Тема 10_2010_Системы памяти современных ЭВМ (542586), страница 6
Текст из файла (страница 6)
В 2002 г. компания Fujitsu выпустила магнитооптические накопители DynaMO2300U2 и дискеты к ним (стандартный размер дискет — 3.5 дюйма) емкостью 2.3 Гбайт.Молекулярная память [molecular storage] – вид памяти, использующей технологию"атомной тунельной микроскопии", в соответствии с которой запись и считывание данныхпроизводится на молекулярном уровне. Носителями информации являются специальные видыпленок. Головки, считывающие данные, сканируют поверхность пленки.
Их чувствительностьпозволяет определять наличие или отсутствие в молекулах отдельных атомов, на чем и основанпринцип записи-считывания данных. В середине 1999 г. эта технология былапродемонстрирована компанией Nanochip. В основе архитектуры устройств записи-считываниялежит технология MARE (Molecular Array Read-Write Engine).
Достигнуты следующиепоказатели по плотности упаковки: ~ 40 Гбит/см2 в устройствах чтения/записи и 128 Гбит/см2 вустройствах с однократной записью, что считается в 6 раз выше, чем у экспериментальныхобразцов, которые основаны на классической технологии магнитной записи, и более чем в 25раз превосходит лучшие ее образцы, находящиеся в серийном производстве.24Полупроводниковая память [semiconductor storage] - вид памяти, использующий вкачестве средств записи и хранения данных микроэлектронные интегральные схемы (БИС иСБИС). Преимущественное применение этот вид памяти получил в ПЗУ и ОЗУ ЭВМ,поскольку он характеризуется высоким быстродействием. Сравнительно недавно объем памяти,реализуемой на одной твердотельной (полупроводниковой) плате, ограничивался единицамиМбайт.
Однако в настоящее время рядом фирм США, Японии и Европы разработанаминиатюрная плата памяти с габаритами 38х33х3.5 мм, объемом памяти до 64 Мбит и ужепринят соответствующий международный стандарт. Это позволяет существенно расширитьиспользование твердотельной памяти, в том числе в качестве устройств внешней памяти ПЭВМи в других применениях.Ферритовая память [core storage] - вид ОЗУ на ферритовых сердечниках.Фазоинверсная память [Phase Change Rewritable storage, PCR] - разновидностьлазерной (дисковой) памяти, использующей свойства некоторых полимерных материалов вточке лазерного нагрева в зависимости от температуры изменять фазовое состояние вещества (вчастности кристаллизоваться или плавиться с возвращением в исходное состояние), а вместе сним - и характеристики отражения. Указанная технология позволяет создавать оптическиедиски (650 Мб) для многократной перезаписи данных.
Разработкой данной технологиизанимается ряд компаний, включая Panasonic и Toshiba.Электростатическая память [electrostatic storage] - вид памяти, в которомносителями данных являются накопленные заряды статического электричества на поверхностидиэлектрика.По назначению, организации памяти и/или доступа к нейразличают следующие виды памяти:Автономное ЗУ [off-line storage] - вид памяти, не допускающий прямого доступа к нейсо стороны центрального процессора: обращение к ней, а также управление ею производитсявводом в систему специальных команд и через посредство оперативной памяти.Адресуемая память [addressed memory] - вид памяти, к которой можетнепосредственно обращаться центральный процессор.Ассоциативное ЗУ, АЗУ [associative memory, content-addressable memory, CAM] - видпамяти, в котором адресация осуществляется на основе содержания данных, а не ихместоположения, чем обеспечивается ускорение поиска необходимых записей.
С указаннойцелью поиск в ассоциативной памяти производится на основе определения содержания ли в тойили иной ее области (ячейке памяти) слова, словосочетания, символа и т.п., являющихсяпоисковым признаком.Существуют различные методы реализации АЗУ, в том числе использующие методы поискаоснованные на "точном совпадении", "близком совпадении", "маскировании" слова-признака ит.д., а также различные процедуры реализации поиска, например, кэширования с цельюпроизводства “наилучшей оценки” истинного адреса, за которой следует проверка содержимогоячейки с вычисленным адресом. Некоторые ассоциативные ЗУ строятся по принципупоследовательного, другие - параллельного сравнения признаков поиска (так называемыеортогональные ЗУ). Параллельные ассоциативные ЗУ нашли применение в организации кэшпамяти и виртуальной памяти.Буферное ЗУ [buffer storage] - вид ЗУ, предназначенный для временногохранения данных при обмене ими между различными устройствами ЭВМВиртуальная память [virtual memory]:251.
