем КР555ИД6;
v=4 - количество микросхем КР555ЛЛ1;
b=1 - количество микросхем КР1533ТМ7;
k=1.4 – добавочный коэффициент;
Inot=3.8 –максимальный ток, потребляемый микросхемой КР1533ЛН1, мА;
Ior/not=3 -максимальный ток, потребляемый микросхемой КР1533ЛЕ1, мА;
Iand = 4 -максимальный ток, потребляемый микросхемой КР1533ЛИ1, мА;
Ilr =3 -максимальный ток, потребляемый микросхемой КР1533ЛИ1Ю, мА;
Idc1=35 -максимальный ток, потребляемый микросхемой КР1533ИД3, мА;
Idc2=13 -максимальный ток, потребляемый микросхемой КР555ИД6, мА;
Ior=5 -максимальный ток, потребляемый микросхемой КР555ЛЛ1, мА;
IT=10 -максимальный ток, потребляемый микросхемой КР1533ТМ7;
2.1) Записали выражение для расчёта ширины дорожки проводящего рисунка:
L>I/(B∙J)= 159∙10-3/(50∙10-6∙4∙106)=0.0008 м (3.64)
где I=159∙10-3-максимальный ток, проходящий через сечение медной фольги, А;
B=50∙10-6-толщина фольги, м.
Примем ширину дорожки, равную 1 мм.
3)Аналогичный расчёт провели для получения ширины дорожек, соединяющих микросхемы, управляющий электрод тиристора и системой управления.
В результате получили: L=0.00012мм – для дорожек, соединяющих микросхемы, и L=0.0008 – для дорожек, соединяющих управляющий электрод тиристора с системой управления. Приняли ширину дорожки, соединяющей микросхемы, равной 0.2 мм, дрожки, подходящей к управляющему электроду, 1 мм.
4.5 Разработка рисунка печатных плат
Согласно габаритным размерам приборов [2, 5, 6] и микросхем [1], а так же данным, рассчитанным в пункте 4.4 составили рисунок печатной платы цифрового автомата с входными цепями (рис.4.1-4.2) и силовой части цифрового управляющего устройства (рис.4.2-4.3).
Литература
1.Полупроводниковые оптоэлектронные приборы: Справочник/В.И.Иванов, А.И.Аксенов, А.М.Юшин – 2-е изд., перераб. и доп.-М.: Энергоатомиздат.-1988.-448с.: ил.
2. Резисторы: (Справочник)/Ю.Н.Андреев, А.И.Антонян, Д.М.Иванов и др.; Под.ред. И.И.Четверткова.-М.: Энергоиздат, 1981.-352с., ил.
3. Транзисторы/Чернышев А. А., Иванов В. И., Галахов В. Д. и др.; Под общ. ред. А. А. Чернышева. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Энергия, 1980.— 144 с., ил.— (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1002).
4.Краткий справочник конструктора радиоэлектронной аппратуры. Под. ред. Р.Г.Варламова.-М.: Сов.радио, 1972.
0>20>













