Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла

Содержание

Введение……………………………………………………………………………5

Необходимые для расчета физические константы:

Постоянная Планка:

Заряд электрона:

Масса электрона:

Постоянная Больцмана:

Размерность энергии в электрон-вольтах:

Базовые физические параметры полупроводников:

-ширина запрещенной зоны при Т=300 К

Коэффициенты температурной зависимости ширины запрещенной зоны:

-ширина запрещенной зоны при Т=0 К

-эффективная плотность состояний в зоне проводимости

-эффективная плотность состояний в валентной зоне

Подвижность электронов:

Подвижность дырок:

Эффективная масса плотности состояний электронов в зоне проводимости:

Эффективная масса плотности состояний дырок в валентной зоне:

Физические параметры полупроводника:

Ф иксированные величины:

Концентрация доноров:

К онцентрация акцепторов:

Переменные величины:

Температура начала собственной проводимости:

Эффективная плотность состояний в зоне проводимости:

Эффективная плотность состояний в валентной зоне:

Диапазон изменения температур:

Ширина запрещенной зоны:

Собственная концентрация носителей заряда в полупроводнике:

В Si с Nd=10^18cm^(-3) переход от примесной к собственной проводимости наступает при температуре 940 К.

Зависимость подвижности электронов от температуры в Si

Экспериментальные данные:

Матрица экспериментальных точек для подвижности:

Матрица экспериментальных точек для температуры:

Аппроксимация:

Аппроксимационное выражение:

З ависимость подвижности электронов от температуры в Si (база данных IOFFE):

1. N_d< 10¹² cm^-3;

2. N_d< 4·10¹³ cm^-3;

3. N_d= 1.75·10¹⁶ cm^-3;

4. N_d= 1.3·10¹⁷ cm^-3;

Зависимости подвижности электронов от концентрации доноров в Si при Т=300 К:

Экспериментальные данные:

Матрица экспериментальных точек для подвижности:

Матрица экспериментальных точек для концентрации:

Граничные значения подвижностей:

Аппроксимация:

Аппроксимационное выражение:

Зависимость подвижности электронов в Si от концентрации доноров при Т=300К (база данных IOFFE):

Зависимость подвижности дырок от температуры в Si:

Экспериментальные данные:

Матрица экспериментальных точек для подвижности:

Матрица экспериментальных точек для температуры:

Аппроксимация:

Аппроксимационное выражение:

Зависимость подвижности дырок от температуры в Si (база данных IOFFE):

1. Высокочистый Si;

2. Высокочистый Si ;

3. N_a = 1.48·10¹⁵ cm^-3;

4. N_a = 2.2·10¹⁵ cm^-3.

Зависимость подвижности дырок в Si от концентрации акцепторов при Т=300К:

Экспериментальные данные:

Матрица экспериментальных точек для подвижности:

М атрица экспериментальных точек для концентрации:

Граничные значения подвижностей:

Аппроксимация:

Аппроксимационное выражение:

Зависимость подвижности дырок в Si от концентрации акцепторов при Т=300К (база данных IOFFE):

Определение параметров идеального p-n перехода (диода)

Зависимость контактной разности потенциалов от температуры в Si:

Диапазон изменения температур:

Тепловой потенциал:

Контактная разность потенциалов:

- контактная разность потенциалов при Т=300К

Зависимость ширины ОПЗ от температуры в Si (U=0B):

Диэлектрическая константа:

Электрическая постоянная вакуума:

Приведенная концентрация:

Ширина ОПЗ:

Зависимость ширины ОПЗ от напряжения в Si (T=300K):

Диапазон изменения напряжений:

Ширина ОПЗ:

Границы области пространственного заряда:

Площадь p-n перехода:

Интегральная барьерная емкость:

Зависимость максимальной напряженности электрического поля в ОПЗ от температуры (U=0В):

Коэффициент диффузии электронов:

Коэффициент диффузии дырок:

Диффузионная длина электронов:

Диффузионная длина дырок:

Ток насыщения для диода:

Основное уравнение Шокли (зависимость тока через p-n переход от напряжения):

Зонная диаграмма идеального p-n перехода в состоянии термодинамического равновесия (Т=300К) для Si:

Вывод: Был исследован полупроводник Si. В ходе работы были получены знания основных параметров полупроводников и их зависимостей. В работе была сделана обработка экспериментальных зависимостей n_i(T), , , по известному виду функции и получена соответствующая аппроксимационная зависимость как функции одной переменной. Так же были определены параметры идеального p-n перехода (диода) для полупроводника Si и построены графики:

U₀(T);

φ_max (Т);

W(U=0∙V,T), W(U=-1∙V,T);

С₀(U=0∙V,T), С_o(U=-1∙V,T);

I₀(T);

I(U, T₁) , I(U, T₂).

Список литературы:

1. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. -М.: Высшая школа,1991.

2. Шур М. Физика полупроводниковых приборов. В 2 кн.; Пер. с англ - М.: Мир,1992.

3. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. -М.: Наука, 1990.-688 с.: илл.

4. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. -М.: Радио и связь,1990.-264 с.: илл.

5. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов/ Справочник; -Киев: Наукова думка, 1975, 704 с.

6. Петров К.С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника: Учебное пособие – СПБ.: Питер, 2004. – 522 с.: ил.

Интернет-источники:

http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/ или http://www.ioffe.spb.ru/ Физико-

технический институт им. Иоффе г. Санкт-Петербург (большая база данных по

свойствам полупроводников (на английском языке), полнотекстовые

электронные версии ведущих отечественных журналов в формате PDF (на

русском языке).

Тема

Н.контр.

Утв.

Разраб.

Пров.

Фамилия

Лит

Лист

Листов

1

Дорогой С.В.

НГТУ.XXX XXX.XXX ПЗ

Характеристики

Тип файла документ

Документы такого типа открываются такими программами, как Microsoft Office Word на компьютерах Windows, Apple Pages на компьютерах Mac, Open Office - бесплатная альтернатива на различных платформах, в том числе Linux. Наиболее простым и современным решением будут Google документы, так как открываются онлайн без скачивания прямо в браузере на любой платформе. Существуют российские качественные аналоги, например от Яндекса.

Будьте внимательны на мобильных устройствах, так как там используются упрощённый функционал даже в официальном приложении от Microsoft, поэтому для просмотра скачивайте PDF-версию. А если нужно редактировать файл, то используйте оригинальный файл.

Файлы такого типа обычно разбиты на страницы, а текст может быть форматированным (жирный, курсив, выбор шрифта, таблицы и т.п.), а также в него можно добавлять изображения. Формат идеально подходит для рефератов, докладов и РПЗ курсовых проектов, которые необходимо распечатать. Кстати перед печатью также сохраняйте файл в PDF, так как принтер может начудить со шрифтами.

Список файлов курсовой работы