Способ организации памяти, в соответствии с которым часть внешней памяти ЭВМиспользуется для расширения ее "внутренней" (основной, оперативной) памяти.Например, содержимое некоторой области, не используемой в данный момент времени"внутренней" памяти, хранится на жестком диске и возвращается в оперативную памятьпо мере необходимости.2. Область (пространство) памяти, предоставляемая отдельному пользователю или группепользователей и состоящая из основной и внешней памяти ЭВМ, между которымиорганизован так называемый постраничный обмен данными. С указанной целью всеадресное пространство делится на страницы памяти. Поиск адресов страницпроизводится в ассоциативной памяти.Временная память [temporary storage] - специальное запоминающее устройство иличасть оперативной памяти, резервируемые для хранения промежуточных результатовобработки.Вспомогательная память [auxiliary storage] - часть памяти ЭВМ, охватывающаявнешнюю и наращенную оперативную память.Вторичная память [secondary storage] - вид памяти, который в отличие от основнойпамяти имеет большее время доступа, основывается на блочном обмене, характеризуетсябольшим объемом и служит для разгрузки основной памяти.Гибкая память [elastic storage] - вид памяти, позволяющей хранить переменное числоданных, пересылать (выдавать) их в той же последовательности, в которой принимает, иварьировать скорость вывода.Дополнительная память [add-in memory] - вид устройства памяти, предназначенногодля увеличения объема основной оперативной или внешней памяти на жестком магнитномдиске (ЖМД), входящих в основной комплект поставки ЭВМ.Иерархическая память [hierarchical storage] - вид памяти, имеющей иерархическуюструктуру, на верхнем уровне которой используется сверхоперативное запоминающееустройство, а на нижнем уровне - архивное ЗУ сверхбольшой емкости.Коллективная (массовая) память, память коллективного доступа [shared memory]:1.
Память, доступная множеству пользователей, которые могут обращаться к нейодновременно или последовательно.2. Память, связанная одновременно с несколькими процессорами для обеспечения ихвзаимодействия при совместно решаемых ими задачах и использовании общих для нихпрограммных средств.Корректирующая память [patch memory] - часть памяти ЭВМ, предназначенная дляхранения адресов неисправных ячеек основной памяти.Локальная память [local memory] - "внутренняя" память отдельного устройства ЭВМ(процессора, канала и т.п.), предназначенная для хранения управляющих этим устройствомкоманд, а также сведений о состоянии устройства.Магазинная (стековая) память [pushdown storage] - вид памяти, являющийсяаппаратной реализацией магазинного списка - стека, запись и считывание в которомосуществляются через одну и ту же ячейку - вершину стека.Матричная память [matrix storage] - вид памяти, элементы (ячейки) которой имеюттакое расположение, что доступ к ним осуществляется по двум или более координатам.26Многоблочная память [multibunk memory] - вид оперативной памяти, организованнойиз нескольких независимых блоков, допускающих одновременное обращение к ним, чтоповышает ее пропускную способность.Многовходовая память [multiport storage memory] - устройство памяти, допускающеенезависимое обращение с нескольких направлений (входов), причем обслуживание запросовпроизводится в порядке их приоритета.Многоуровневая память [multilevel memory] - организация памяти, состоящая изнескольких уровней запоминающих устройств с различными характеристиками ирассматриваемая со стороны пользователей как единое целое.
Для многоуровневой памятихарактерна страничная организация, обеспечивающая "прозрачность" обмена данными междуЗУ разных уровней.Непосредственно управляемая (оперативно доступная) память [on-line storage] память, непосредственно доступная в данный момент времени центральному процессору.Объектно-ориентированная память [object storage] - память, система управлениякоторой ориентирована на хранение объектов. При этом каждый объект характеризуется типоми размером записи.Оверлейная память [overlayable storage] - вид памяти с перекрытием вызываемых вразное время программных модулей.Одноуровневая память [one-level storage]:1. Вид памяти с единой адресацией для запоминающих устройств различных типов в однойЭВМ.2.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
