курсач (557276), страница 3

Итоговые размеры резисторов.

3.5.1 Для резистора R1 = 450 Ом ±10%.

3.5.2 Допуск резистора R2 = 4,5 кОм ±20% позволяет обойтись без доводки.

3.5. Для резистора R3 = 6,5 кОм ±5%.

Таблица 5

б) Корректировки емкости конденсаторов

Используемые для доводки пленочных резисторов физические, химические или механические воздействия на резистивную пленку не применимы к пленочным конденсаторам, т.к. приведут к разрешению их структуры.

Поэтому для изменения емкости пленочных конденсаторов применяется конструктивный способ.

МАИ.468714.304.009

Лист

15

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Сущность этого способа состоит в следующем. Корректировка емкости толстоплёночного конденсатора производится путём подсоединений в процессе доводки к конденсатору дополнительных элементов, заранее предусмотренных на верхней обкладке. Конденсатор изготавливается с заранее заниженной ёмкостью.

Для конденсатора C2 = 1400 пФ ±10%

Количество и размеры дополнительных обкладок выбирается в зависимости от установленной величины допустимого отклонения.

Таблица 6

Площадь участков дополнительной обкладки

Зазоры между основной обкладкой и дополнительной, а также между дополнительными обкладками равны 0,6 мм.

При изготовлении следует обеспечить «заниженное» значение емкости корректируемых конденсаторов.

МАИ.468714.304.009

Лист

16

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Произведем корректировку:

где:

Для получения значения емкости наиболее близкого к номиналу, необходимо подключить дополнительные площадки C1, C2, C3, C4.

3.6 Разработка топологии платы.

Исходными данными для разработки топологии являются:

- принципиальная электрическая схема;

-·геометрические размеры плёночных элементов;

-·габаритные размеры внешних и внутренних контактных площадок, используемых для присоединения навесных ЭРК и ИМС;

- конструктивные нормы и технологические ограничения.

Разработка топологии начинается с анализа принципиальной схемы на возможность использования ее в гибридно-пленочном варианте. При этом необходимо учитывать такие параметры, как разброс номиналов пассивных элементов, наличие бескорпусных аналогов навесных активных элементов, и суммарной мощности рассеивания элементов схемы.

МАИ.468714.304.009

Лист

17

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Разработка схемы соединения осуществляется в следующей последовательности:

- определение взаиморасположения пленочных элементов;

- определение расположения навесных элементов, тип элемента задан в перечне элементов, а геометрические размеры и способ установки – по ТУ;

- расчет пленочных элементов;

- компоновка навесных и пленочных элементов, разработка эскизов топологии в увеличенном масштабе (5:1 или 10:1).

Основными требованиями являются минимальная длина проводника и наименьшее количество перемычек.

При разработке топологии обязательно надо учитывать следующие размеры:

- погрешность размеров должна быть не больше 50 мкм;

- расстояние между элементами одного слоя 300 мкм;

- расстояние от проводника или пленочного элемента до края подложки 1000 мкм;

- расстояние от навесного элемента до края подложки и от пленочного резистора до навесного элемента или края подложки 1000 мкм;

- расстояние от навесного элемента до контактной площадки 100 мкм; размеры контактных площадок для пайки 600600 мкм.

По внешнему контуру эскиза топологии производят предварительную оценку габаритных размеров платы. Исходя из стандартного габаритного размера платы, производят корректировку размеров топологии. В случае наличия свободных технологических полей на краях платы размеры выбирают из таблицы 7.

Таблица 7

Размеры плат следует выбирать с учётом площади, отведённой в корпусе для их размещения и его конструкции.

Характеристика основных норм и ограничений для толстоплёночной технологии приведена в таблице 8.

МАИ.468714.304.009

Лист

18

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Таблица 8

Элементы каждого слоя на первом листе топологических чертежей штрихуют, условное обозначение штриховки расшифровывают в таблице, приводимой на поле первого листа топологического чертежа.

На изображении контактных площадок проставляют условную маркировку – порядковые номера, начиная с 1 в левом углу в направление часовой стрелки по всему контуру. Если подложка микросхемы помещается в нормализованный корпус, то нумерация внешних контактных площадок должна соответствовать нумерации выводов.

МАИ.468714.304.009

Лист

19

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата