Тема 10_2010_Системы памяти современных ЭВМ (542586), страница 7
Текст из файла (страница 7)
См. "Виртуальная память".Память параллельного действия [parallel storage] - вид памяти, в которой все областипоиска могут быть доступны одновременно.Перезагружаемая управляющая память [reloadable control storage] - вид памяти,предназначенный для хранения микропрограмм управления и допускающий многократнуюсмену содержимого - автоматически или под управлением оператора ЭВМ.Перемещаемая память [data-carrier storage] - вид архивной памяти, в которой данныехранятся на перемещаемом носителе. Непосредственный доступ к ним от ЭВМ отсутствует.Память последовательного действия [sequential storage] - вид памяти, в которойданные записываются и выбираются последовательно — разряд за разрядом.Память процессора, процессорная память [processor storage] - память, являющаясячастью процессора и предназначенная для хранения данных, непосредственно участвующих ввыполнении операций, реализуемых арифметико-логическим устройством и устройствомуправления.Память со встроенной логикой , функциональная память [logic-in-memory] - видпамяти, содержащий встроенные средства логической обработки (преобразования) данных,например их масштабирования, преобразования кодов, наложения полей и др.Рабочая (промежуточная) память [working (intermediate) storage]:1.
Часть памяти ЭВМ, предназначенная для размещения временных наборов данных.2. Память для временного хранения данных.27Реальная память [real storage] - вся физическая память ЭВМ, включая основную ивнешнюю память, доступная для центрального процессора и предназначенная для размещенияпрограмм и данных.Регистровая память [register storage] - вид памяти, состоящей из регистров общегоназначения и регистров с плавающей запятой.Свободная (доступная) память [free space] - область или пространство памяти ЗУ,которая в данный момент может быть выделена для загрузки программы или записи данных.Семантическая память [semantic storage] - вид памяти, в которой данные размещаютсяи списываются в соответствии с некоторой структурой понятийных признаков.Совместно используемая (разделяемая) память [shareable storage] - вид памяти,допускающий одновременное использование его несколькими процессорами.Память с защитой, защищенное ЗУ [protected storage] - вид памяти, имеющийвстроенные средства защиты от несанкционированного доступа к любой из его ячеек.Память с последовательным доступом [sequential access storage] - вид памяти, вкоторой последовательность обращенных к ним входных сообщений и выборок данныхсоответствует последовательности, в которой организованы их записи.
Основной метод поискаданных в этом виде памяти - последовательный перебор записей.Память с прямым доступом, ЗУ с произвольной выборкой (ЗУПВ) [Random AccessMemory, RAM] - вид памяти, в котором последовательность обращенных к ним входныхсообщений и выборок данных не зависит от последовательности, в которой организованы ихзаписи или их местоположения.Память с пословной организацией [word-organized memory] - вид памяти, в которойадресация, запись и выборка данных производится не побайтно, а пословно.Статическая память [static storage] - вид памяти, в котором положение данных и ихзначение не изменяются в процессе хранения и считывания.
Разновидностью этого вида памятиявляется статическое ЗУПВ [static RAM].Страничная память [page memory] - память, разбитая на одинаковые области страницы. Обмен с такой памятью осуществляется страницами.Управляющая память [control storage] - память, содержащая управляющие программыили микропрограммы. Обычно реализуется в виде ПЗУ.Флэш-память, ЭСППЗУ [EEPROM, Electrically Erasable PROM,flash memory]Электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ: полупроводниковоеЗУ, выполненное в виде микросхемы, в которую можно записывать данные и хранить ихсколь угодно долго. Стирание производится электрическим разрядом, после чего можнозаписывать новые данные. Некоторые виды ЭСППЗУ для стирания иперепрограммирования требуют использования специальных устройств.Другие, собственно относящиеся к категории флэш-памяти, могут стираться иперепрограммироваться непосредственно в ЭВМ.
Конструктивно флэш-память частовыполняется в виде так называемых флэш-карт [Flash-cards] или модулей памяти,которые используются в различных устройствах, например, мобильных ПК, цифровыхфотокамерах, сотовых телефонах, пейджерах, плейерах, портативных навигационныхприборах и т. д.28Одним из наиболее популярных вариантов реализации флэш-карт являютсяMemory Stick (MS) компании Sony, выпуск которых начат с осени 1998 г. Эти картыпрочнее SmartMedia (SM) и Solid State Floppy Disk (SSFDC) и компактнееCompactFlash (CF). При весе пластинок Memory Stick в 4 г их габариты составляют50х21.5х2.8 мм. Они представляют собой две микросхемы флэш-памяти, упакованныев пластиковый корпус.
К началу 2000 г. были доступны карточки Memory Stickемкостью 4, 16, 32 и 64 Мб. В то же время модули памяти ряда производителей,например Compact Flash (CF), которые выпускаются более чем 160 фирмами, обладаютзначительными объемами памяти: CF модификации I – 256 Мб, CF модификации II –512 Мб.Большой популярностью на мировом рынке пользуются MultiMedia Card(MMC) – соответствующий стандарт, поддерживается с 1997 г. асоциацией MMCA,объединяющей порядка 80 компаний, включая такие, как Nokia, Ericsson, Hitachi,SanDisk, Motorola и др. Карты MMC имеют габариты 32х24х1.4 мм, семиконтактныйпоследовательный интерфейс и весят всего 1.5 г.
Максимальная емкость их памяти вданный момент составляет 256 Мб. Широкое применение они нашли в MP3-плеерах,цифровых видеокамерах, диктофонах, мобильных телефонах, портативныхнавигационных системах GPS и других цифровых устройствах.SecureDigital Card (SD) — стандарт на флэш-карты, разработан в 2000 г.компаниями Matsushita, SanDisk и Toshiba в развитие стандарта MMC. Картыснабжены криптографическими средствами защиты данных, высокопрочным корпусомиз специального пластика, девятиконтактным последовательно-параллельныминтерфейсом. Данные могут передаваться по одной, двум, или четырем линиямодновременно на частоте до 25 МГц.
Карты SD совместимы c MMC.USB-флэш-память, USB-память —тип флэш-накопителей, появившихся нарынке в 2001 г. Конструктивно представляет собой "брелок" продолговатой формы,состоящий из защитного колпачка и собственно накопителя с USB-разъемом (одна илидве микросхемы флэш-памяти и USB-контроллер).
Достоинством накопителей этоговида является возможность подключения их непосредственно к настольному ПК дляпереноса данных без помощи каких-либо других устройств. Предполагается, что вбудущем USB-память может стать основным средством переноса небольших объемовзаписей данных.Многоуровневая флэш-память [StrataFlash] – усовершенствованная микросхемафлэш-памяти, основанная на использовании ячеек не с двумя уровнями состояния"включено" и "выключено", как это имеет место в первых поколениях схем, а счетырьмя (два положения "включено" и два положения "выключено"). Таким образомкаждая ячейка может хранить в два раза больше данных, чем в обычной микросхеме.Технология разработана компанией Intel в 1997 г. Основная область предполагаемогоприменения - цифровые фотокамеры, карманные ПК, сотовые телефоны, цифровыеавтоответчики.Флэш-память двойной плотности [Double Density Flash Memory] –усовершенствованная микросхема флэш-памяти, выпускаемая компанией SanDisk сноября 1996 г.
и относится к категории многоуровневой флэш-памяти.29.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
